大型多晶硅片加速碳化硅器件的发展
据外刊报道，由于单晶碳化硅（SiC）的出现，目前已经获得使用可维持单晶外延层的特种类型的定向多晶
(本文共3页)
阅读全文>>
-
- 新材料产业
由于单晶碳化硅(SiC)的出现,目前已经获得使用可维持单晶外延层的特种类型的定向多晶体的碳化硅(SiC)。以前研究人员认为此项研究很难取得...
(本文共2页)
阅读全文>>
-
- 南昌大学
太阳能电池普遍采用表面化学刻蚀制绒以减少光反射。在现有的可规模化应用的多晶硅太阳电池制绒技术中,常规HF/HNO_3/H_2O酸刻蚀方法因其具有制绒成本低、绒面制备效果稳定的优势,是当前应用最广泛的制绒技术。但当该方法应用在金刚石线锯切割的多晶硅片制绒时却遭遇障碍,制绒后硅片表面反射率偏高且其显眼的切割纹也无法消除。金刚石线锯切割技术与传统的砂浆线锯切割相比,具有切割效率高、切割损耗少、节能环保及加工成本低等优势。为了推进金刚石切割多晶硅片的产业化进程,需考虑利用现有湿法酸制绒设备及工艺条件的基础上开发出新的低成本的配套制绒工艺,以期解决金刚石切割多晶硅片的制绒问题,从而使多晶硅片保持其应有的低成本、高效率的市场优势。本文系统地研究了多晶硅片在HF/HNO_3/H_2O溶液中的刻蚀反应过程,并在此基础上研究采用物理或机械等方法开发出针对金刚石切割多晶硅片的预处理技术,以改善金刚石切割多晶硅片的表面状态,使之达到酸制绒工艺的反应条...
(本文共118页)
本文目录 |
阅读全文>>
-
- 南昌大学
多晶硅片是目前太阳电池最主要的制作材料,随着光伏行业的快速发展,市场对多晶硅片的技术要求越来越高。硅片的TTV(total thickness variation),即硅片的总厚度偏差,它直接影响太阳电池制造过程中碎片率和太阳电池品质,是多晶硅片的重要技术指标之一。本论文研究多线切割过程中多晶硅片TTV的控制,利用多线切割机使用不同切割工艺制造多晶硅片,再用硅片自动分选机进行TTV测试,确定了多线切割主要工艺参数与硅片TTV的相互关系,得出以下主要结论:1.碳化硅粒度是影响多线切割过程中硅片TTV的重要因素,TTV随粒度增大而增大,1500~#SiC比1200~#SiC切割的硅片TTV小1.4μm,比1800~#SiC切割的硅片TTV大0.8μm;2.砂浆的合理利用和改性能有效的控制硅片TTV。采用在线除铁的方式对浆料中的铁杂质进行去除,可减少铁杂质对砂浆切割的不利影响,降低硅片TTV3μm;砂浆的分段添加可在切割过程中改变砂浆...
(本文共55页)
本文目录 |
阅读全文>>
-
- 太阳能学报
研究了定向凝固生长的多晶硅线切割过程中在多晶硅片表面产生的线状缺陷的形貌特征及其形成机制。分别采用扫描电子显微技术和X射线衍射技术对多晶硅片线切割引起的线状缺陷的形...
(本文共4页)
阅读全文>>
-
- 电源技术
通过实验发现,多晶硅片在不同温度下氧化后方块电阻的变化情况不同。温度较高时,氧化后方块电阻降低;...
(本文共3页)
阅读全文>>
-
- 激光与红外
采用兆瓦级TEA CO2激光器输出的纳秒级强红外激光脉冲照射太阳能多晶硅片,用...
(本文共4页)
阅读全文>>