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广西氧化锌晶体研究获突破

近日,从国家特种矿物材料工程技术研究中心(桂林矿产地质研究院)传出消息,作为氧化锌(ZnO)薄膜的衬底材  (本文共1页) 阅读全文>>

权威出处: 科技日报2005/06/18
西安科技大学
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氧化锌晶体材料的制备及其生长机理研究

氧化锌晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能ⅡB—ⅥA族半导体材料,具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。ZnO半导体室温带隙为3.37eV,且束缚激子能高达60MeV,使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。诱人的应用前景和制备难度使得ZnO晶体的生长技术成为材料研究的热点。通过对反应过程中的加热温度,保温时间以及保温温度的择优选择,并采用合理的实验条件进行实验,借助于XRD、SEM等仪器对试样进行了分析和研究。本论文采用化学气相法,以锌颗粒为原料,考察了不同的加热温度、保温时间、保温温度对ZnO晶体生长结果的影响。研究结果表明:采用化学气相法在加热温度为300~500℃下进行试验,加热温度对ZnO晶体的外观形貌有很重要的影响,依据本实验中所获氧化锌晶体的SEM照片,在较低的加热温度下生成物以定向生长的晶须为主,而加热温度太高则生成物以凝结的块状氧化锌为主;保温温度为1000~1300℃,在试验中,保温温度对...  (本文共62页) 本文目录 | 阅读全文>>

昆明理工大学
昆明理工大学

大尺寸氧化锌晶体的制备及生长机理

氧化锌晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。ZnO半导体室温带隙为3.37eV,且束缚激子能高达60MeV,使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。制备难度和诱人的应用前景使得氧化锌晶体的生长技术成为材料研究的热点。本文工作重点是探索工艺简单、成本低、操作简便的氧化锌晶体的制备方法。本文采用气相传输法,以锌锭、空气为原料,讨论了不同的氧化时间、空气流量、载流N_2流量、锌挥发温度、氧化温度生长条件下对ZnO晶体生长结果的影响,并对生长机理做了初步探讨。氧化锌晶体可控生长的关键是控制成核和生长过程,而试验中各工艺参数决定着成核和生长过程,最终控制了氧化锌晶体的尺寸。研究结果表明:(1) 大尺寸氧化锌晶体的形态可控生长的关键是控制成核和生长过程。晶核的结晶形态决定着晶体的形态,生长过程的环境条件也影响着晶体的生长过程。反应器中的气相过饱和度等工艺参数影响着大...  (本文共69页) 本文目录 | 阅读全文>>

《发光学报》2003年04期
发光学报

矿化剂浓度和温度对水热法合成氧化锌晶体形态的影响

采用水热法,通过改变矿化剂浓度和温度合成了具有不同形态的氧化锌晶体。在较低的温度(350℃),填充度为35%,矿化剂KOH浓度小于2mol/L时,只合成了氧化锌微晶。当矿化剂KOH浓度大于3mol/L时,合成出多种形态氧化锌晶体,大的晶体达到几十到几百微米,小晶体仅几微米。当矿化剂KOH浓度从4mol/L增加到5mol/L时,晶体的大小没有明显改变。在高矿化剂条件下合成的晶体显露完整的...  (本文共5页) 阅读全文>>

《人工晶体学报》2018年02期
人工晶体学报

水热法合成Ga/Sc共掺氧化锌晶体

采用水热法,以氧化锌陶瓷为原料,4 mol/L KOH+1 mol/L LiOH作矿化剂,温度380℃,内填充度为75%制备了Ga/Sc共掺氧化锌晶体。结果显示:生长的Ga/Sc共掺氧化锌晶体呈六棱柱状,整个晶体表面基本光滑平整。负极面-c(000...  (本文共5页) 阅读全文>>

《有色矿冶》2006年02期
有色矿冶

氧化锌晶体的制备与表征

利用聚乙二醇-10000(PEG-10000)为添加剂,改变锌盐种类,在水热条件下反应10 h,经洗涤、干燥处理后,得到ZnO微晶粉体。产物通过全自动X射线衍射仪(XRD)进行物相分析,扫描电子显...  (本文共3页) 阅读全文>>