晶龙技术中心通过河北省省级认定

本报讯 近日，晶龙实业集团有限公司技术中心被认定为河北省省级企业技术中心，标志着企业技术创新工作迈上新  (本文共1页) 阅读全文>>

核技术

GaAs中子嬗变掺杂的初步研究

硅的中子嬗变掺杂(简称NTD)法已经得到了广泛应用,在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面被公认是一种好方法。中子辐照硅的优点是掺杂十分均匀,浓度偏差可在±5％之内;掺杂精...  (本文共4页) 阅读全文>>

稀有金属

硅的中子嬗变掺杂

本文根据硅单晶生长工艺中近年来的发展动向,系统地描述了中子嬗变掺杂硅(NTD)的原理、历史、...  (本文共5页) 阅读全文>>

北京大学学报(自然科学版)

高阻硅中子嬗变掺杂高温退火后的缺陷

用DLTS方法研究了在氮气氛下径850℃退火的中子嬗变掺杂硅,发现存在三个深中心,它们在禁带中...  (本文共5页) 阅读全文>>

固体电子学研究与进展

GaAs中子嬗变掺杂初探

在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面中...  (本文共2页) 阅读全文>>

物理

GaAs的中子嬗变掺杂

硅的中子嬗变掺杂(NTD)已经得到了广泛应用,在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面巳被公认...  (本文共4页) 阅读全文>>