作者：刘天奇导师：刘杰;贺德衍
来源：兰州大学 博士论文 2019年

摘要： 先进工艺集成电路往往具备度高集成度、高性能等优势,展现了良好的航天应用前景,但随着集成电路工艺的发展,新型的小尺度纳米器件、新材料与新结构器件、混合集成器件、异质集成以及三维集成器件均呈现出辐射效应的新特性与分析的复杂性,开展相关课题的研究工作具有重要意义。本文针对典型CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)与非易失混合集成器件,包括SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor)工艺NVSRAM(Non-volitale Static Random Acc...

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