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金刚石薄膜压力传感器研制

目前,国际上在半导体金刚石薄膜器件的应用基础方面,已付出了巨大的努力,由于掺杂工艺得到较好的解决,因此在电学方面的利用取得了较大的进展。现已证实:掺杂金刚石薄膜可用于制作半导体器件,并有希望成为替代硅材料的新一代半导体材料,又由于它的优良特性,因而理论上可制作高可靠性、耐高温、抗辐射传感器件。美国在温度、压力等传感器方面的研制成功,使金刚石薄膜的实用化热点集中在耐高温、耐腐蚀、抗辐射等高可靠性、高灵敏度的传感器方面,这是目前金刚石薄膜功能器件飞速增长的突破口。首先探讨了有关硼掺杂金刚石膜压阻效应机理:从影响半导体电导率的各种因素出发,结合半导体能带理论、形变势理论、价带分裂模型和Mayadas-Shatzkes多晶模型,对掺硼多晶金刚石薄膜的压阻效应进行讨论。在金刚石膜压力传感器芯片研制方面(1)利用本文提出的“无籽晶无偏压准单晶沉积法”,用热丝法在抛光的镜面Si基底上定向生长平整、光滑本征金刚石膜20-30 μm;要求硅基底腐  (本文共110页) 本文目录 | 阅读全文>>

郑州大学
郑州大学

金刚石薄膜电致发光特性研究

无机薄膜电致发光显示在光谱蓝区至今仍未获得理想的蓝色电致发光,无法实现全色化。这一缺陷大大限制了这项技术的应用范围,因此,蓝光问题是无机薄膜电致发光显示领域的研究热点。本文尝试了几种提高金刚石薄膜电致发光强度的方法,在国际上首次制备出了铈掺杂念刚石薄膜电致发光器件,并首次研究了硼氮双掺杂金刚石薄膜中硼和氮掺杂量对金刚石薄膜电致发光特性的影响规律,得到了一些新的研究结果。并由此发现在金刚石薄膜中掺入Ce~(3+)的方法可较大幅度地提高金刚石薄膜蓝区电致发光强度,并使我们制备出的金刚石薄膜蓝区电致发光器件的最大发光强度达到了3.5cd/m~2。1.硼掺杂金刚石薄膜电致发光的研究以固体B_2O_3为掺杂源制备出了高质量的掺杂金刚石薄膜(硼掺杂的精确浓度未测出,所以,硼掺杂量用了在沉积掺杂金刚石薄膜时放入CVD反应室中的固体B_2O_3的质量来表示),在此基础上制备出了两种结构的无衬底硼掺杂金刚石薄膜电致发光器件,并发现:对单层结构的器...  (本文共121页) 本文目录 | 阅读全文>>

《江汉石油科技》2010年02期
江汉石油科技

浅谈CVD金刚石薄膜技术

简单介绍了CVD金刚石薄膜技术发展、金刚石薄膜的制备有物理气相沉积法(PVC)和化学气相沉积法(CVD)两类。通...  (本文共3页) 阅读全文>>

《国际学术动态》1996年07期
国际学术动态

人们努力开发金刚石薄膜和其他功能材料

笔者于1995年8月在美国参加了第3届金刚石薄膜及相关材料应用会议,并作为国际10个实验室联合测试的参加者参加了金刚石薄膜热...  (本文共1页) 阅读全文>>

《超硬材料工程》2019年06期
超硬材料工程

掺硼金刚石薄膜的制备与研究

采用微波等离子体化学气相沉积技术在单晶硅、钛、钼、铌、钽基体上制备掺硼金刚石薄膜。分别采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、激光拉曼光谱仪、四探针电阻率测试仪研究其物相组成、表面形貌、晶体结晶性和电阻率。硼原子代替碳原子进入金刚石晶格中,产生更多的缺陷形核中心...  (本文共5页) 阅读全文>>

《超硬材料工程》2020年04期
超硬材料工程

2020浙江-俄罗斯科技创新合作,打造金刚石薄膜研究中心

"2020浙江-俄罗斯科技创新合作周"开幕式在浙江工业大学屏峰校区举行。现场举办的"浙江...  (本文共1页) 阅读全文>>