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基于CMOS工艺的高压MOSFET的研究

数模混合电路的设计日益受到重视。所以如何利用流行的CMOS工艺制造出高压器件并与原有低压电路相兼容已经成为摆在很多研究者面前的一个课题。开发“与CMOS低压电路集成的18V和30V高压MOSFET”是摩托罗拉公司的最新研究项目,主要是为手机中的LCD Driver电路而设计的。本文是对高压MOSFET设计的理论性研究和实践性工作的总结。具体内容主要包括以下几个方面:用工艺和器件模拟软件“ISE”中的模拟程序“DIOS”和“DESSIS”对具有不同场板结构的高压MOSFET进行了工艺模拟和器件模拟。模拟結果说明了对于耐压为18~30V的MOS器件,其击穿点位于栅下靠近表面的漏衬结处。该处电场最强,碰撞电离率最高。模拟结果同时还说明了场板结构可以有效的降低栅下的电场强度,减低碰撞电离率,从而提高该处的击穿电压。利用实验测量验证了模拟结果,并从理论上对场板工作的机理进行了探讨。在高压MOSFET的结构中,利用栅极向漏极延伸而构成场板。  (本文共79页) 本文目录 | 阅读全文>>

江南大学
江南大学

基于CMOS工艺的高压MOSFET研究

随着集成电路制造工艺水平的提升,系统集成度越来越高,智能功率集成电路得到了日益广泛的应用,功率集成电路将工作电压高低不同的功率器件与低压逻辑控制电路集成在一个芯片上,具有开关特性好、功耗小等优点。本课题设计的高压MOSFET(Metal-Oxide -Semiconductor Field Effect Transistor)是与标准CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)工艺兼容的。论文中讨论了常见的高压器件结构与隔离方法,以及关键的高压器件参数,分析了影响MOS器件击穿电压的因素,并针对基于标准CMOS工艺的几种结构进行了分析和研究。分析了常见高压器件与标准CMOS工艺的兼容性以及相应的工艺改造方案,设计了与标准CMOS工艺兼容的高压MOS器件结构,在中电58所成熟的1.5μm 5V CMOS工艺的基础上,提出高压MOS器件的结构及版图设计方法。对双扩散(DDD = Doub...  (本文共65页) 本文目录 | 阅读全文>>

《吉林电力》2020年01期
吉林电力

高压大厅

...  (本文共1页) 阅读全文>>

《北京石油管理干部学院学报》2008年02期
北京石油管理干部学院学报

高压压不出执行力

真正的执行力并不是靠高压获得的。管理者优势明显,形式上不...  (本文共1页) 阅读全文>>

《阀门》2000年04期
阀门

上海高能高压阀门厂

上海高...  (本文共1页) 阅读全文>>

权威出处: 《阀门》2000年04期
《电力安全技术》2000年05期
电力安全技术

巴盟局高压所安全运行2000天

内蒙古巴彦淖尔电业局高压管理所担负着5条220 kV线路、15条110 kV线路,2条35 kV线路共1200多...  (本文共1页) 阅读全文>>

《食品与发酵工业》2003年03期
食品与发酵工业

日本开发出粉末食品高压杀菌装置

日本AQM九州泰克诺斯公司与熊本大学研究人员合作 ,最近开发出了使用高压对粉末状食品进行瞬间杀菌的装置—...  (本文共1页) 阅读全文>>