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薄硅外延片的生长及高频肖特基二极管的研制

肖特基势垒二极管是利用金属半导体的整流接触特性而制成的二极管。与P-N结相比,它是一种多子器件,具有正向导通电压低,使用频率高等特点。这使得肖特基二极管在微波领域有着广泛的应用。但长期以来,由于薄硅外延生长技术的限制,无法生长出优质的厚度小于2μm的薄硅外延层,使硅肖特基二极管的串联电阻无法降的更低,限制了其截止频率的提高。现在,我们浙江大学硅材料国家重点实验室利用UHV/CVD技术,生长出亚微米厚的薄硅外延层,在此外延层上研制出高频肖特基二极管原型器件。本文的主要工作如下:1.首先,从理论上分析出高频肖特基二极管对材料的外延层厚度掺杂浓度的要求,以及其它的器件结构参数要求,以此为依据,设计出最佳的器件参数。2.然后,根据器件的要求,利用UHV/CVD技术,生长出优质薄硅外延片,其厚度在0.4μm~1μm,掺杂浓度可任意调节,晶体质量良好。3.最后,利用所生长的薄硅外延片,探索出其它一系列相关的高频肖特基二极管的制作工艺,包括氧  (本文共70页) 本文目录 | 阅读全文>>

浙江大学
浙江大学

肖特基二极管相关材料生长及器件研究

肖特基二极管是利用金属与半导体之间接触势垒进行工作的一种多数载流子器件,与普通的PN结二极管相比,它具有正向导通电压低,响应速度快等优良特性。肖特基二极管在高频整流、开关电路和保护电路中作为整流和续流元件,可以大幅度降低功耗,提高电路效率和使用频率,减少电路噪声。随着电力电子技术的蓬勃发展,肖特基二极管的高频、低功耗等优良性能将为其赢得广阔的发展前景。串连电阻是制约肖特基二极管响应速度的一个关键因素。与体材料制作肖特基二极管不同,本文以降低器件的串连电阻为目的,采用半导体薄膜材料作有源层。利用我们自行研制的超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)技术外延了亚微米级的Si薄膜,成功的制作了具有整流特性的高频薄硅肖特基二极管的原型器件。此后又对用新型材料作SBD作了有益的尝试,首次研制了ZnO薄膜肖特基二极管的原型器件,这标志着我们从半导体材料的生长向半导体器件的研制迈出了重要的一步。本文的具体工作可归纳为:1)薄硅外延片研制高频肖特...  (本文共73页) 本文目录 | 阅读全文>>

《红外与激光工程》2017年01期
红外与激光工程

高效170GHz平衡式肖特基二极管倍频器

太赫兹源的输出功率是限制太赫兹技术远距离应用的重要参数。为了实现高效的太赫兹倍频器,基于高频特性下肖特基二极管的有源区电气模型建模方法,利用指标参数不同的两种肖特基二极管,研制出了两种170 GHz平衡式倍频器。所采用的肖特基二极管有源结区模型完善地考虑了二极管IV特...  (本文共8页) 阅读全文>>

《微波学报》2016年S2期
微波学报

肖特基二极管太赫兹检波器研究

基于中国科学院微电子研究所自主研发的In P基肖特基二极管,利用3D电磁仿真软件和电路仿真软件完成了500~750GHz检波模块的仿...  (本文共4页) 阅读全文>>

《太赫兹科学与电子信息学报》2015年04期
太赫兹科学与电子信息学报

平面肖特基二极管的制作

为研究制作THz频段下工作的肖特基二极管器件,系统研究了平面肖特基二极管的制作工艺。通过分子束外延(MBE)生长了掺杂浓度分别为5×1018 cm-3的缓冲层和2×1017 cm-3的外延层,并研究温度对厚度的影响,使得膜层厚度控制良好,晶格完整。通过参数控制...  (本文共6页) 阅读全文>>

《现代显示》2012年02期
现代显示

科锐推出封装型1,700V碳化硅肖特基二极管

科锐公司日前宣布推出全新系列封装型二极管,在现有碳化硅肖特基二极管技术条件下,该系列二极管可提...  (本文共1页) 阅读全文>>