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Ta_2O_5介质膜和Ta_2O_5-SiO双层介质膜绝缘特性的实验研究

引言 在薄膜敏感元件和传感器中往往需要用介质膜作为敏感薄膜材料或引线电极的绝缘层。为了提高敏感元器件的灵敏度,有时又往往要求介质膜在保证绝缘的前提下尽可能减小其厚度。但是在介质膜上沉积引线电极时,由于绝大部份常规工艺制造的薄膜具有各种缺陷和空洞,金属原子会渗透入介质膜的空洞和缺陷中,使介质膜的绝缘性能下降,甚至遭到彻底破坏。为了保证介质膜的绝缘性,可以采用增加介质膜厚度的方法,但这往往会使器件的特性变差;采用双层介质膜,由于两层不同材料的介质膜的空洞或缺陷连续贯通的几率大大减小,从而提高了这种复合介质膜的绝缘性。在薄膜多功能传感器和薄膜压力传感器的研制过程中,对Ta20。介质膜及Ta夕。一510双层介质膜的绝缘特性进行了一些研究,证实了采用双层介质膜,其绝缘性能显著优于单层介质膜。1试样制备 我们制备的试样,其结构示意图如图1夕电极介刃‘膜┌──────┐│{、、“、月 │└──────┘镀膜机上用电阻式蒸发的方式制备,510蒸...  (本文共3页) 阅读全文>>

《云南师范大学学报(自然科学版)》1987年04期
云南师范大学学报(自然科学版)

多层介质膜透射和反射因子理论计算的一种简化

木文由单层介质膜入手,主要阐明用薄膜的特征矩阵如何简洁地描述多层介质膜的光学性质,并由此对多层介质膜的透射因子和反射内子进行简化计算,最后川计算结果指明镀增透膜和反射膜应注意的结构要求。愧一、单层介质膜为了便于讨论,我们先说明单层介质膜的矩阵描述及其光学特性。.r菠, 图一表示一折射率为n厚度为d的透明介质膜。它附着在折射率为n.的玻璃光学元件上。在大量的光学仪器中光都是由真空或空气(n。=1)垂直入射到光学元件上,而且光学元件的厚度远大于薄膜厚度d。现在我们就在这些条件下逐步讨论如下: (1)单层介质膜的特征矩阵 设一单色平面波垂直入射于介质膜上,在膜内必然存在着沿。z方向传播的和沿相反方向传播的两个波。如果用A、B分别表示膜内这两个波的振幅,则在膜内的场可表示为 么l嗽 .U一、E,一Ae一ikcnz+价ikon:iko nZ一Beikonz}(1为入射波在真空中的彼长,而q一丫三对于透明齐质辰声惬在表面s:和s,处应有、L...  (本文共8页) 阅读全文>>

《物理学报》1988年05期
物理学报

非对称型Kerr类介质膜漏波导中的非线性导波

自从Kaplan发表了光波在光学线性和非线性介质界面上的反射与折射特性以来口一’极大地刺激了非线性介质表面上光传导特性的研究.目前,光波在多层非线性介质和介质膜波导中的传播特性已经成为集成光学领域中的重要研究课题. 根据光学线性与非线性介质的交界组合,目前理论上研究的非线性介质波导主要分成两类.一类是由一层线性介质膜与两个半无限大的非线性介质交界组成;另一类是由一层非线性介质膜与两个半无限大线性介质交界组成. 对前一类非线性介质呈光学Kerr效应的薄膜波导的理论研究已取得很大进展,得到了这类波导的色散关系,传播功率和导模能量分布等∞一’,揭示了阈值特性和非共振光学滞后效应,显示了这类波导用作光学限制器件、双稳开关器件以及高低功率阈值器件等的广阔前景。’.但是对后一类介质膜波导的研究至今文章很少陆-剐.文献[6]把膜层中传播模表示成.Jacobi椭圆函数的模数的隐函数,得到了传播模的波数与传播功率的关系.最近,Boa rdman等...  (本文共9页) 阅读全文>>

