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压电陶瓷的新应用及新工艺

压电器件及其应用的发展,取决于压电材料种类的更新和性能的提高。  (本文共5页) 阅读全文>>

景德镇陶瓷学院
景德镇陶瓷学院

BCTZ无铅压电陶瓷的制备与性能研究

钛酸钡(BT)压电陶瓷材料是一种性能优异的压电铁电材料,近几十年来在光、声、电子学等领域发展迅速已广泛的应用。但是,钛酸钡陶瓷一直具有温度稳定性差、居里温度低(约120℃)等缺点,这限制了其在室温下应用。BCZT锆钛酸钡钙是二种新型二元系钛酸钡基陶瓷材料,在准同型相界(简称MPB)附近具有很高的压电性能,该体系材料压电常数d33可以达到600 pC/N,甚至可与铅基陶瓷材料相媲美。但是,由于该体系材料仍存在一系列不尽如人意的缺点,很大程度上限制了其更大范围内的应用。本文采用固相法制备了一系列BZT-BCT锆钛酸钡钙无铅压电陶瓷,通过分析与对比不同组分BZT-BCT锆钛酸钡钙陶瓷性能,可以找出不同组分BZT-BCT锆钛酸钡钙陶瓷中铁电、介电以及压电性能最优异的组分。另外,对最优组分的陶瓷而言,首先,可以研究在不同烧结温度下其最优组分陶瓷的微观结构、形貌以及电学性能与烧结温度的关系;其次,可以研究在最佳烧结温度下电场、频率以及温度对...  (本文共56页) 本文目录 | 阅读全文>>

《硅酸盐通报》2006年04期
硅酸盐通报

国内外压电陶瓷的新进展及新应用

主要综述了近年来国内外压电陶瓷材料的最新进展和最新应用状况,以及为使压电陶瓷材料更充分应用于生产实践中所采取的一系列...  (本文共7页) 阅读全文>>

合肥工业大学
合肥工业大学

无铅压电陶瓷的软化学制备工艺和电性能研究

压电陶瓷的研究和开发是当前材料领域的研究热点之一。但目前应用的Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铅基无铅压电陶瓷严重影响人类健康并对生态环境造成极大的损害,因此制备具有优异性能的无铅压电陶瓷显得非常迫切。无铅压电陶瓷通常由固相法制备,但由于固相反应的固有缺点,越来越难以满足苛刻的应用要求。软化学合成方法作为一种新型的粉体合成技术,具有准确的化学配料比、高度的化学均匀性以及低的成相温度等优点,能起到降低烧结温度、增加致密化程度、提高电学性能等作用。因此,研究稳定的无铅压电陶瓷的软化学法合成工艺具有重要意义。本文采用柠檬酸盐法合成和制备了钙钛矿结构的BNT基和NKN基无铅压电陶瓷,探讨了钙钛矿相陶瓷粉体的形成机理,系统地研究了粉体的合成工艺条件及陶瓷的结构和电性能。一方面,采用柠檬酸盐法合成了BNT-BT6及Nb5+掺杂的BNT-BT6陶瓷材料,研究了粉体的合成工艺、烧结特性和Nb5+掺杂对BNT-BT6陶瓷结构和电学性能的影响。实验...  (本文共76页) 本文目录 | 阅读全文>>

天津大学
天津大学

SBT-NBT陶瓷材料压电性能的研究

铋层状压电陶瓷具有高居里温度、低介电常数、低损耗和较低的频率温度系数等优点,能够应用在高温、高频领域。Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)和SrBi_4Ti_4O_(15)是两种性能比较优异的铋层状结构材料,然而,到目前为止,尚无有关两者大比例掺杂取代的研究报道。本文采用传统固相法制备了(1-x)SrBi_4Ti_4O_(15-x)Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)(SNBT)陶瓷,并且在合成温度,烧结温度,Bi添加量以及极化制度等工艺上进行了探索改进。通过物相分析,SEM表面形貌分析以及压电介电性能测试等对Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)的影响进行了详细的研究。实验结果表明:随着Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)含量的增加,居里温度缓慢提高,最佳性能在x=0.1处获得,此时烧结温度为1000°C,d33=20pC/N,tan=0.28%,TC=575°C。...  (本文共77页) 本文目录 | 阅读全文>>

广东工业大学
广东工业大学

低温烧结制备PZT压电陶瓷及其性能研究

压电陶瓷材料是一种能够将机械能和电能相互转换的功能陶瓷,在谐振器、传感器、超声换能器、驱动器、滤波器、电子点火器等方面有着广泛的应用。PZT压电陶瓷因其具有良好的介电和压电性能,一直以来都占据着压电陶瓷领域的主导地位。但是传统的固相烧结法的烧结温度高,造成氧化铅的大量挥发,从而引起化学计量比的偏离,性能的下降,环境的污染。在提倡低碳环保的今天,通过低温烧结技术来降低氧化铅的挥发显得越来越重要和必要。通过选取组成处于准同型相界(MPB)附近的PbZr0.52Ti0.48O3作为研究对象,结合传统固相烧结法制备PZT压电陶瓷的优缺点,改变传统的氧化物原料,提出两种低温制备PZT压电陶瓷的新方法。重点研究了以乙酸铅、偏钛酸、碳酸锆和草酸为原料的低温制备新工艺,讨论研磨时间、Zr/Ti比、预烧温度和终烧温度四个因素对本工艺的影响。通过分析TG-DTA、XRD、SEM和样品的电性能,确定较佳的工艺条件是在Zr/Ti=0.40/0.60下,...  (本文共64页) 本文目录 | 阅读全文>>