纳米工艺代MOS器件的NBTI效应及其可靠性模型研究

作者:曾严导师:石艳玲
来源:华东师范大学 硕士论文 2018年

摘要: 负偏压温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)主要由界面缺陷和发生在栅电介质缺陷中的空穴俘获导致,会引起PMOS晶体管的阈值电压、线性和饱和漏极电流、跨导以及亚阈值斜率等关键的电性能参数随时间产生渐变的偏移,从而降低模拟、数字和存储器电路的性能,器件和电路的寿命也随之缩短。NBTI是影响纳米工艺代MOS器件可靠性的关键物理效应,其研究对于集成电路设计具有重要的学术意义和应用价值。本论文基于解释NBTI效应的反应扩散理论及其经典模型,针对DC应力和低频AC应力下纳米工艺代MOS器件的NBTI退化行...

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