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新型氮化物InAlN半导体异质结构与HEMT器件研究

GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有大的禁带宽度、高的临界击穿场强、高的电子饱和漂移速度、以及强的自发和压电极化效应产生的具有优越输运特性的二维电子气(2DEG)等出色的材料性能,非常适合应用于高温、高压、高频大功率电子器件,在过去二十年中得到了广泛而深入的研究并取得了重大进展。为了满足对器件性能日益增长的需求,人们在材料外延技术、新材料应用、器件结构设计和器件制备工艺等方面作了大量努力,以期使器件性能接近理论预测极限。其中,晶格匹配无应变InAlN/GaN异质结材料与HEMT器件成为目前宽禁带氮化物半导体和微电子领域的研究热点和前沿。和常规AlGaN/GaN异质结相比,InAlN/GaN异质结势垒层中不存在应变弛豫和逆压电效应,这减轻了势垒层内在应变产生的缺陷对2DEG迁移率和面密度的影响,提高了HEMT器件在高温和高压下长时间工作时的可靠性。同时,InAlN势垒层有更强的自发极化效应,即使没有压电极化效应,晶格匹配In  (本文共158页) 本文目录 | 阅读全文>>

《传感器与微系统》2013年07期
传感器与微系统

HEMT微加速度计的结构优化设计

为满足HEMT微加速度计的高结构灵敏度和输出灵敏度的要求,对微加速度计的弹性结构进行了优化设计,得到一种全新的微加速度计折梁结构...  (本文共3页) 阅读全文>>

《仪表技术与传感器》2012年04期
仪表技术与传感器

HEMT高灵敏度微加速度计的设计与测试

根据压阻传感原理设计了GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)器件与Si基悬臂梁-质量块结构集成的微加速度。通过ANSYS结构应力仿真,GaN...  (本文共4页) 阅读全文>>

《空间电子技术》2006年S1期
空间电子技术

基于HEMT管芯的低噪声放大器设计方法研究

介绍了一种采用HEMT管芯研制低噪声放大器(LNA)的设计过程。...  (本文共4页) 阅读全文>>

《军事通信技术》1990年03期
军事通信技术

采用HEMT的微波低噪声放大器

本文报告了一种采用最新推出的 HEMT 作为第一级的...  (本文共6页) 阅读全文>>

西安电子科技大学
西安电子科技大学

新型氮化物InGaN沟道异质结构与HEMT器件研究

GaN基异质结构由于其自发极化和压电极化产生的沟道内二维电子气(2DEG)而得到了广泛的关注,以AlGaN/GaN异质结为基础的高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究在过去二十年中取得了巨大的进展。随着对器件特性要求的日益提升,AlGaN/GaN异质结的局限性逐步显现出来,主要体现在2DEG限域性差、载流子迁移率瓶颈以及晶格失配导致器件可靠性下降等问题上。相较于常规GaN沟道,InGaN作为一种新型沟道材料拥有两个方面突出优势。首先,InGaN拥有更小的电子有效质量,这意味着其载流子具备更高的漂移速率,可以满足更高器件频率特性的要求;其次,InGaN沟道能够对异质结能带结构进行调制,增大其与势垒层及缓冲层之间的能带带阶,增强2DEG的限域性,有利于提升器件的输出效率和可靠性。本文主要针对高质量In GaN沟道异质结材料生长优化及高性能HEMT器件制备表征等方面展开研究工作,取得的主要成果如下:1.基于分时输运理论,提出了脉冲法金属...  (本文共127页) 本文目录 | 阅读全文>>