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制造半导体器件的能带工程

自从分子束外延生长技术出现以来,半导体物理的研究获得许多惊人的突破。近年来这些成果  (本文共6页) 阅读全文>>

西安理工大学
西安理工大学

SiGeC/Si异质结快速软恢复功率二极管的研究

论文将SiGeC/Si异质结技术用于功率二极管反向恢复特性的改进,首先研究分析了Si基应变材料的晶格结构,形成压应变和张应变的机理,尤其是C的引入导致SiGeC材料临界厚度增加及相关器件热稳定性增强的机理。详细分析了SiGeC/Si能带结构特点,依据ΔEC、ΔEv和ΔEg的关系,得出SiGeC/Si异质结能带结构属于“负反向势垒”的结论。推导出SiGeC/Si异质结二极管,在较低、较高正向偏压下的电流密度表达式,解释了SiGeC/Si异质结二极管电流输运机理。基于异质结电流传输机理,SiGeC/Si异质结功率二极管实现了低通态压降下高电流密度的传输,改善了二极管的反向恢复特性,同时具有较低的反向漏电流。与少子寿命控制技术相比,SiGeC/Si异质结能带工程更有效的协调了功率二极管中通态压降、反向漏电流和反向恢复时间三者之间的矛盾。对SiGeC合金中的Ge、C含量进行了优化分析,提出在SiGeC/Si异质结二极管中,对于一定的Ge...  (本文共153页) 本文目录 | 阅读全文>>

《半导体情报》1987年05期
半导体情报

半导体器件制造工艺技术重要用语选集(二)

超净室(Super Clean Room) 随着半导体器件结构的微细化,对制造工程的洁净化,即洁净室的要求变得非常严格。一般认为,在器件中,只有图形尺寸十分之一大小的尘埃,也会对该器件的可靠性和成品率产生影响。因此,在最先进的器件中...  (本文共2页) 阅读全文>>

《电子技术》1987年07期
电子技术

日本电子元器件的识别(三)

半导体器件常见的二极管、三极管及场效应管(FEF)等分立半导体器件的命名方法是根据EIAJ(日本电子机械工业协会)和JIS...  (本文共1页) 阅读全文>>

《半导体情报》1987年06期
半导体情报

富士通

以低损耗石英光纤的开发为背景,这二十年间,在通信和信息处理系统中,“光”的利用有了急速的进展,现在光系统已广泛地实用化了。在这些系统中,半导体激光器和光电二极管等光半导体器件作为关键器件而被采...  (本文共7页) 阅读全文>>

《化学传感器》1987年01期
化学传感器

PVC膜二硝基甲苯磺酸盐敏感半导体器件的研制

离子敏感半导体器件发展很快,已成为离子选择电极的一个重要分支。它的发展趋势将在生物、医学研究、临床诊断、工业和环...  (本文共4页) 阅读全文>>

《集成电路应用》1987年02期
集成电路应用

上海市仪表电讯工业局半导体器件行业一九八六年度新产品简介

八六年度上海市仪表局半导体器件行业全体职工在有关高校、研究所、兄弟厂的大力支持和协作下试制的五十九项(146种)新产品分别通过了设汁定型或生产定型,现择其部份作简要介绍如下: 一、集成电...  (本文共4页) 阅读全文>>