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市场异象:NAND Flash价格高过SD卡

2006年第四季度NAND型Flash价格跌跌不休,三星电子(Samsung Electronics)趁机  (本文共1页) 阅读全文>>

《Science China(Information Sciences)》2019年04期
Science China(Information Sciences)

Modeling of program Vth distribution for 3-D TLC NAND flash memory

This paper proposes a simulation method to model the program Vth distribution of 3-D vertical channel TLC/QLC charge-trapping NAND flash memory. The program Vth distribution can be calculated by considering ISPP noise, WL-WL interference, and the RTN effect of tunneling oxide and poly Si, which are the major physical factors affecting the width of program Vth distribution. Then, the program Vth distribution shapes wi...  (本文共10页) 阅读全文>>

《中国集成电路》2019年06期
中国集成电路

超越96层,3D NAND工艺存在哪些挑战? 记忆体层数堆叠的瓶颈与全新解决方案的机遇

与2D NAND技术中的扩展实践不同,在3D NAND中降低位成本和增加芯片密度的直接方法是增加层数。2013年,三星交付了首款采用MLC技术的24层V...  (本文共3页) 阅读全文>>

《电子世界》2019年19期
电子世界

科技进步:中国首次量产64层3D NAND闪存芯片

3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。平面结构的NAND闪存已接近其实际扩展极限,...  (本文共1页) 阅读全文>>

《办公自动化》2019年20期
办公自动化

64层3D NAND闪存

长江存储2019年9月2日宣布,公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储...  (本文共1页) 阅读全文>>

《Wuhan University Journal of Natural Sciences》2018年01期
Wuhan University Journal of Natural Sciences

Quad-Level Cell NAND Design and Soft-Bit Generation for Low-Density Parity-Check Decoding in System-Level Application

QLC(Quad-Level Cell) NAND flash will be one of the future technologies for next generation memory chip after three-dimensional(3 D) TLC(Triple-Level Cell) stacked NAND flash. In QLC device, data errors will easily occur because of 24 data levels in the limited voltage range. This paper studies QLC NAND techn...  (本文共9页) 阅读全文>>