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砷化镓呼唤大资金

7月29日,有色金属研究总院宣布在国内首次利用最新工艺研制出第一根直径4英寸  (本文共2页) 阅读全文>>

《科技风》2020年31期
科技风

大直径砷化镓发展趋势及应用

砷化镓广泛应用于光电子和微电子领域,是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。与硅单晶一样,砷化镓衬底正逐步向大尺寸、高几何精...  (本文共3页) 阅读全文>>

《世界有色金属》1940年50期
世界有色金属

日制出特大型砷化镓单晶体

日制出特大型砷化镓单晶体日本电缆公司研制成直径76mm、长770mm、重达2.5kg的砷化镓单晶体。以...  (本文共1页) 阅读全文>>

中国工程物理研究院
中国工程物理研究院

532nm激光对砷化镓材料及光电阴极的损伤机理研究

随着加速器领域的快速发展,高平均功率自由电子激光(FEL),能量回收直线加速器(ERL),以及电子冷却(electron cooling)都对光阴极提出了极高的要求,譬如:高量子效率,低发射度以及长寿命等等。砷化镓作为优秀的光电发射体,比传统的光电阴极有着更高的量子效率,更低的发射度。有得有失,砷化镓光阴极在寿命方面就十分的苛刻了,而决定砷化镓阴极寿命长短的关键因素之一就是激光照射。目前,激光损伤砷化镓材料的相关分析也是比较多的,但是对于砷化镓阴极的损伤分析还有所欠缺。为了探究激光对砷化镓阴极的损伤机理,本文采用建模进行理论分析,并采用软件验证分析,最后通过实验验证的方法完成了对辐照过程中砷化镓材料和砷化镓阴极激光损伤作用机理的分析。首先,对砷化镓材料各项物理参数的收集,明确了解其参数在温度变化时所发生的的变化,并对各参数进行函数拟合,通过理论推导计算得出砷化镓的吸收系数、反射系数和反射率,并与砷化镓材料和实测砷化镓阴极的相关系...  (本文共70页) 本文目录 | 阅读全文>>

吉林大学
吉林大学

砷化镓(GaAs)材料压痕响应的试验研究

随着科学技术的发展,半导体材料被广泛应用于信息通讯、国防军工、航空航天等领域。与传统的硅半导体材料相比,砷化镓材料具有禁带宽度宽、电子迁移率高、光电特性好、抗辐射、高频性能好等优点,是硅材料之后应用最广泛、研究最成熟的化合物半导体材料之一。一方面,砷化镓材料为典型脆性材料,在材料及其制品的加工过程中极易损坏,另一方面,砷化镓材料的典型服役条件多为具有力电耦合作用的复杂环境,因此,研究砷化镓材料在机械加工过程中的变形损伤规律以及力电耦合作用下的材料微观力学性能演变规律显得尤为重要。本文利用微纳米压痕测试技术对砷化镓材料进行了微观力学性能测试。通过总结分析国内外砷化镓材料的压痕试验研究以及半导体材料的力电耦合测试研究的最新进展,阐述了本论文的研究背景以及研究砷化镓压痕微观变形损伤和力电耦合测试的重大意义;基于实验室自主研制的微纳米压痕测试平台,介绍了纳米压痕试验系统的搭建和各单元的功能,尤其是外接电场设备的连接和力电耦合试验中试件绝...  (本文共91页) 本文目录 | 阅读全文>>

《电子工业专用设备》2012年06期
电子工业专用设备

新型砷化镓多晶高压合成炉设计与制造

在分析原卧式砷化镓多晶合成炉缺陷的基础上,借鉴其它进口砷化镓单晶炉体部分结构优点,综合创新设计等制造出立式砷化镓多晶合成炉。经...  (本文共5页) 阅读全文>>