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CaF_2助剂放电等离子烧结透明AlN陶瓷的微观结构和光学性能

采用放电等离子烧结技术,添加质量分数为3%的CaF2作为烧结助剂,制备了透明氮化铝(AlN)陶瓷。样品在烧结温度1 800℃,30 MPa压力下保温15 min,达到了99.5%的相对密度和52.7%的最大透过率。SEM、XRD、TEM和EDX结果表  (本文共5页) 阅读全文>>

《材料导报》2010年S1期
材料导报

AlN基稀磁半导体的研究进展

主要介绍了AlN基稀磁半导体(DMS)的研究进展,包括其发展过程...  (本文共4页) 阅读全文>>

《材料导报》2009年17期
材料导报

AlN陶瓷基板材料热导率与烧结助剂的研究进展

AlN陶瓷因具有高热导率、低介电常数、与硅相匹配的热膨胀系数等优异性能,被认为是替代Al2O3和BeO陶瓷的理想基板材料。主要...  (本文共7页) 阅读全文>>

《硬质合金》1999年01期
硬质合金

碳热还原法合成AlN粉(工艺)研究

通过对碳热还原法合成AlN粉的研究,揭示反应温度、反应时间、...  (本文共3页) 阅读全文>>

《中国激光》1991年05期
中国激光

具有AlN膜的半导体激光器的实验研究

本文报道使用溅射AlN膜做半导体激光器端面反射膜和表面纯...  (本文共4页) 阅读全文>>

《山东建材学院学报》1989年02期
山东建材学院学报

用还原法合成氮化铝(ALN)粉末

本文从合成温度和保温时间讨论了对合成氮化铝(AlN)质量的影响,研究了由不同方法得到的Al_2O_3原料对合成AlN质量的影响.经x-射线衍射分析和电镜观察,结果...  (本文共5页) 阅读全文>>