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基于DC/AC变换器MIC4827的EL灯驱动电路

Micrel公司生产的MIC4827单片IC,是一种1.8~5.5V的低压输入而输出电压达180Vp-p的D  (本文共2页) 阅读全文>>

权威出处: 电子报2008-01-13
《光电子技术》2017年03期
光电子技术

TFT-LCD残影与驱动电路关系的研究

研究了TFT-LCD的残影与驱动电路的关系。首先通过直流实验明确了驱动电路对残影会产生影响,其次通过调节驱动频率证实了驱动电路中的数据...  (本文共5页) 阅读全文>>

西安理工大学
西安理工大学

IGCT电路模型与驱动电路关键技术的研究

集成门极换流晶闸管(IGCT)是一种新型大功率半导体器件,它是将门极换流晶闸管(GCT)和门极驱动器以低电感方式通过印制电路板(PCB)集成在一起,具有很好的应用前景。GCT的开通和关断需要借助集成门极“硬驱动”电路完成,驱动电路的优劣直接影响到器件的优良特性能否实现,因此必须严格控制电路中的杂散电感。并且,在驱动电路和应用系统的设计时缺少IGCT的电路仿真模型。本文针对以上问题,对4500V/4000AIGCT电路模型和驱动电路的关键技术进行研究和探讨,主要内容有以下几个方面:1.研究IGCT的开关原理和内部换流机理,建立IGCT的“硬驱动”电路仿真模型(M-2T-3R-C),该模型能够较准确地表征IGCT开关特性和内部换流机理,在电路仿真时可以替代GCT器件。对关键模型参数进行分析与提取,验证该模型的准确性。在此基础上建立了双芯GCT(Dual-GCT)的电路仿真模型,将仿真波形与同条件下的实验波形对比,验证了该模型的准确性...  (本文共108页) 本文目录 | 阅读全文>>

合肥工业大学
合肥工业大学

IGBT隔离驱动及保护技术研究

自从20世纪80年代发明绝缘栅双极型晶体管(IGBT)以来,IGBT技术发展迅速,其作为电能变换的核心器件,涵盖了从几十瓦到几十兆瓦的电力电子应用。目前IGBT已经广泛应用于消费类电器、工业控制、新能源发电、智能电网、机车牵引和电动汽车的交通运输领域,成为变流装置的主要开关器件。此外,IGBT卓越的性能使其不仅可以取代现有系统中传统的完全可控的功率半导体器件,而且开启了更加广泛且全新的应用领域。中国作为能源生产和消费大国,IGBT也大量地运用于功率变换之中,以实现新能源产生、传输和高能效地利用。IGBT驱动技术作为IGBT应用中的关键技术之一,对IGBT的可靠运行非常重要,直接关系到系统的效率、可靠性和安全性。IGBT驱动电路可以驱动IGBT并对其整体性能进行调控,它不仅影响了IGBT的动态性能,同时也影响系统的成本和可靠性。驱动电路的选择及输出功率的计算决定了换流系统的可靠性。驱动电路功率不足或选择错误可能会直接导致IGBT损...  (本文共81页) 本文目录 | 阅读全文>>

辽宁大学
辽宁大学

600V功率半桥驱动电路研究

推动集成电路产业发展是国家的重点战略,提倡节能减排是社会进步的基本要素,功率集成电路具有低功耗、低成本、高效率、高可靠的优点,在电力电子领域备受青睐。功率驱动电路是一种典型的功率集成电路,可以降低功率器件开关损耗,提高能源利用率,广泛应用于显示驱动、汽车电子、电机驱动、电源管理等领域。本文基于1μm 600V BCD工艺,设计了一款600V功率半桥驱动电路,应用于LED照明驱动。该驱动电路的设计要求为:高边浮动电压为600V;输出峰值电流达到±2A;最高工作频率为500kHz;死区时间为600ns;输入端兼容3.3V/5V TTL/CMOS信号;需满足逻辑地和功率地有±5V共模偏移;应具有静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)保护、过流保护和欠压保护等功能,以保证整体电路安全可靠工作。本文首先根据LED照明驱动的功能需求,确定了600V功率半桥驱动电路设计要求,介绍了驱动电路整体结构分为逻辑控制模块、...  (本文共99页) 本文目录 | 阅读全文>>

北京交通大学
北京交通大学

单体增强型GaN驱动电路设计及稳定性研究

氮化镓(Gallium Nitride,GaN)新型半导体器件具备优异的电气性能,具有硅(Silcon,Si)半导体器件难以比拟的巨大应用优势和潜力。在实际应用中,GaN晶体管的优良性能的充分发挥与栅极驱动电路设计密切相关。但是驱动电路在设计上面临着GaN晶体管阈值电压低、栅极电压安全范围小、需要负压关断等挑战。Si MOSFET采取的驱动方案不适用于GaN晶体管。因此,本文将针对增强型(Enhanced-mode,E-mode)GaN晶体管设计适用的驱动电路,然后使用负电导模型对GaN基电路的稳定性进行分析。首先研究600V电压等级的E-mode型GaN晶体管的器件结构和开关特性。研究了一款600V的E-mode型GaN器件Hybrid Drain Gate Injection Transisotr(HDGIT),分析其实现常关与抑制电流崩塌的机理。研究该晶体管与MOSFET在开关过程中存在的不同之处。对该晶体管搭建双脉冲测试...  (本文共86页) 本文目录 | 阅读全文>>