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势垒区δ掺杂量子阱Ge03Si07/Si/Ge03Si07的子带间跃迁光吸收系数

势垒区δ掺杂量子阱Ge03Si07/Si/Ge03Si07的子带间跃迁光吸收系数徐至中(复旦大学物理系,上海200433)(1995年6月20日收到)采用包络函数方法对生长在Ge03Si07(001)衬底上势垒区δ掺杂量子阱Ge03Si07/Si/Ge03Si07的电子能带结构及子带间光吸收特性进行了自洽的计算.对光吸收系数与量子阱的阱宽、δ掺杂位置及δ掺杂密度间的变化关系进行了讨论.最后对由高浓度的二维电子气的退极化效应所引起的频率位移进行了研究.PACC:78651引言近年来由于在红外器件应用上的诱人前景,对于量子阱子带间跃迁光吸收特性已开展了大量的研究工作.过去的工作主要集中在GaAs/AlxGa1-xAs系统上.最近,由于外延工艺的进步,关于Si/GexSi1-x系统的生长技术已有很大提高.因而人们也把注意力逐渐转向Si/GexSi1-x系统.利用因晶格不匹配而引起的应变,在不同的衬底上可以生长出不同...  (本文共9页) 阅读全文>>

《红外与毫米波学报》1960年20期
红外与毫米波学报

非对称耦合双量子阱的荧光光谱研究

非对称耦合双量子阱的荧光光谱研究茅惠兵(复旦大学材料科学系,上海,200433)张家明陆卫沈学础(中国科学院技术物理研究所,红外物理国家实验室,上海,200083)摘要讨论了耦合双量子阱的光荧光性质,并着重对不同垒宽样品的荧光性质与激发功率的关系进行了详细讨论,分析了导带子带间弛豫过程的竞争.关键词光荧光,不对称耦合双量子阱,子带间弛豫.引言无论在基础研究还是在应用研究领域,半导体量子阱和超晶格中的隧穿过程是一个十分活跃的研究方向.非对称耦合双量子阱(以下简称为ACDQW)已经被认为是研究隧穿过程的理想对象[1~3],同时这种结构又以其特殊的性质在光电和电子器件中显示了广阔的应用前景[4].但以前的研究多集中在共振和近共振条件下电场中的隧穿过程,而且所有的样品几乎都是不掺杂的.本文详细研究窄量子阱中重掺杂的非对称耦合双量子阱中非共振电子隧穿及其与激发激光功率的关系,在这些样品中,光荧光测量显示了不同子带间弛豫过程之间的竞争,不同...  (本文共4页) 阅读全文>>

《物理学报》1970年80期
物理学报

量子阱中的电子关联

量子阱中的电子关联汪鸿伟(江西省九江师范专科学校物理系,九江332000)运用BohmPines理论,提出了二维及准二维电子气的普适关联因子,并由关联基函数(CBF)方法,求解得AlxGa1-xAsGaAs量子阱的关联函数、交换能和关联能.PACC:7145G;7340L1引言近年来对二维和准二维电子气的研究有许多成功的理论[1—8],二维电子气系统实际上成为检测各种多体理论优劣的一个领域.代表性的理论有无规相近似(RPA)、哈伯特近似(HA)、局域场自洽近似(STLS)以及耦合集团展开圈图计算(CCRING)[3—8],作为多体理论的一个重要物理量———对关联函数(或相应的静态结构因子)多种方法都作过计算,一般说来可信的关联函数应满足如下基本标准[3]:(1)关联函数g(R)对所有的R必须是正定的[3];(2)在高密度极限应是HartreeFock的结果[3];(3)关联函数应是归一化的.以上工作很少给出电子关联函数,...  (本文共7页) 阅读全文>>

《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》2017年03期
内蒙古民族大学学报(自然科学版)

磁场对半指数量子阱中极化子基态能量的影响

1引言随着现代低微纳米科学与半导体晶体生长技术的发展,人们已经能够通过分子束外延(MBE)和金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)等各种方式制备出诸多低维纳米半导体器件(量子点[1]、量子阱[2]、量子线[3]等).由于纳米量子体系具有重要科学研究价值以及特有的光电性质和输运特性,使它具有极其广泛的应用前景和潜在的经济价值.因此,在过去的几十年里,在低维量子系统中物理现象的研究领域出现了许多的科研成果.尤其是低维量子体系中极化子效应的性质引起了大量研究者的兴趣.例如Yakovlev[4]等人首次证明并发现在Cd Te/(Cd,Mn)Te量子阱中存在磁极化子.Awschalom[5]等人实现了磁量子阱中极化子动力学的观测.Poweleit[6]等人观测到Zn1-x Mnx Se/Zn Se多量子阱中的长存的激子磁极化子.值得关注的是,不同的材料在量子阱使用使其中的极化子可以强烈地影响半导体结构的电子构成.除了上述提到的材料量子阱,人...  (本文共4页) 阅读全文>>

《激光杂志》2017年09期
激光杂志

AlGaInAs/InP多量子阱激光器的量子阱数的优化

半导体光电子器件在信息技术等方面等都有广泛的使用范围,作为重要器件之一的半导体激光器有着优于气体、固体激光器转化功率的优势[1]。同时,随着外延技术不断提高,半导体激光器性能日益优化,激光器在军事反导、工业制件、医疗器件等领域中至关重要[2]。所以大量工作已经投入到半导体激光器结构设计和性能优化研究当中,以便使器件尽可能满足高光束质量、高效率、低损耗、高可靠性等各项条件。高速通讯系统是全球范围通讯的主要领导者与重要研究方向。近年来,随着“信息高速公路”及“宽带中国”战略的实施,中国光电子芯片及器件产业呈现出蓬勃发展的态势[3]。目前我国各地实验室已经研制完成了多项“863”项目。还有一直致力于开发的器件:1.3μm、1.55μm Al Ga In As高温无制冷量子阱激光器[4];1.3μm、1.55μm补偿应变In Ga As P QW半导体激光放大器[5];2.5Gb/s用的激光器与电吸收型调制器的单片光集成器件[6]。因此...  (本文共5页) 阅读全文>>

《发光快报》1987年Z1期
发光快报

表面量子阱

随着近年来巫一V族超薄外廷生长和微结构技术为发展,人们一直期望着光一电器件有较大的进展。一种制备半导体器件的组分梯度外廷技术已被用于制各诸如雪崩二极管这样的器件。但是,如果能在一块有梯度组分的基片之上制备单量子阱,甚至多量子阱,这将引出一种新型的表面光发射器。这种结构可以使近表面处聚集密度很高的载流子。如果载流子的密度足够高,丧而复合可被饱和,可使非辐射复合的损失相对降低.最近,美国犹他州犹他大学的科学家报导了他们采用MOCVD技术制备的表面量子阱及光致发光测试结果。 作者采用常压MOCVD技术。衬底是GaAs片子。在衬底上首先外延600。人厚的Ga。.,In。.、P层,以期与GaAs衬底实现晶格匹配。在过去的工作中,已知GalnP和玩P在类似生长条件下所具有的非故意掺杂施主浓度在10二scm一,数量级。在Ga。.:In。.、P之上再生长组分依次不同逐渐变化的9层G。二In,一二p,每层200人犷厚。最靠近Ga。.Jn。.:P的...  (本文共2页) 阅读全文>>