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势垒区δ掺杂量子阱Ge03Si07/Si/Ge03Si07的子带间跃迁光吸收系数

势垒区δ掺杂量子阱Ge03Si07/Si/Ge03Si07的子带间跃迁光吸收系数徐至中(复旦大学物理系,上海200433)(1995年6月20日收到)采用包络函数方法对生长在Ge03Si07(001)衬底上势垒区δ掺杂量子阱Ge03Si07/Si/Ge03Si07的电子能带结构及子带间光吸收特性进行了自洽的计算.对光吸收系数与量子阱的阱宽、δ掺杂位置及δ掺杂密度间的变化关系进行了讨论.最后对由高浓度的二维电子气的退极化效应所引起的频率位移进行了研究.PACC:78651引言近年来由于在红外器件应用上的诱人前景,对于量子阱子带间跃迁光吸收特性已开展了大量的研究工作.过去的工作主要集中在GaAs/AlxGa1-xAs系统上.最近,由于外延工艺的进步,关于Si/GexSi1-x系统的生长技术已有很大提高.因而人们也把注意力逐渐转向Si/GexSi1-x系统.利用因晶格不匹配而引起的应变,在不同的衬底上可以生长出不同...  (本文共9页) 阅读全文>>

《红外与毫米波学报》1960年20期
红外与毫米波学报

非对称耦合双量子阱的荧光光谱研究

非对称耦合双量子阱的荧光光谱研究茅惠兵(复旦大学材料科学系,上海,200433)张家明陆卫沈学础(中国科学院技术物理研究所,红外物理国家实验室,上海,200083)摘要讨论了耦合双量子阱的光荧光性质,并着重对不同垒宽样品的荧光性质与激发功率的关系进行了详细讨论,分析了导带子带间弛豫过程的竞争.关键词光荧光,不对称耦合双量子阱,子带间弛豫.引言无论在基础研究还是在应用研究领域,半导体量子阱和超晶格中的隧穿过程是一个十分活跃的研究方向.非对称耦合双量子阱(以下简称为ACDQW)已经被认为是研究隧穿过程的理想对象[1~3],同时这种结构又以其特殊的性质在光电和电子器件中显示了广阔的应用前景[4].但以前的研究多集中在共振和近共振条件下电场中的隧穿过程,而且所有的样品几乎都是不掺杂的.本文详细研究窄量子阱中重掺杂的非对称耦合双量子阱中非共振电子隧穿及其与激发激光功率的关系,在这些样品中,光荧光测量显示了不同子带间弛豫过程之间的竞争,不同...  (本文共4页) 阅读全文>>

《物理学报》1970年80期
物理学报

量子阱中的电子关联

量子阱中的电子关联汪鸿伟(江西省九江师范专科学校物理系,九江332000)运用BohmPines理论,提出了二维及准二维电子气的普适关联因子,并由关联基函数(CBF)方法,求解得AlxGa1-xAsGaAs量子阱的关联函数、交换能和关联能.PACC:7145G;7340L1引言近年来对二维和准二维电子气的研究有许多成功的理论[1—8],二维电子气系统实际上成为检测各种多体理论优劣的一个领域.代表性的理论有无规相近似(RPA)、哈伯特近似(HA)、局域场自洽近似(STLS)以及耦合集团展开圈图计算(CCRING)[3—8],作为多体理论的一个重要物理量———对关联函数(或相应的静态结构因子)多种方法都作过计算,一般说来可信的关联函数应满足如下基本标准[3]:(1)关联函数g(R)对所有的R必须是正定的[3];(2)在高密度极限应是HartreeFock的结果[3];(3)关联函数应是归一化的.以上工作很少给出电子关联函数,...  (本文共7页) 阅读全文>>

《发光快报》1987年Z1期
发光快报

表面量子阱

随着近年来巫一V族超薄外廷生长和微结构技术为发展,人们一直期望着光一电器件有较大的进展。一种制备半导体器件的组分梯度外廷技术已被用于制各诸如雪崩二极管这样的器件。但是,如果能在一块有梯度组分的基片之上制备单量子阱,甚至多量子阱,这将引出一种新型的表面光发射器。这种结构可以使近表面处聚集密度很高的载流子。如果载流子的密度足够高,丧而复合可被饱和,可使非辐射复合的损失相对降低.最近,美国犹他州犹他大学的科学家报导了他们采用MOCVD技术制备的表面量子阱及光致发光测试结果。 作者采用常压MOCVD技术。衬底是GaAs片子。在衬底上首先外延600。人厚的Ga。.,In。.、P层,以期与GaAs衬底实现晶格匹配。在过去的工作中,已知GalnP和玩P在类似生长条件下所具有的非故意掺杂施主浓度在10二scm一,数量级。在Ga。.:In。.、P之上再生长组分依次不同逐渐变化的9层G。二In,一二p,每层200人犷厚。最靠近Ga。.Jn。.:P的...  (本文共2页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》1989年04期
固体电子学研究与进展

第Ⅱ类量子阱中的激子束缚能(英文)

第Ⅱ类量子阱中的激子束缚能(英文)...  (本文共1页) 阅读全文>>

《光电子·激光》1997年S1期
光电子·激光

量子阱中载流子捕获超快动力学

1.引言 半导体l一v族和亚一VI族量子阱中受激发载流子驰豫并被捕获至势阱或杂质能级中形成自由激子或自陷激子的动力学过程,与这些材料的光电子特性密切相关。研究捕获的机制、控制捕获的过程,改善材料的特性,例如调整发光波长,提高荧光效率,加速光电响应速率等等,已成为近年来光电信息科学技术中的重要课题。 本项目的主要研究内容是发展多种波长的飞秒与皮秒激光光谱技术并用千研究GaA:和Znse量子阱材料中载流子的超快驰豫和捕获动力学过程,为解其物理机理和研制高速光电子器件提供新的资料。 2.研究内容和结果 2.1创建和发展了不同波长的飞秒激光系统和测试仪器,获得了两项具有先进水平的成果。 (1)发展了一台新的对碰脉冲锁模飞秒染料激光器(简称CPM),获得了18飞秒的可见光(620nm)脉冲,这是目前世界上由同类激光器产生的最短脉冲〔‘一’〕,受到国内外学者的重视。此激光器的独创之处是采用了新的腔设计和器件,充分利用了腔内自相位调制和群速度...  (本文共2页) 阅读全文>>