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SiGe合金单晶生长及性能研究

SiGe单晶的特点是其性质随组分不同而变化,具有带隙可调,禁带宽度可容易地通过改变Ge的含量加以精确调节等许多独特的物理性质,有“第二代硅微电子材料”之称。SiGe合金材料在微电子器件、光电器件和热电器件方面有着诱人的应用前景。由于SiGe单晶具有这一系列的优点及应用,世界主要发达国家都加强了对SiGe单晶材料的研究。对于SiGe单晶材料的生长,目前国际上主要有直拉(CZ)法、区熔(FZ)法和垂直布里奇曼(VB)法。与其它生长方法相比,直拉法较为成熟并且可获得较大直径的SiGe单晶。由于组分的强烈偏析,SiGe单晶的生长很困难。目前国内对SiGe体单晶的生长、物理特性及其在微电子和光电子领域的应用研究很少。本文第一章主要介绍了SiGe合金单晶的特点、基本性质及在空间太阳电池、X射线单色器、γ射线透镜、量子阱器件衬底方面的应用。还介绍了国际上制备SiGe单晶的方法及研究进展。第二章主要介绍了我们开展SiGe单晶生长的研究情况。根椐  (本文共58页) 本文目录 | 阅读全文>>

《微电子学》2018年04期
微电子学

SiGe集成电路工艺技术现状及发展趋势

介绍了基于SiGe材料的集成电路工艺技术概况,包括SiGe HBT器件结构、SiGe HBT特色双极工艺...  (本文共7页) 阅读全文>>

《Chinese Physics B》2017年08期
Chinese Physics B

An investigation of ionizing radiation damage in different SiGe processes

Different SiGe processes and device designs are the critical influences of ionizing radiation damage. Based on the different ionizing radiation damage in SiGe HBTs fabricated by Huajie and an IBM SiGe process, quantitatively numerical simulation of ionizing radiation damage was carried out to explicate the distribution of radiation-induced charges ...  (本文共6页) 阅读全文>>

《材料导报》2007年07期
材料导报

SiGe热电材料的发展与展望

热电材料是利用热电效应将电能和热能直接相互转换的功能材料,在热电发电和热电制冷领域都有巨大的...  (本文共4页) 阅读全文>>

《Tsinghua Science and Technology》2007年06期
Tsinghua Science and Technology

Growth of Ge Layer on Relaxed Ge-Rich SiGe by Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition

The paper describes the growth of a germanium (Ge) film on a thin relaxed Ge-rich SiGe buffer. The thin Ge-rich SiGe buffer layer was achieved through a combination of ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) SiGe epitaxial growth and SiGe oxidation. A lower Ge content strained SiGe layer was first grown on the Si (001) subs...  (本文共5页) 阅读全文>>

《Journal of Electronics(China)》2002年01期
Journal of Electronics(China)

DESIGN AND FABRICATION OF Si/SiGe PMOSFETs

Based on theoretical analysis and computer-aided simulation, optimized design prin-ciples for Si/SiGe PMOSFET are given in this paper, which include choice of gate materials,determinat...  (本文共5页) 阅读全文>>