《真空》1988年01期
真空

使用备有电阻加热源的活化反应蒸发法制备介质膜

本文报导了一种利用活化反应蒸发(ARE)法淀积介质膜层的简单方法。这种方法把加热钨丝作为一种电子发射体使用,而不像较早报导的方法需要稳定等离子体的磁场。在涂敷过程中的反应气压为5×10-4托。最后还介绍了利用这种装置以每秒约为50A的速率淀积的Bi2O3膜层的X射线衍射圈和光学透射谱。 许多金属在氧气/氮气气氛中用反应蒸发法不容易形成其氧化物/氨化物相,这是因为在化学反应中形成氧化物/氮化物相需要较高的活化能量(1-3eV)。通常的反应蒸发法存在的另一个问题是淀积速率低。为了克服这些困难,开展了一种活化反应蒸发的技术[1]。所需的金属在有反应气体条件下用电子枪蒸发得到。一种电小极加偏压100~200V,并放置在电子枪和基片之间,它对来自电子枪的电子进行加速。加速的电子与反应气体互相碰撞,将反应气体电离成等离子体。由于这种原因,化学反应率增加很多,并且已经证明几种氧化物、氮化物等具有很高的淀积率”’。应注意这种方法需要一种电子枪淀...  (本文共2页) 阅读全文>>

权威出处: 《真空》1988年01期
《中国科学技术大学学报》1988年04期
中国科学技术大学学报

热氮化SiO_2膜的抗氧化机理的AES研究

1引官 VLSI(very lar‘。:sCale Intcgration)性能的不断改善,元件尺寸的逐步减少,要求介质膜在超薄(一100入)白勺情况下具有优良的性能.热生长的510:膜,在厚度小于250人时,因其缺陷密度较大,对某些杂质掩蔽能力变弱,致使超薄510:膜不能满足超大规模集成电路发展的需要.然而,通过Si或510:膜的热氮化则可得到高质量的超薄介质膜.这样,不仅能克服超薄热生长5102膜的主要缺点,也避免了在Si:N一510:结构(女丁1 MNOS器件)中的介质界面陷阱效应〔‘1,]. 在热氮化510:膜的各种性能中,抗氧化性是人们很感兴趣的一个课题.M盯arka等认为,整个氮化的510:膜起了一个势垒作用,阻挡了氧的扩散〔’〕.为了进一步讨论氮在抗氧化过程中所起的作用,我们分析了轻度氮化的510:膜的抗氧化性。通过检测轻度氮化的510:膜在抗氧化过程中组分深度分布的变化,我们认为,在510:界面处的少量氮对形成扩...  (本文共4页) 阅读全文>>

《半导体技术》1989年05期
半导体技术

采用双层介质膜和两次源漏区注入的高压CMOS模拟开关

一、引 言 在电活交换设备中,广泛使用着各种各样 -的继电器。这些继电器,特别是一些小型继电 器,由于接点之间的压力难于调整,它们的可吧靠性较差,接点似接非接,呈现出很大的接触 电阻,对信号衰减很大。其次继电器开关动作 时的噪声很大。为了解决这一问题,国内外都 在开始研究用电子开关来代替继电器。为了替 代继电器,电子开关必须满足以下条件: (1)双向传输信号I (2)信号通过开关时其衰减低于0.3dBo 对于电话线中的600 Q负载,导通电阻要低于 20 Q; (、3)耐压高。根据不同的使用要求,耐、压达到60伏或350伏以上】 (4)信号通过开关时失真要低于1灿 (5)开关之间的相互串扰要低于一90dB3 (6)动态范围要宽。开关在传输信号电 平从一40dBV到3.sdBV时,对信号的损耗应 保持一致; (7)作为理想开关,关断时的电阻为无 限大,而电子开关,其通阻比应该大于阻为、衬底之间的击穿电压I(4)栅与源和漏之问 。。...  (本文共4页) 阅读全文>>