北京师范大学离子注入出新花
本报讯 记者樊力行报道 北京师范大学低能核物理研究所和生物系的科技人员经过近4年的研究，运用离子注入技术
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- 腐蚀与防护
离子注入一材料加工新技术(Ion Implantion for Materials Processing) F.A.Smidt Noyes Data Corporation 1983年出版。离子注入新技术...
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- 电子科技文摘
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- 固体电子学研究与进展
Molecular ion S2+ implantation into GaAs has been investigated to form very thin active layers. After implantation, the transient annealing(TA) and furnace annealing (FA) were used. The measurements of activation efficiency, mobility, carrier concentration profiles were carr...
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- 南京航空航天大学
TC18钛合金由于优良的综合性能被应用于制造飞机起落架。然而,疲劳性能差的缺点限制了其应用。TC18钛合金的表面状态是影响其疲劳性能的重要因素,表面划伤、高粗糙度及其他表面缺陷均会降低其疲劳寿命,而残余压应力会提高疲劳寿命。本课题提出利用离子注入技术强化TC18钛合金表面,并研究了离子注入后表面状态对TC18钛合金的疲劳性能的影响。利用离子注入技术在TC18钛合金表面注入不同剂量(1.2~19.0×10~(16) ions/cm~2)的Cr、Zr离子,利用SEM、AFM、XRD和残余应力分析仪研究离子注入前后TC18钛合金表面形貌、成分、相结构和残余应力状态。利用纳米压痕仪研究不同载荷下(5 mN、10 mN和15 mN)离子注入前后TC18钛合金表面的纳米力学性能。利用疲劳试验机并结合离子注入前后TC18钛合金表面状态的变化情况分析Cr、Zr离子对其疲劳性能的影响。基于蒙特卡罗模拟方法研究了Cr、Zr离子在TC18钛合金内部的...
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- 云南大学
光电子-微电子集成是目前半导体行业研究的一个重点方向,然而Si的间接带隙性质使得其辐射复合效率低下,极大地限制了 Si在光电产业方面的应用。离子注入由其工艺成熟,产生的缺陷种类繁多,缺陷发光稳定等原因逐渐成为改善Si发光性能的主要研究方法。Si自离子注入硅基材料不会引入异种离子,只产生缺陷发光中心(填隙或空位团簇),易于调控。绝缘层上氧化硅(Silicon on Insulator,SOI)材料由于其独特的结构以及优异的电学特性,在半导体行业备受青睐。因此,向SOI材料引入缺陷发光中心,实现芯片内光互连,并匹配现有CMOS生产工艺,对于未来半导体行业发展将带来巨大的促进。本论文通过不同离子注入方案设计,控制后退火工艺参数,对自离子注入SOI发光材料的发光特性及机理进行了讨论和研究,确认了从可见波段至红外波段一些发光峰的起源,并比较确认了不同温度下发光行为变化的原因,阐明了不同剂量注入SOI材料填隙缺陷的演变机理。论文主要内容如下...
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