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反应离子刻蚀技术

__下,有大量的中性粒子存在,它的电子温度虽 ’、mB 较高但其气体温度通常不过450—6DOK‘。在 低温等离子体技术——等离子体化学的应 等离子体中电子与气体分子间的弹性和非弹性用是当前固体电子学界广泛重视的一个领域。碰撞产生了离子、自由基和亚稳态活性体等。在各种等离子体技术中比较成熟并已广泛应用 而这些粒子间又不断发生电离、分解和复合等,的是在微细加工技术中代替湿法刻蚀的干法刻 整个过程极为复杂。’‘。例如Gruhn等’“认蚀。干法刻蚀按其机理可分为三类,一是纯 为在He-CF4等离子体中首先是因电子碰撞而粹的物理溅射效应如离子束刻蚀和射频溅射刻 形成大量亚稳态He,它们通过谐振将能量传蚀,它们有良好的方向性值缺乏选择性而且刻 递给激发态F。即速低、辐射效应较强。二是纯粹的表面化学反He“+o。、He+CF。十V‘“(r*)应如圆筒形装置中的等离子体刻蚀,它有良好 *““、F+hV(704毫微米)的选择...  (本文共10页) 阅读全文>>

南京邮电大学
南京邮电大学

倾斜表面SOI横向高压器件的工艺与特性研究

VLT技术是一种可以同时大幅度改善击穿电压和降低导通电阻的新技术,但其难点在于从工艺上如何制造从源到漏逐渐变化的漂移区厚度。本文针对该问题开展深入研究。首先,研究了基于多窗口反应离子刻蚀技术的倾斜表面制备方法。分别建立了单窗口和多窗口刻蚀轮廓的数学模型,确定了用于优化窗口宽度、间距和数目的数值算法,并编制了实现该算法的MATLAB程序。最后把程序计算结果代入Silvaco TCAD工具,进行工艺仿真,获得了较为理想的表面平整的倾斜表面。其次,研究了基于多窗口各向异性湿法刻蚀技术的倾斜表面制备方法。分别建立了单窗口和多窗口刻蚀轮廓的数学模型,确定了用于优化窗口宽度、间距和数目的数值算法,并编制了实现该算法的MATLAB程序。最后把程序计算结果代入Silvaco TCAD工具,进行工艺仿真,也获得了较为理想的表面平整的倾斜表面。再次,进行了VLT SOI LDMOS工艺设计与优化。提出了一种制造VLT漂移区结构SOI LDMOS的C...  (本文共68页) 本文目录 | 阅读全文>>

西安工业大学
西安工业大学

硅快速深刻蚀技术的研究

随着MEMS技术中硅基高深宽比微细结构和3-D封装中穿透硅通孔技术的应用,硅的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术成为国内外研究的热点。本文采用中科院微电子研究中心ICP-98A高密度等离子体刻蚀机,研究了不同工艺参数对硅刻蚀速率的影响,获得较好的硅快速刻蚀工艺;通过对掩蔽层图形化的工艺、掩蔽层材料对硅的刻蚀选择比、交替复合深刻蚀技术中的单步保护层淀积工艺以及硅的各向异性刻蚀工艺等研究,实现了硅基通孔结构。本文研究了硅快速刻蚀技术和硅深刻蚀技术。首先通过大量的实验得出不同工艺参数,如射频功率、气体流量、自偏压以及不同掺杂气体等对硅刻蚀速率的影响,得到了硅快速刻蚀的工艺参数。其次对适用于ICP-98A高密度等离子体刻蚀机的硅深刻蚀技术进行了研究。设计并通过实验得出基于腐蚀和剥离技术的掩蔽层薄膜图形化工艺;通过研究SiO_2、MgO和Al在SF_6中的刻蚀速率以及对硅的刻蚀选择比,得出硅对MgO的刻蚀选择比大于1000:1,适于在硅深...  (本文共75页) 本文目录 | 阅读全文>>

厦门大学
厦门大学

基于自组装的微图案表面构筑及其应用

微纳米结构在微电子器件、催化、传感、仿生、组织工程等诸多领域具有广阔的应用前景并且微纳米结构形貌很大程度上取决于图案化的构筑。因此,微/纳米图案化表面构造技术已经成为材料科学的中心问题之一,其在学术研究和工程应用中都具有十分重要的意义。在本论文中,我们发展了三种全新的制备方法,成功构筑了具有纳米结构的聚合物多孔膜、图案化的纳米环阵列、碳纳米管阵列、硅图案以及微纳米多级孔材料。本论文分为五章,详述如下:第一章:简要回顾了图案化构筑方式,重点介绍了基于水滴自组装模板(呼吸图)法制备聚合物微孔膜、基于反应离子刻蚀技术构筑微图案和基于超临界二氧化碳流体及其膨胀流体制备聚合物多孔膜,并简要地说明了这些结构的应用。第二章:以两嵌段聚合物聚苯乙烯-b-聚四乙烯基吡啶(PS-b-P4VP)作为铸膜材料,选用甲酸作为气氛,利用吡啶基和羧酸基之间的化学反应,巧妙地将呼吸图法制备聚合物膜的成孔过程固定在初始阶段并得到了纳米尺度的聚合物多孔膜。纳米级呼...  (本文共104页) 本文目录 | 阅读全文>>

中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)
中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)

干法刻蚀和离子注入影响Ⅲ-Ⅴ族半导体量子阱发光特性研究

干法刻蚀和离子注入是半导体光电器件制作过程中广泛使用的基本工艺过程。虽然干法刻蚀和离子注入工艺都有各自的优点,但他们也都可能给半导体材料及器件带来电学和光学上的损伤。如何在完成器件工艺的同时避免或最大限度地减小材料及器件的损伤是值得研究的重要科学问题。本论文围绕干法刻蚀和离子注入可能给Ⅲ-Ⅴ族半导体量子阱材料发光特性产生的影响进行了系统研究,并取得如下结果:1.理论计算了较低能量(小于1 KeV)下干法刻蚀过程中缺陷产生速率、缺陷在材料刻蚀表面及侧面的分布、缺陷在刻蚀材料内部带来的损伤深度、外延层电导等物理量,并得出以下结论:(1)由干法刻蚀产生的缺陷密度随着刻蚀面以下深度的增加而呈指数衰减,缺陷密度随着刻蚀时间的延长而增大,最终趋于饱和;(2)在刻蚀初始阶段,刻蚀损伤深度随着刻蚀深度的增大而增大,当刻蚀缺陷去除速率等于缺陷产生速率时,缺陷损伤深度趋于一定值;在同一刻蚀深度,刻蚀离子在刻蚀面以下的隧穿深度越大,损伤深度也就越大。...  (本文共116页) 本文目录 | 阅读全文>>

《光电工程》197S年10期
光电工程

用反应离子刻蚀技术制作二元光学元件

用反应离子刻蚀技术制作二元光学元件张锦杜春雷冯伯儒王永茹周礼书侯德胜郭勇邱传凯林大键(中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,成都,610209)摘要介绍了利用反应离子刻蚀技术制作二元光学元件的原理和方法,给出了制作结果。主题词离子束光刻,离子腐蚀,二元光学,衍射光学元件。分类号TN405.98FabricationofBinaryOpticalElementswithReactiveIonEtchingTechnologyZhangJin,DuChunlei,FengBoru,WangYongruZhouLishu,HouDesheng,GuoYong,QiuChuankai,LinDajian(StateKeyLaboratoryofOpticalTechnologyforMicrofabrication,InstituteofOptics&Electronics,ChineseAcademyofScien...  (本文共5页) 阅读全文>>