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日本合成微磁性半导体材料

一家名叫阿尔巴克公司的日本小企业日前宣布 ,它在世界上首先合成了微磁性半导体。这种材料能够制造多种半导体元  (本文共1页) 阅读全文>>

《有色金属工业》2001年10期
有色金属工业

日本—企业合成微磁性半导体材料

一家名叫阿尔巴克公司的日本小企业日前宣布,它在世界上首先合成了微磁性半导体,这种材料能够制造多种半导体元器件。 据这家公司在第...  (本文共1页) 阅读全文>>

《煤矿机电》1989年05期
煤矿机电

双向热敏磁半导体及其应用

磁性氧化物材料有良好的磁特性,它与像铕和尖晶石这类普通磁性半导体混合物比较,具有负温系统和低于室温的居里点。标准的热敏磁半导...  (本文共5页) 阅读全文>>

复旦大学
复旦大学

分子束外延生长Er_2O_3高k栅介质材料的物理特性研究及硅基磁性半导体材料的制备

分子束外延(Molecular beam epitaxy, MBE)是一种在超高真空条件下,使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜的技术。由于它能对薄膜生长进行精确的控制,并且是一种远离平衡态的生长技术,因而它具有许多独特的技术优势。我们使用分子束外延的技术,进行了外延氧化铒(Er_2O_3)高k材料和硅(Si)基磁性半导体薄膜的生长。稀土氧化物具有介电常数高、禁带宽度大,相对硅的能带偏移大的优点,外延生长的Er_2O_3薄膜,可能是一种很有应用前景的栅介质。我们在不同的氧气压及不同的衬底温度下,用在真空中蒸发金属铒源和通入流量可控的低压氧气来生长Er_2O_3薄膜。在氧气压为7×10~(-6)Torr,衬底温度为700℃的条件下,我们在Si(001)和Si(111)衬底上分别获得了单一取向、结晶状况良好的外延Er_2O_3薄膜。Er_2O_3薄膜在Si(001)衬底上的外延关系为Er_2O_3(110)∥Si(0...  (本文共101页) 本文目录 | 阅读全文>>

山东大学
山东大学

氧化物铁磁性半导体的电子结构和磁性研究

自旋电子学是当今凝聚态物理研究中的热点领域,其欲将电子的电荷和自旋两个自由度作为信息的载体,通过材料的带隙和自旋子带的劈裂对电子电荷和自旋的物理行为进行调控,进而实现信息的传输、处理和存储。这是未来信息技术的发展方向之一,因此该领域的关键材料——铁磁性半导体的研究,引起各界广泛关注。传统的制备铁磁性半导体的方法是:掺杂过渡金属离子进入半导体的晶格,通过过渡金属离子间的铁磁耦合作用使半导体材料具有铁磁性,并保留重要的带隙。寻求具有高居里温度的磁性半导体是自旋电子学的研究重点之一。掺杂最常见的半导体材料Si与Ge很难实现高居里点的铁磁性,这是由于材料中离子可掺杂浓度的阈值很低,过渡金属离子间距离太大而不足以产生长称铁磁耦合作用;此外,近邻的掺杂离子间也有可能形成反铁磁耦合作用。因此,实验上Si与Ge基磁性半导体的研究一直没有重大进展。氧化物半导体作为母体材料则有很大优势:首先,过渡金属离子半径与氧化物半导体阳离子的半径相近,因此有可...  (本文共89页) 本文目录 | 阅读全文>>

南昌大学
南昌大学

Ⅰ-Ⅱ_2-Ⅲ-Ⅵ_4族多元硫化物磁性半导体的制备及其性能研究

磁性半导体因其兼具电子电荷和电子自旋两种特性而受到广泛的关注,但磁性半导体较低的居里温度一直制约着此类材料的发展。因此研制出具有高居里温度的磁性半导体仍然是发展重点。多元硫族化合物因其组成和结构的多样性和灵活性逐渐进入人们的视野,经过多年的研究,也取得了很大的发展。但目前制备出来主要集中在有序体系,无序型体系的研究还相当有限,主要集中在I-III-VI_2,I_2-IV-VI_3,I_2-II-IV-VI_4族化合物。最近,有课题组成功制备出无序相纤锌矿型结构I-II_2-III-IV_4族化合物。这说明该类无序相类金刚石型硫属化合物还有着极大的发展可能性。因此,本文采用热注入法,制备I-II_2-III-IV_4族化合物,并对其相关性能进行研究,进一步丰富了该体系的内容。研究内容主要包括:(1)以油酸为配位剂,十二硫醇为硫源,自制乙酰丙酮盐为前驱,利用热注入法制备六方纤锌矿型CuNi_2InS_4,通过表征分析,结果显示,实验...  (本文共70页) 本文目录 | 阅读全文>>

《材料导报》2017年17期
材料导报

非磁性半导体磁阻效应物理模型研究

非磁性半导体的磁阻效应一直以来受到了科研工作者的广泛关注,具有重大的研究意义和价值,在磁性传感器、高密度存储等方面有着潜在应用前景。...  (本文共6页) 阅读全文>>