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环栅肖特基势垒NMOSFET模型研究

为了进一步提高MOSFET的性能,除了引进各种新材料与新技术外,改进器件结构也是重要一环。在改进器件结构中,环栅和肖特基势垒源/漏结构器件是比较有潜力的两种备选方案,而将环栅和肖特基势垒源/漏结合起来的环栅肖特基势垒MOSFET,同时具备两种结构的优点,是近年来MOSFET领域具有潜力的器件之一。然而由于环栅肖特基势垒MOSFET结构和物理机制的复杂性,对其理论模型研究较少,往往以仿真和实验来研究其各种物理特性,理论模型方面匮乏。本文从环栅肖特基势垒NMOSFET的结构和物理机制出发,基于基本的器件物理方程,对阈值电压、漏致势垒减薄效应、漏源电流、跨导、电容和频率等物理和电学特性进行了较系统的研究,开展的主要研究工作和所取得的主要成果有:1.对环栅肖特基势垒NMOSFET的阈值电压和漏致势垒减薄效应分别进行了研究。在分析器件漏源电流产生的物理机制基础上,确认源端电子主要以场发射形式进入沟道时为阈值电压条件。将镜像力势垒降低效应和  (本文共126页) 本文目录 | 阅读全文>>

上海交通大学
上海交通大学

纳米金属-氧化物-半导体结构中基于肖特基势垒调控的光电效应研究

纳米金属半导体材料往往表现出较块状材料更加突出的光电性能,诸如更强的导电性、导热性、更快的电子迁移率等等,使其在航空、能源、信息等高科技领域具有广阔应用前景。在金属-半导体结构中,肖特基接触是非常常见的一类电学接触方式,在传统的块状材料中,肖特基势垒高度一般比较固定,只取决于金属和半导体的费米能级以及表面态所导致的费米能级钉扎效应。而在纳米金属半导体材料中,肖特基势垒还会受到许多纳米尺寸下特有的物理效应的影响,诸如表面效应,量子尺寸效应,宏观量子隧道效应等等,从而呈现出一定的可调控性。这使得人们可以根据自己的意愿,通过纳米层面上尺寸和结构的设计,来获得不同高度的肖特基势垒,进而大大拓宽了其应用前景,并由此带来了许多新型物理效应和理论机制的探索。本论文是针对这一课题的探索性研究,我们设计制备了不同金属的纳米颗粒薄膜,发现通过外加光场辅助电脉冲的手段可以调节这些结构的肖特基势垒高度,体现在可测量的物理量上,即这些结构的光伏和电阻特性...  (本文共122页) 本文目录 | 阅读全文>>

《红外技术》1993年05期
红外技术

硅化铱肖特基势垒列阵——实现长波红外成像的新途径

硅化铱肖特基势垒列阵,是一种新近发展起来的用于长波红外(8~14μm...  (本文共4页) 阅读全文>>

《微电子学》1981年03期
微电子学

用于砷化镓单片集成的肖特基势垒

本文阐述了用于GaAs单片集成的Ti—Au系肖特基势垒的有关特性。指出了实现既要有1微米栅长的几何图形,又要有良好电学特性的肖特基...  (本文共6页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》1984年02期
固体电子学研究与进展

肖特基势垒理想因子n值直读测量方法

提出一简单易制的肖特基势垒理想因子n值...  (本文共6页) 阅读全文>>

厦门大学
厦门大学

TiO_2基纳米晶的晶面效应和界面肖特基势垒研究

随着能源需求的日益增加和环境污染的日益严重,如何高效地将太阳能这种可再生且清洁能源收集、转化和储存成为一项具有挑战的重大研究课题。近年来,人们在光解水产氢等实验中发现半导体纳米晶中存在“晶面效应”,其主要表现为表面态造成的能带弯曲诱导光生电荷在不同晶面间分离。深入理解这一效应不仅有助于进一步提升材料的催化性质,同时也为探索纳米材料在其他光物理(化学)过程的表界面效应提供一些例据。锐钛矿相TiO2是太阳能转换中应用最为广泛的一种材料,对其表面发生的光化学反应和高效的界面电子转移过程的研究对提升光催化或光伏发光器件的效率起着重要作用。在本论文,我们从半导体纳米晶体的可控合成和材料电子结构的第一性原理计算出发,围绕着光催化纳米材料中表面或界面对于光生电荷输运的影响,从理论和实验两个角度开展本论文的工作,具体如下:一、纳米材料作为基质可以辅助激光解吸/电离过程(MALDI),可以突破质谱对低分子量样品检测的限制,但其中构效关系还不够明确...  (本文共80页) 本文目录 | 阅读全文>>