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入射离子X射线探测及其应用

文章介绍了近年来加速器质谱学中新发展的一种探测入射离子特征X射线技术.当用重离子轰击靶时,人们能够观测到这些离子的特征X射线和靶元素的X射线.由测定的入射离子的X射线可以用于分析入射离子的元素属  (本文共5页) 阅读全文>>

权威出处: 《物理》1981年20期
《核技术》1999年12期
核技术

入射离子特征X射线分析研究

为了开展重核同量异位素鉴别方法研究,建立了...  (本文共3页) 阅读全文>>

《真空科学与技术》1988年02期
真空科学与技术

膜厚对反冲注八改性的影响

本文依据LSS理论并考虑到反冲注入的特点,对反冲注入中入射离子的能量和镀层厚度提出如下选择原则: 1.入射离子的能量应对...  (本文共5页) 阅读全文>>

《物理学报》1989年09期
物理学报

晶格原子间非简谐相互作用对离子注入的影响

本文用经典力学中推广的朗之万方程研究了离子注入中入射离子与固体的相互作用。在计入晶格原子间的非简谐力相互作用的情况下,得到了入射离子与靶...  (本文共6页) 阅读全文>>

兰州大学
兰州大学

强相互作用区He原子的多电子过程

本工作在兰州大学2×1.7MV串列加速器上利用0.2MeV~5.8MeV的C~(q+)、O~(q+)(q=1、2、3)入射离子与He原子进行碰撞,对碰撞中的多重电离过程进行了研究。实验上采用反冲离子—散射离子飞行时间符合技术、位置灵敏探测技术及多参数获取系统得到散射离子与反冲离子电荷态的二维符合谱,从而得到不同入射离子的单双电离截面比的随入射离子能量变化的曲线。实验结果表明,对于直接电离过程和转移电离过程,单双截面比的实验值有下列几个共同的特点:(1)当入射离子能量开始大于几十个keV/amu时,单双电离截面比随着入射离子能量的增加而迅速增加。(2)当入射离子能量大约为200~300keV/amu时,单双电离截面比达到最大值。(3)过了最大值之后,随着入射离子能量继续增加,单双电离截面比缓慢下降。在理论上,从只考虑电子俘获过程的Bohr经典过垒模型出发,考虑电子从分子态的直接电离问题,把中低能区的俘获和电离放在一个框架内考虑。理...  (本文共76页) 本文目录 | 阅读全文>>

兰州大学
兰州大学

强相互作用区非全裸离子与氦原子碰撞机制的研究

本工作是在兰州大学2×1.7MV串列加速器离子——原子碰撞实验终端上完成的。实验利用加速器产生的约20keV/amu~500keV/amu的C~(q+)和O~(q+)(q=1~4)离子与He原子碰撞,采用符合测量方法和多参数数据获取系统得到了散射离子与反冲离子电荷态的二维事件谱,从而对碰撞后不同出射过程之间的竞争关系进行了比较分析;对He原子的双电离截面与单电离截面比R_(21)(R(DI/SI)、R(TI/SC)和R(SLDI/SLSI))进行了理论研究。主要结果如下:1.从入射离子碰撞前后电荷态变化情况看,非全裸离子与He原子碰撞分为直接电离过程、入射离子俘获电子和损失电子过程,三者存在着相互竞争关系。低能端以入射离子俘获电子过程为主,损失电子过程很少;中间能区三者发生的概率相当,竞争最为激烈;较高的能区,依电荷态不同,以入射离子损失电子过程(电荷态较低)或直接电离过程(电荷态较高)为主,俘获电子过程很少。2.从靶原子He被...  (本文共106页) 本文目录 | 阅读全文>>