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重视强电磁脉冲影响让电网更坚强

强电磁脉冲,对于老百姓来说或许还是个陌生的名词,但对于电网安全的影响却不容小视。在此次论坛上,中国工程院  (本文共2页) 阅读全文>>

《微波学报》2010年S2期
微波学报

舰船平台强电磁脉冲威胁与防护要求

强电磁脉冲对舰船平台的敏感电子信息系统、人员、武备、燃油等都会构成威胁,而且随着电子技术的...  (本文共4页) 阅读全文>>

西安电子科技大学
西安电子科技大学

强电磁脉冲环境下传输线感应特性分析

强电磁脉冲源具有能量高、频带宽、覆盖面积广的特点,它可以通过前门耦合路径和后门耦合路径进入电子设备/系统,并对其造成毁坏。这种强大的破坏力不仅在各国军事领域受到高度关注,而且在民生领域也备受重视。因此,强电磁脉冲环境引起的耦合效应和强电磁脉冲防护已经成为了当今时代重要的研究课题之一。本文基于时域有限差分(Finite Difference Time Domain,FDTD)法和BLT方程,结合了菲涅尔反射系数和传输线理论,求解并分析了强电磁脉冲环境下传输线的电磁感应特性问题。讨论了在特定情形下电磁防护加固问题。具体内容如下:(1)介绍了雷电和高空核爆电磁脉冲源(HEMP,High-altitude Nuclear Electromagnetic Pulse)的产生原理、标准时域波形及其潜在的破坏能力。(2)用场-路结合法研究了HEMP脉冲照射下建筑物内传输线的电磁感应特性,分析了入射方向、极化、高度等对感应电流的影响。(3)给出...  (本文共120页) 本文目录 | 阅读全文>>

西安电子科技大学
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MOS器件的强电磁脉冲敏感位置和损伤机理的研究

随着半导体器件特征尺寸的逐渐减小,集成电路集成度不断提高,由半导体器件作为基础单元的系统和电路设备的应用范围越来越广。但在电路性能因集成度提高而逐步提升的同时,器件和电路也更加容易受到强电磁脉冲等外界因素的影响。每年受强电磁脉冲影响造成的经济损失有增无减,故研究强电磁脉冲对半导体器件的敏感区域和损伤机理具有十分重要的意义。本文利用Sentaurus TCAD器件仿真软件,建立了三维MOSFET器件对其进行了在电磁脉冲EMP(Electromagnetic Pulse)和高功率微波HPM(High Power Microwave)环境下的瞬态仿真。利用三维结构的优势,从不同角度观察器件内部电场电流和温度分布情况,找到了在强电磁脉冲作用下器件内部的敏感位置并分析了其内部机理。通过仿真得到的结果进行分析表明:当EMP信号从器件漏端注入时,MOS管漏端PN结空间电荷区附近的电场强度最为密集,大电流主要集中在源漏和栅正下方沟道处,故器件内...  (本文共81页) 本文目录 | 阅读全文>>

哈尔滨工业大学
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电子设备的强电磁脉冲屏蔽防护研究

随着电子设备在现代战争中的大量使用以及电子战的对抗愈演愈烈,以高功率微波等武器应用为主的强电磁脉冲技术也面临着飞速发展的新局面。由核爆炸、电磁脉冲弹等产生的强电磁脉冲通过其携带的巨大能量在短时间内可对现代战争武器系统内的电子设备造成大面积不同幅度的毁伤,故由电磁脉冲弹等“杀手锏”武器所带来的强电磁脉冲相关技术研究逐渐成为新热点学术问题。强电磁脉冲对电子设备的耦合途径主要有两方面。一方面是通过信号传输线和电源线等进行耦合的“前门耦合”方式,该方式可通过滤波器等保护元件进行阻隔。另一方面则是“后门耦合”,即通过机箱的缝隙、孔洞等途径进行的耦合,该耦合方式相较前者更加难以防护。强电磁脉冲可通过缝隙和孔洞耦合进入电子设备内部腔体,毁伤其内部电路和元件从而影响其功能动作,甚至彻底损毁内部电路,故研究强电磁脉冲环境下的电子机箱的屏蔽防护设计尤为必要。本文首先介绍了国内外强电磁脉冲相关专业技术领域的发展情况,然后通过研究强电磁脉冲对电子设备的...  (本文共66页) 本文目录 | 阅读全文>>

西安电子科技大学
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强电磁脉冲作用下地面附近的场线耦合研究

随着近年来高功率微波辐射装置的快速发展,现代战场中的通信电子设备受到的电磁干扰威胁越来越严重。目前现代战场中的电磁干扰源主要以核电磁脉冲、高功率微波和超宽带等强电磁脉冲为主。瞬变的强电磁脉冲很容易以后门耦合的方式通过电子设备间互连线缆进入电子通信系统中,从而对后级的敏感电路和器件造成损伤。在常规的电磁干扰防护中,线缆通过增加屏蔽层来减少其电磁干扰。但由于强电磁脉冲能量大,部分脉冲能量仍可耦合进入芯线内部,在芯线上产生足够损伤后级敏感电路的瞬态电流,因此为了对敏感电路进行防护准确计算屏蔽线芯线电流很有必要。对强电磁脉冲而言,核电磁脉冲出现最早,因此人们对核电磁脉冲辐照下线缆的场线耦合效应研究较为成熟,然而人们对于新兴的超宽带和高功率微波辐照下线缆的场线耦合效应研究较少,且这三种强电磁脉冲具有各自不同的特点,不能混为一谈,所以有必要对高功率微波和超宽带作用下线缆的场线耦合效应进行准确的分析。本文基于时频域等效性和最小相位原理提出了一...  (本文共107页) 本文目录 | 阅读全文>>