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晶龙技术中心通过河北省省级认定

本报讯 近日,晶龙实业集团有限公司技术中心被认定为河北省省级企业技术中心,标志着企业技术创新工作迈上新  (本文共1页) 阅读全文>>

《核技术》1986年03期
核技术

GaAs中子嬗变掺杂的初步研究

硅的中子嬗变掺杂(简称NTD)法已经得到了广泛应用,在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面被公认是一种好方法。中子辐照硅的优点是掺杂十分均匀,浓度偏差可在±5%之内;掺杂精...  (本文共4页) 阅读全文>>

《稀有金属》1978年06期
稀有金属

硅的中子嬗变掺杂

本文根据硅单晶生长工艺中近年来的发展动向,系统地描述了中子嬗变掺杂硅(NTD)的原理、历史、...  (本文共5页) 阅读全文>>

《北京大学学报(自然科学版)》1982年06期
北京大学学报(自然科学版)

高阻硅中子嬗变掺杂高温退火后的缺陷

用DLTS方法研究了在氮气氛下径850℃退火的中子嬗变掺杂硅,发现存在三个深中心,它们在禁带中...  (本文共5页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》1984年02期
固体电子学研究与进展

GaAs中子嬗变掺杂初探

在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面中...  (本文共2页) 阅读全文>>

《物理》1984年11期
物理

GaAs的中子嬗变掺杂

硅的中子嬗变掺杂(NTD)已经得到了广泛应用,在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面巳被公认...  (本文共4页) 阅读全文>>

权威出处: 《物理》1984年11期