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Ee~-BES-40A光栅扫描电子束曝光机控制系统的改进研究

集成电路产业是现代信息产业的基础,是改造和提升传统产业的核心技术。随着微细加工技术的进步,集成电路的特征线宽进入到深亚微米领域,电子束曝光代表了最成熟的亚微米级曝光技术,是近年来发展极快且实用性较强的曝光技术。电子束曝光技术的显著优点就是分辨率高,灵活性强,容易获得亚微米分辨率的精细图形。电子束曝光技术这些优势使电子束曝光技术不仅在掩模版制作方面一直处于主流地位而且将在纳米器件的研制和生产中发挥重要作用。本文从研究电子束曝光系统的基本原理入手,着重研究了现有的Ee~-BES—40A光栅扫描电子束曝光机控制系统的控制原理和控制条件。Ee~-BES—40A是第二代电子束曝光系统,是一个集电子光学、精密机械、超高真空、计算机自动控制等近代高新技术于一体的复杂系统,主要用于在大规模集成电路(LSIC)中制作图形掩模和光栅。Ee~-BES—40A光栅扫描电子束曝光机机械部分较为精密,并且其多项技术指标在国内处于较为先进的水平。将该机器恢复  (本文共75页) 本文目录 | 阅读全文>>

《半导体技术》2006年06期
半导体技术

电子束曝光技术及其应用综述

1引言在过去的几年中,微电子技术已发展到深亚微米阶段,并正在向纳米阶段推进。在此期间,与微电子领域相关的微/纳加工技术得到了飞速发展,如图形曝光(光刻)技术、材料刻蚀技术、薄膜生成技术、离子注入技术和粘结互连技术等。在这些加工技术中,图形曝光技术是微电子制造技术发展的主要推动者,正是由于曝光图形的分辨率和套刻精度的不断提高,促使集成电路集成度不断提高和制备成本持续降低[1]。几十年来,在半导体器件和IC生产上一直占主导地位的光学曝光工艺为IC产业链的发展做出了巨大贡献。通过一系列技术创新,采用超紫外准分子2006年6月激光(193/157nm)的光学曝光机甚至已将器件尺寸进一步推进到0.15~0.13μm,例如PAS5500/950B(ASML公司),NSR-203B(Nikon公司)和FPA-5000ESI/ASI(Canon公司)。但是,随着器件尺寸向0.1μm以下逼近,光学曝光技术将面临严峻的挑战,例如分辨率的提高使生产设...  (本文共6页) 阅读全文>>

《东北电力技术》2002年04期
东北电力技术

日本开发出电子束分解二恶英技术

日本原子能研究所的科学家们利用电子束照射废气的方法分解、清除其中的有害物质二恶英 ,收到良好效果。据报道 ,该技术的原理是 ,使用电子束让废气中的空气和水生成活性氧等易反应性物质 ,进而破坏二恶英的化学结构。该所在垃圾焚烧场实验得到的结果是 :焚烧一般...  (本文共1页) 阅读全文>>

《微细加工技术》1998年03期
微细加工技术

提高电子束曝光机分辨率的探讨

1 引 言制作图形的最细线宽指标是衡量电子束曝光机性能的一个重要标志。为了提高器件的集成度、可靠性,减少器件的功耗和生产成本,研究人员一直不断地寻找提高电子束曝光机分辨率的方法。目前国外的电子束曝光机,例如JBX-6000FS(高斯圆形电子束曝光机)最细线宽达到10nm,而我国的电子束曝光机最细线宽只有0.3μm。如何加快研究进度,迅速减少与国外先进技术的差距,这个重要课题摆在我们面前。在电子束曝光机这个系统中,高压电压幅值及其电源纹波的大小,电压稳定度的高低;透镜电源纹波大小及其稳定性;扫描系统的性能;抗蚀剂的分辨率等等,都会对电子束曝光机的分辨率造成影响〔1〕。本文针对线条弯曲现象,只从扫描系统对分辨率的影响方面进行分析,并对提高电子束曝光机分辨率提出可行性探讨。2 问题提出在第九届全国电子束、离子束、光子束学术年会上,我的论文“电子束曝光机偏放噪声对图形分辨率的影响”〔2〕针对电子束扫描中的三种现象进行了分析,并说明了改进...  (本文共5页) 阅读全文>>

《山东师大学报(自然科学版)》1940年10期
山东师大学报(自然科学版)

脉冲电子束产生装置的研制及其应用

脉冲电子束产生装置的研制及其应用满宝元,朱俊孔,王象泰,张树忠摘要脉冲电子束在实验研究中具有某些特定的用途。我们通过反复的试验和探索,设计和制作了脉冲电子束的产生装置,并将它应用到离子存贮的研究中,获得良好的效果.关键词脉冲电子束,离子存贮,电子枪分类号O4561脉冲电子束在离子存贮研究中的应用在原子、分子物理的研究领域中,目前,离子阱是囚禁离化原子的很有效的办法 ̄[1][2],它可以把离子长期囚禁在一个很小的空间内,能够消除光谱测量中的一级甚至二级多普勒增宽和压力增宽 ̄[3]以及其他的外界干扰,从而可用它来进行许多有关原子分子结构和性质的观测和研究。而囚禁离子最有效的办法是在阶中产生离子,常用的方法,一是用加热了的灯丝去离化原子产生离子,此法由于是非周期性的,不能进行重复测量,由于离子阱内是高真空(真空度可达10 ̄(-9)torr),所要研究的离子的密度很低(这是实现窄谱的条件),所以一次测量离子的信号很弱观察比较困难。对于高...  (本文共3页) 阅读全文>>

《微细加工技术》1985年04期
微细加工技术

美国直接作图电子束曝光机生产的新动向

二、美国VCCICll公司的曝光机生产部(Lithogttphy ProduCtion Division)近四年来一直从事开发的直接作图电子束曝光机,由于可靠性差,销路不好,最近已停J卜生产,从事此项工作的曝光机生产部已于最近解散,190名从业人员中已有110人解雇,剩下的80人也将于最近解雇。 在过去一年中(去年四月至今年四月)Varian公司曾对直接作图电子束曝光机投入较多的资金,去年7月还增雇70人,站从Control Data公司的Microbit分部购买了电子束技术,目的是为了加速VLS—1000直接作图电子束曝光机的开发,但由于这台曝光机在开发过程中存在的问题较多,尽管在6个月前曾对这台价值300万美元的机器进行了全面的技术改造,结果仍末能挽回停产的局面。 Varian公司生产的直接作图电子束曝光机,虽然已打入掩模制造市场,但截至今年为止,总销售量只不过16台,即使是号称性能很好的VLS一80,工作中的可靠性也不高。...  (本文共1页) 阅读全文>>