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物质的蒸汽压

热物理学一直是物理学的非常重要的分支。随着1869年临界点的发现,显示出了理想气体模型的局限。为解释这一重要物理现象,理论物理学家van der’Waals于1873年提出了vandel·Waals模型,这标志了平均场理论的首次引入。然而,随着实验技术的提高,发现了平均场理论给出的临界指数与实验结果相矛盾。随后引入了与实验一致的普适性与标度假定这两个突破了平均场理论框架的物理概念。这导致了理论物理学家Wilson于1972年提出了临界重整化群理论。目前,基于I临界重整化群理论用简单普适的物理数学方法跨接描述流体的经典热力规律与奇异性物理规律,已为国际热物理界所关注。作者在读博士学位期间,于国内208中国科学基金率先开展了此学术方向的较为系统的研究,在对蒸汽压的研究上已取得了突破性进展。本文将介绍所取得的结果。 蒸汽压是物质非常重要的物理化学性质之一,它描述了压力与温度在汽液共存曲线上的物理规律。蒸汽压方程对状态方程的确定,一阶和...  (本文共3页) 阅读全文>>

青岛科技大学
青岛科技大学

立方型状态方程温度函数改进研究

立方型状态方程适用于中等至高压体系纯组分和流体混合物的热力学性质的预测,在化工模拟和设计中有着非常重要的作用。立方型状态方程引力项的温度函数影响蒸汽压等热力学性质的预测精度。本文以PR立方型状态方程(Eo S)为基础,评价了适用于PR Eo S的多项式和指数温度函数,提出新的多项式和指数温度函数,研究了温度函数普遍化方法。用11类70种物质的4400个蒸汽压数据评价了多项式温度函数,其中三参数和四参数的Mathias-Copeman(1983)、Androulakis-Kalospiros-Tassions(1989)和Schwartzentruber-Renon-Watanasiri(1990)温度函数对蒸汽压的预测结果准确,平均相对偏差小于0.34%,两参数的Stryjek-Vera(1986)等温度函数对蒸汽压的预测结果偏差较大,介于0.5%~0.8%之间。为了提高低对比温度区域蒸汽压的预测结果,提出满足温度函数一致性检验...  (本文共272页) 本文目录 | 阅读全文>>

《广州化工》2017年20期
广州化工

四参数方程关联纯物质的蒸汽压

精确的蒸汽压数据对工艺设备的设计非常重要,特别是在制冷和精馏领域中。如炼油厂在处理石油和天然气操作中,需要蒸汽压数据对相平衡进行预估。由于在出版文献中大多数蒸汽压实验数据只列出有限范围,为使蒸汽压数据在更广的范围内得到准确预测,一些研究者用不同的蒸汽压的相关性估计状态[1-4]方程参数。有不少经过实验验证的饱和蒸汽压方程已经发表,最著名的是Clausius-Clapeyron方程,绝大部分蒸汽压方程是从该式推导得出的。最常见的是Antoine方程,该方程由三个参数构成,但只在有限的温度范围内是有效的。在此,我们提出了一种基于汽液平衡数据一个新的简单模型,能较准确地体现了大范围的汽液共存区的蒸汽压的数据。蒸气压数据的来源是NISTChemistry Web Book[5]。1蒸汽压力预测模型大多数蒸汽压方程式都是根据Clausius-Clapeyron方程推导出来的,该方程可表示为:dpsd T=ΔHVTΔVV=ΔHV(RT2/p...  (本文共3页) 阅读全文>>

《医药农药工业设计》1974年01期
医药农药工业设计

蒸汽压

(习由相似物质蒸汽压推算法由一种性质相似物质的蒸汽压推算其蒸汽压采用下式龙。己尸A=二八一舟必。g尸:一i一CJ‘刀式中:万人,三6; 毫米来柱人,另两种性质相似化合物在同一温度下蒸汽压气,几:如弓两种化合物的蒸发潜热卡/克分子 (在缺乏数据时可取常压沸点的蒸发潜热) 一63一采用上述公式时,需先求出c值,一殷物化手册中常压下沸一点和蒸发潜热是容易查到的,通过一个与人化合物相似的常见物质习作为参考物质,其蒸汽压与温度关系是容易从手册中查‘到的,利用上述关系式可求得A物质在一指定温度下蒸汽压。例:求甲醉在10’C时蒸汽压,取共相似化合物乙薛作为参考物质。 甲醇常压沸点及蒸发潜热由一般手册查得为沸点6小。7℃ 蒸发潜热;一讼G之.’‘8卡/充二26 2..8x3:二.840。卡/充分子 乙醇常压沸点蒸发潜热=·20 4 .3卡/充一“艺。4·3‘46 =94。。卡/充分子 乙醇在64.7℃时蒸汽压二0.59公斤/厘米之二434毫米汞...  (本文共3页) 阅读全文>>

江南大学
江南大学

高纯铝烷的合成、性能及应用研究

随着集成电路的微型化,芯片尺寸的不断缩小及功能的提升成为半导体制造技术的关键。在微芯片的加工中,铝薄膜包括铝金属膜、合金、氧化膜等均因其优良的性能而受到广泛的关注与应用。然而,沉积铝薄膜的传统铝前驱体存在不稳定、对空气水分极其敏感、易燃易爆等缺点,这在一定程度上限制了其在集成电路领域的应用。因此,设计合成高纯的、新型的铝配合物作为铝前驱体通过原子层沉积技术沉积性能优良的铝薄膜,进而应用到集成电路的微芯片中是非常有意义的。本文合成并提纯了三种传统铝烷,分别为三甲胺铝烷TMAA,二甲基乙胺铝烷DMEAA,二甲基氢化铝DMAH,通过探索方法、路线,使其杂质金属离子的含量降低至ppb级的纯度。本文将氨基吡啶衍生物与三甲胺铝烷在氮气条件下反应,得到了一系列新型的铝配合物,对其进行熔点、红外、核磁氢谱、碳谱、铝谱以及单晶衍射等表征,最终确定结构为三个氨基吡啶配体与一个铝原子中心相连的扭曲的八面体结构,其中铝原子为六配位的形式。通过对产物热化...  (本文共109页) 本文目录 | 阅读全文>>

辽宁工业大学
辽宁工业大学

碲的真空蒸馏—区域熔炼提纯的研究

碲是现代高科技工业、国防及尖端技术领域等所需高新材料的支撑材料,被称为“现代工业、国防与尖端技术的维生素”。碲的纯度是直接影响其应用的重要因素。制备高纯碲的方法有化学提纯和物理提纯两种。化学提纯法由于容器与原料碲中杂质的污染,使得到的碲纯度受到一定的限制,只有用化学方法将碲提纯到一定纯度之后,再用物理方法提纯,才能将金属材料碲的纯度提到一个新的高度。本文设计并组装了塔式真空蒸馏碲提纯炉和真空管式碲区域熔炼提纯炉,进行了碲的真空蒸馏-区域熔炼提纯的实验研究。本文主要研究了碲的真空蒸馏提纯工艺和区域熔炼提纯工艺及相关的影响因素对碲纯度的影响。研究表明,碲及其中杂质元素的饱和蒸汽压随着温度的升高而增大;当蒸馏温度为550℃时,由于饱和蒸汽压远低于Te的饱和蒸汽压,故Cu、Al、Fe、Si、Pb、Bi会较多的残留在液相中;Mg的饱和蒸汽压略低于Te的饱和蒸汽压,因此会有较多的Mg挥发进入气相;Na、As、Se的饱和蒸汽压比碲的饱和蒸汽压...  (本文共59页) 本文目录 | 阅读全文>>