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KDJ-75型晶闸管无级调压电加热机

电机吊环及扣紧螺钉是西安标准件五厂生产的主要产品。旧的加工工艺是将圆钢用煤炉加热后再热压成型。这种加工方法使工人劳动强度大,环境污染严重,且由于加热温度不易控制,影响了产品质量。一九八五年以来,我们采用晶闸管无级调压技术改革旧工艺,研制出一台晶闸管无级调压电加热机,经使用效果很好。一九八六年九月十五日西安冶金机电工业局组织召开鉴定会,通过了该设备的技术鉴定。现将该机设计方案及工作原理作一介绍。1主要技术性能指标1 .1要求毛坯(圆钢)受热均匀,加热温度连续可调。加热后的圆钢能满足热压成型的要求。1。21。3被加热的圆钢直径为:小n一小28mm被加热部分最大长度为:1=7om二圆钢材料:15非一35耸钢及A3钢加热时间:t簇25秒KDJ一75型晶闸管无级调压电加热机2方案选择 很据厂方提出的技术要求,采用变压器次级短路电流加热圆钢,改变变压器次级电压以门冷电流,从而改变加热温度。为使被加热工件受热均匀,采用断续加热的方法。实现这种...  (本文共7页) 阅读全文>>

《西安理工大学学报》1986年04期
西安理工大学学报

场控晶闸管及其设计

1。引言 随着科学技术日新月异的发展,电力系统和装置要求使用各种不同的电力半导体器件。对这些器件,不仅要求耐压高、电流大,而且要求速度快;不仅能开通,而且能关断;不仅能开关,而且要易控制。在这种形势下,各种型式的电力半导体器件应运而生,且名目繁多、举不胜举。国内已有专著川对这些新型器件的原理及其应用作了介绍。在这些器件中,有一类颇引起人们的关注,这就是场效应晶闸管。它包括MOS晶闸管(也称TRIMOS)t幼,以及场控晶闸管。本文主要介绍后者。这种器件自从1975年问世以来,已在美国、日本和法国等国家得到迅猛发展;迄今已有上百篇文献对它进行研究,详细介绍了它的结构及改进,从理论上分析它的特性;制造工艺也日趋成熟。目前研制水平:阻断电压400oV;正向电流looA~Zo0A;正向压降1 .4V;开通时间1”“左右,di/dt:4000A/拼s;dy/dt:15o0v一300oV/川;工作温度170℃以上。这些特性中有些是普通晶闸管无...  (本文共11页) 阅读全文>>

《集成电路应用》1986年04期
集成电路应用

晶闸管的保护

晶闸管虽然有很多优点,但它也有不少缺点,如热容量很小,过载能力较差等。如使用不当,即使短时间超过规定的过电流或过电压,都会造成元件的损坏。所以在晶闸管电路中,必须对晶闸管采取保护措施。 1、晶闸管的过电流保护,晶闸管过电流的原因有:输出回路过负载或短路,电路中某一晶闸管击穿损坏,引起其它相邻品闸管过电流,控制电路工作不正常或受干扰使晶闸管误触发而造成过电流。 由短路造成的过电流,可达额定值的10一20倍。它使元件的转折电压下降,以致完全失去正向阻断能力,并使反向漏电流急剧增加,结果导致结层烧坏,成为永久性损坏,·当然,晶闸管也并不是完全不能承受过电流的,表l列出了几种晶闸管允许的电流过载倍数,如3cT5o在0.02秒内允许过载5倍,若在允许的时间内切断故障电流,可以防止元件损坏,一般可采用快速动作的保护电器,如快速熔断器,快速过电流继电器和快速开关等,其具体保护措施如下: 表1晶闸管允许电流过载倍数元件系列电流过载倍数0.02秒...  (本文共4页) 阅读全文>>

《西安理工大学学报》1987年04期
西安理工大学学报

采用波形分析法对电力电子装置中的晶闸管元件进行故障检测

前 心二, 日 在电力电子装置中,晶闸管或大功率晶体管等功率元件损坏后,采用常规仪丧进行测试往往测不出来,这给装置的安全运行带来危害。随着电力电子装置的性能提高及其容量大型化,使用的功率元件数量越来越多,这个问题也就更为突出。因此,研制智能化的、工作可靠的功率元件故障检测器,便成为当前电力电子技术中的一个课题‘2.晶闸管故障诊断器的技术模型 2.1晶l’N管的失效分析 根据应用经验和统计数据,在电力电子装置中造成晶闸管失效,主要由于电气损坏。电气损坏的原因有三方面: 一是过电压。当外施反向电压超过晶闸管允许的反向击穿电压时,可能会使其进入雪崩区,因而产生很大的反向漏电流,造成绝缘击穿或热击穿。绝缘击穿是pN结的体击穿或四周的绝缘破坏而造成的短路状态。热击穿是当晶闸管在结温接近允许最高温度的情况下工作时,由于反复施加很高的反向电压而流过很大的反向漏电流,使尸N结过热击穿。另外,当晶闸管在正向阻断状态而加上过高的电压时,则可能在发生...  (本文共7页) 阅读全文>>

《电子技术》1987年05期
电子技术

微机控制晶闸管直流功率放大器

现有的晶闸管整流电路中,整流器的平均输出电压U。与控制电压U*之间存在着非线性的关系,其比例系数随控制角“的变化而改变。这在某些要求线性调节的系统中是不允许的。为了解决这个问题,一种方法是在输入信号电压转换成信号电流的环节中,引入非线性变换来校正单相晶闸管调压电路的控制角“和平均输出电压U。之间的非线性关系而使其线性化;另一种方法则是直接从所使用的电源探讨,使输出U。与输入U*之间在一定范围内达到线性关系。这些方法的共同缺点是线路比较复杂,误差大,而线性范围较小。本文采用的方法是利用微处理器触发电路,由软件设计实现晶闸管整流电路的输出和输入之间线性化。采用这种方法侧】线路比较简单,精度高,且线性范围较大。 一、实验线路的简单介绍 图1所示为实验的线路图,电路的主要环节是人/D转换器和微机控制的触发器。 1.A/D转换器(本实验采用人DC0809芯片)与CPU的接口,采用间接接口方式,在ADC0809的八位数据输出端与CPU的数据...  (本文共3页) 阅读全文>>

《山东师大学报(自然科学版)》1987年04期
山东师大学报(自然科学版)

元素镓高斯分布在晶闸管生产中的应用

引言 一次P型杂质扩散是晶闸管生产中最关键的工艺。目前国内电力半导体器件生产厂家普遍采用硼一铝涂层扩散。B一Al扩散属双质扩散,它遵循的杂质分布规律既不属余误差分布,又不属高斯分布,扩散层的表面浓度决定于硼,而结深则取决于铝,硼的扩散结深尚不到铝的一半。这种扩散除了均匀性在J:结附近,杂质浓度梯度较大,、重复性较差外,其突出的弱点是杂质分布不理想:其一,这从一次和二次扩散的配合来讲,二次扩散的结深有微小山东师大学报(自然科学版)‘-~~.‘~~~~白‘.~~~波动都会造成器件参数严重分散。其二,短基区有效浓度低,为满足空间电荷展宽与耐压的关系,其宽度必须很宽才行,因而造成器件动态参数不理想。实践证明,利用开管扩散法,使稼的分布服从理想的高斯分布,可克服上述弊端。一、高斯分布的确定 (一)工艺路挽利用开管方式扩稼采取的工艺路线是:预淀积和再分布两过程在同一炉体一次完成。在结推移过程中,杂质总量不变,随扩散时间的延长,结深的增加,表...  (本文共4页) 阅读全文>>