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非单一SiO_2埋层的SOI新结构研究

探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点。传统SOI结构是以SiO_2作为绝缘埋层,由于氧化硅的低热导率而使SOI器件/电路存在自加热效应,在SOI结构中引入新的埋层成为了解决这些问题的有效途径。本论文结合我们承担的973、国家自然科学基金项目等国家任务,开展了以Si_3N_4、SiO_2/Si_3N_4、SiO_2/Si_3N_4/SiO_2等为埋层的新型SOI结构等材料的制备、性能及其应用的研究。获得了以下主要结果:采用X射线四晶衍射仪定量测试ELTRAN技术制备的SOI材料的顶层硅应变,分析了ELTRAN SOI顶层硅应变产生原因。采用超高真空电子束蒸发技术,以Fe为催化剂,成功的在硅和多孔硅衬底上生长纳米硅锥阵列,结果表明这些纳米硅锥阵列具有良好的场发射性能。为减轻传统SOI器件/电路的自加热效应,首次采用多孔硅外延转移技术制备出以氮化硅为埋层的SOI新结构。测试结果表明制备的新SOI样品具有较好的结构性能,但由  (本文共111页) 本文目录 | 阅读全文>>

杭州电子科技大学
杭州电子科技大学

新型高压SOI-LDMOS的研究

近几年来,高压功率半导体器件广泛的应用在智能家居、轨道交通和汽车电子等多个领域。高压功率半导体器件的更新速度越来越快,但同时,对其性能的要求也越来越高。利用绝缘衬底硅(Silicon-On-Insulator,SOI)技术的横向金属氧化物场效应晶体管(Laterally Double-diffused Metal-Oxide Semiconductor,LDMOS)兼具了 SOI 技术和 LDMOS 的优点,工作速度快、寄生效应低、工艺制备简单、方便集成,且能够实现理想的隔离效果。因此,SOI LDMOS在高压功率半导体器件领域受到广泛的关注。本文从器件结构设计的角度出发,结合SOI LDMOS的横向和纵向耐压机理,对基于SOI LDMOS的高压器件进行研究,并提出了两种新型的器件结构。第一种是具有混合的部分P型硅埋层(Partial Buried P Layer,PBPL)和部分N型硅埋层(Partial Buried N L...  (本文共61页) 本文目录 | 阅读全文>>

电子科技大学
电子科技大学

IGBT的正偏安全工作区的电热行为仿真与分析

IGBT是一种由MOSFET和双极功率晶体管结合而成的达林顿结构。它既具有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度快的优点,又具有双极功率晶体管的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点,因而被认为是一种可用于需要高压、大电流和高速应用领域的理想功率器件。要满足高压大电流的发展趋势,IGBT器件需要进行模块化。目前,模块电热性能是IGBT进一步发展需要考虑的主要因素,也是目前IGBT模块生产中急待解决的问题。因此,本文对IGBT器件的电热学特性进行了研究。1.使用MEDICI软件对IGBT阈值电压、击穿电压、动态特性等进行仿真。接下来详细介绍一种新型的Fin-p IGBT结构,它会对导通压降和关断损耗的折衷关系进行优化,并对其关断时的载流子的浓度分布及电流分布曲线进行了仿真。2.使用MEDICI软件对温度对IGBT阈值电压、击穿电压、闩锁特性的影响进行了仿真。并详细讨论几种常用的散热措施。3.列举了目前比...  (本文共60页) 本文目录 | 阅读全文>>

《电子科学学刊》1991年05期
电子科学学刊

氧离子和氮离子共注人硅形成绝缘埋层的微观结构及其光学性质

本文利用俄歇能谱和红外吸收谱研究了硅中O~+(200keV,1.8×10~(18)/cm~2)和N~+(180keV,4×10~(17)/cm~2)共注入、并经1200℃、2h退火后所形成的绝缘埋层的微观结构及其光学性质。结果表明:O~...  (本文共7页) 阅读全文>>

《微电子学》2008年01期
微电子学

具有埋层的大功率集成器件二维简化模型分析

对具有埋层结构的集成大功率器件提出了导通电阻自限制二维模型。在假定条件成立时,推导出器件二维模型导通电阻自限制公式...  (本文共4页) 阅读全文>>

《微电子学与计算机》1989年06期
微电子学与计算机

硅外延淀积过程中埋层图形漂移的测量

用SiCl_4作硅源,在8~13Ω.cm、P型晶向的硅衬底上进行外延。测得锑和...  (本文共2页) 阅读全文>>