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“电子辐照”新技术在金坛研制成功

本报讯 草莓虽然好吃,但保鲜存放期最多只有三五天,但经过“电子加速器”这一新技术进行电子辐  (本文共1页) 阅读全文>>

权威出处: 常州日报2007-03-12
《中国原子能科学研究院年报》2016年00期
中国原子能科学研究院年报

高能大功率电子辐照加速器束控磁铁系统设计

10 MeV/20 kW高能大功率电子辐照加速器,主要应用于食品保鲜、消毒灭菌等领域,具有广泛的应用前景。为了保证系统高稳定性、高重复性和可连续运行,系统采用...  (本文共1页) 阅读全文>>

北京工业大学
北京工业大学

用于电子辐照加速器的IGBT失效机理研究

绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)在电子辐照加速器中主要用于高压逆变电路。但是由于其工作环境的改变,IGBT在高压大电流条件下工作时,重复性的热电冲击会使器件出现热疲劳现象,导致IGBT失效机率大大增加。而桥式电路结构使得半导体器件在工作过程中,存在同一桥臂两个晶体管同时导通的现象,这会导致电路发生过流短路,造成多个器件发生损伤。本文以IGBT为研究对象,对IGBT失效模块进行合理的失效分析,并根据失效原因对IGBT模块进行稳态-瞬态热仿真以及模拟IGBT实际工作情况,对IGBT的退化进行测试并分析。本文研究内容主要包括:1、分析失效模块并给出失效机理。本文对IGBT失效模块进行分析,根据失效分析流程,对失效模块的现场失效数据进行调研,并对器件的封装以及解剖前后的输出特性进行测试,此外还使用SAM对IGBT模块的焊料层进行扫描,最终对造成IGBT模块失效的原因进行了初...  (本文共70页) 本文目录 | 阅读全文>>

天津工业大学
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氮化镓基器件电子辐照诱生缺陷表征和分析

氮化镓(GaN)作为目前全球半导体研究的前沿和热点,其应用领域不断在拓展,从而使愈来愈多的GaN器件会工作在辐照环境中,辐照环境中的辐射粒子会在GaN器件内部诱生各种缺陷,进而影响器件的性能,因此有效的表征GaN器件辐照诱生缺陷对GaN器件在辐照环境下的应用具有重要的理论意义和实用价值。本文分别对GaN基发光二极管(LED)和AlGaN/GaN异质结进行1.5MeV电子辐照,剂量依次为1kGy、1OkGy和50kGy,然后用变频C-V特性测试、低频噪声测试、PL谱、TRPL谱、XRD测试和XPS测试手段对不同剂量电子辐照诱生的缺陷进行表征分析,主要研究工作和结果如下:1、对不同剂量电子辐照的GaN基LED进行了变频C-V特性测试和低频噪声测试,PL谱、TRPL谱和XRD测试。变频C-V测试结果表明电子辐照使器件内部产生复合中心点缺陷和界面态缺陷,且缺陷密度均随辐照剂量的增加而增加;低频噪声测试结果表明电子辐照在器件源区产生大量界...  (本文共79页) 本文目录 | 阅读全文>>

哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学

电子辐照/温度综合作用下聚酰亚胺带电效应研究

空间轨道等离子体及高能电子环境下的充放电效应是评价航天器异常和故障的难题之一。航天器介电材料是产生充放电问题的主要介质。本文以聚酰亚胺材料为研究对象,利用原位辐致电导及表面电位测量装置、电子顺磁共振波谱仪和扫面电子显微镜等设备及分析技术,研究了电子辐照/温度综合作用下聚酰亚胺材料的辐致电导率、延迟电导率和表面电位的演化行为,建立了相应物理模型,并评价了在空间大椭圆轨道下材料的充放电风险。研究结果表明,在室温电子辐照条件下,聚酰亚胺辐致电导率随辐照时间的增加呈先升高后平稳的特点,符合电子/空穴同时控制传导的双极性传导模型。在单调上升阶段,辐致电导率正比于电离剂量率,是时间的α次幂,幂指数色散参数α值为0.34。稳态阶段,辐致电导率是电离剂量率的?次幂,幂指数?值为0.75。在室温电子辐照停止后,聚酰亚胺的延迟电导率随时间先呈反比例函数衰减,然后呈指数衰减,这是由于电子辐照诱发自由基的热力学复合效应所引起。在低温电子辐照条件下,聚酰...  (本文共84页) 本文目录 | 阅读全文>>

《中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学)》1987年02期
中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学)

硅中铜与电子辐照缺陷的相互作用

本文研究了FZ与CZ硅中铜与电子辐照缺陷的相互作用.实验表明,这种作用使扩铜并经电子辐照的n型FZ硅出现两个未经报道的新的深中心,E(0.043)和E(0.396).前者只存在于FZ硅而不存在于CZ硅.后者在扩铜并经电子辐照的n型FZ...  (本文共10页) 阅读全文>>