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电化学C-V法测量亚微米GaAs外延层的参数

一、引言 用电化学法研究和测量GaAs外延层的质量已获得一定的成功〔1,2,3〕。为配合我所GaAs外延研究,我们采用I一V和C一V法探讨了GaAs外延层的阳极行为和测定了GaAs材料的某些参数。此外对单层和多层结构中亚微米级有源层和过渡区也进行了观察和讨论。电位是对饱和甘汞电极(S.C.E)而言的。KOH电解液从容器经过电解槽流出后不再回用,流速约为1.2毫升/分。样品光照由15瓦石英卤钨灯经光导管引入,并用不同厚度的中性滤光片控制所需的光照强度。在测量过程中为避免杂散光的影响,整个电解槽作了适当的光屏蔽。 二、实验方法 (一)电解槽结构 本工作的电解槽结构如图1所示。GaAs样品被支持在聚氯乙烯的环形架上,背面用涂锡的铜探针压紧,使样品与流动的KOH水溶液保持恒定面积接触,接触面积为2.8x10一“厘米“。石墨阴极和涂锡探针构成阳极溶解回路。接近表面的Pt丝和涂锡探针组成电容测量的两个电极。n型GaAs阳极溶解 图1电化学电...  (本文共6页) 阅读全文>>

《半导体学报》1983年05期
半导体学报

硅外延层错退火的研究

在硅外延层中常常出现堆垛层错,它的存在对半导体器件的性能产生不良影响,因此研究外延层中层错的退火消除现象具有一定的实际意义.本文报道通过重复腐蚀的蚀象,研究(11玲和晶向外延层中堆垛层错消除的实例.又64。图551外延层中退火后留下的层错中心暗场像透射电子显微镜照片 g二[02乏],B二[1 11]硅外延层错退火的研究@蔡田海$中国科学院半导体研究所本文...  (本文共4页) 阅读全文>>

《半导体情报》1978年03期
半导体情报

砷化镓场效应晶体管掺铁外延层的生长

砷比稼微波器件的最新发展要求一个高质量的外延层以改进器件的性能。对于平面器件如FET和耿效应逻辑器件,采用了生长在掺铬的半绝缘衬底上的n型外延层。以前已报导过〔‘一3〕,外延层与衬底界面附近的外延层的电特性是反常的。在衬底与外延层之lb1嵌入一个缓冲层成功地改进了器件的性能〔4一8〕。因此,缓冲层生长技术是采用不掺杂的高纯层〔4一5〕,或者用氯化铬进行掺铬的高电阻率层。 这些技术要求严格地控制生产条件,以便获得高电阻率和一个好的外延层表面。对实际应用来说,希望有一个简单的缓冲层生长方法。己报导过可由掺铁得到具有高电阻率(104一10”欧姆·厘米)的外延层,并估算出深能级铁的激活能约为0.5电子伏c1。一12〕。这就指出了用掺铁层做缓冲层的可能性,但是它从来未被实现。因此,研究这个可能性是很有意义的。 缓冲层和有源层必须要能够不间断的生长,以前报导的掺铁方法〔10〕不适宜于生长缓冲层。我们研究了一种连续生长高电阻率缓冲层和有源层的...  (本文共9页) 阅读全文>>

《激光与红外》1980年10期
激光与红外

液相生长碲镉汞外延层

采用改进的液相外延浸渍技术,在Te溶液中生长出Cd组分(二值)为0.17一o·4的HgCdTe外延层,系统中未加汞长出了纯CdTe外延层,这样就首次制成了背面照射HgCdTe/CdTe异质结构的二极管。而这种外延层是在CdTe衬底上生长的,Cd取向为(100)、(110)和(112),Te的取向为(121),最佳的表面是由取向为(110)Cd得到的。 其生长装置如图1所示,它主要是由内、外两个石英管组成,后者装在两个不锈钢凸缘之间,以保持高的赢气压。生长时,管内压力维持在200一300磅/英寸“。在生长过程中未测定汞蒸汽压,但已经证实,在高的外部压力下,生长重复性20%的HgcdTe,它并不是一个严格的参数。外石英管装在控温到士0.05“C的立式炉中。其内插有温差电偶,以监控熔料的实际温度。内石英管插入时带有高纯石英棉,防止从熔料中蒸发过度汞,石英棉下面为一冷区,使汞蒸汽淀积下来。小锈润棒\、\’A:戒伟气体小镜调凸旅汤关管声莱...  (本文共1页) 阅读全文>>

《厦门大学学报(自然科学版)》1981年03期
厦门大学学报(自然科学版)

GaP:N外延层特性的研究

一、引盲 掺氮磷化稼晶体是用于生产发绿光器件的一种重要材料。近年来,对提高发光效率的研究,除了控制等电子陷阱—氮发光中心的最佳浓度外,还致力于降低外延材料中的深能级杂质浓度,以减弱无幅射复合过程。文献f月指出,材料质量的改进较之器件1设计的改进有更大的潜力,外延材料质量的改善可使发光器件效率提高一个数量级。而GaP:N液相外延层特性的研究,将为改善其质量提供依据。 外延层特性包括外延层形貌、生长速率、位错密度、S坑密度、氮浓度、少子寿命等,尤其后两者为决定材料发光效率的重要参数。但这些特性和外延生长条件的关系均未见详细报导.,a]。二、实验方,法 工,液相外延装置 CaP:N液相外延生长是在流动氢气中,于水平滑板式石墨舟内进行的;衬底单品与母液的接触和脱离信助丁石英推杆移动衬底滑板来实现。装置如图l所示。外延沪温度由温度扎制器的I,ID调整莎;给功率加以拄制。装六石英推段千套里的热电偶末端恰好第3期GaP:N外延层特性的研究31...  (本文共8页) 阅读全文>>

《杭州大学学报(自然科学版)》1994年01期
杭州大学学报(自然科学版)

外延层质量与恒流器体特性关系的研究

目前国内外普遍采用水平沟道结构制造CRD(CurrentRegulatorDiod6)‘’“”,即在P型硅衬底上,外延生长3~spin,电阻率为1~Zn·cm的一个n型薄层,然后硼扩散在外延层上制作顶栅,底栅结是由n型外延层和户型衬底构成,参图1.为了_。_减小导通电阻,在顶栅扩散后光刻AL-Itpl“。源、漏接触窗口,通过浓磷扩散形IA问以分谷中V一DoV凸业一博哗中一一问e。”区最后制作欧姆接触电极.工艺*j——-un中关键是外延层生长和顶栅户一,。(’。一。i(’结制备.WM根据Shockley渐变沟道模t型”’,恒流二极管主要参数输出电图ICRD管芯剖面图流I。由下式决定:。*Aq‘讥。‘/JK;卜。厂hiV“一I。一二弓工二子二11一引==---7+27====7====7(l)“”3SSE。L厂“IV。+厂。;J“IV。+V。;)J其中V。为栅P—n结自建电势差罗八为迁移率人。为沟道中施主杂质浓度,Ss为半导体电容率...  (本文共2页) 阅读全文>>