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X波段五位数字单片移相器研制

单片微波集成电路(MMIC)是将有源元件和无源元件都集成在同一个半导体衬底上的微波电路;具有尺寸小、重量轻、可靠性高、生产重复性好等优点,广泛应用于各种微波系统,特别是机载雷达和卫星通信等方面。移相器是相控阵雷达发射/接收(T/R)组件的重要组成部分,用来控制雷达波束的无惯性电扫描。随着MMIC技术的迅速发展,T/R模块已由单片电路形式替代过去的混合电路形式。由于相控阵雷达在军事领域的重要地位,美国、日本、西欧等西方发达国家在T/R模块单片电路技术发展方面投入了大量的人力、物力,展开了激烈的竞争;并对我国实行严格的技术封锁和产品禁运,特别是对T/R模块用系列MMIC电路实行更严格的产品控制。我国虽然在“八五”、“九五”期间,在MMIC研制开发方面投入了一定的力量,进行了各类MMIC的研制,也开展过单片移相器电路的研究工作,但在性能指标方面尚不能满足应用需要。因此,开展移相器原理理论、MMIC工艺技术的研究,研制MMIC移相器,具  (本文共61页) 本文目录 | 阅读全文>>

《Journal of Semiconductors》2018年12期
Journal of Semiconductors

Static performance model of GaN MESFET based on the interface state

This paper presents a new model to study the static performances of a GaN metal epitaxial-semiconductor field effect transistor(MESFET) based on the metal-semiconductor interface state of the Schottky junction.The I-V performances of MESFET under different channel lengths and different operating systems(pinch-off or no...  (本文共6页) 阅读全文>>

《测试技术学报》2010年05期
测试技术学报

基于MESFET的GaAs基微加速度计的设计与性能测试

利用金属-半导体结型场效应晶体管(MESFET)作为微加速度计的敏感单元,设计一种4梁-质量块微加速度计结构.通过ANSYS分析软件进行仿真,敏感单位放置于悬臂梁根部的应力最大处,以...  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体技术》1980年50期
半导体技术

GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展

报道了n型GaAs上欧姆接触的制备及其可靠性,以及基于欧姆接触退化的GaAsMES-FET的失效分析。结果表明,...  (本文共8页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》1998年02期
固体电子学研究与进展

L波段50W GaAs MESFET

据日本《NEC技报》1997年第3期报道,NEC公司化合物器件事业部最近新开发了L波段的50W大功率GaAsMESFET...  (本文共1页) 阅读全文>>

《Journal of Shanghai University》1980年30期
Journal of Shanghai University

Study of a GaAs MESFET Model with Ultra-Low Power Consumption

1IntroductionActivedevicesplayanimportantroleinmono...  (本文共5页) 阅读全文>>