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InP-SiO_2三维光子晶体的MOCVD法制备和表征

由于光子晶体能够控制光在其中的传播,所以它的应用十分广泛,目前光子晶体已成为世界研究领域的热点课题之一。本文围绕InP-SiO_2三维光子晶体的制备和表征展开。首先利用重力沉积法和垂直沉积法制备了SiO_2胶体光子晶体(欧泊)并进行了SEM表征和反射谱测试,继而在GaAs衬底上利用重力沉积法制备了用于InP填充的SiO_2光子晶体模板,在此基础上进行了InP在模板空隙中的MOCVD生长。获得的主要研究成果包括:1.在广泛调研的基础上设计了独特的在SiO_2光子晶体模板空隙中生长InP的工艺,事实表明该生长工艺对提高InP在模板空隙中的填充率具有至关重要的作用。2.设计了InP成核条件实验,通过对MOCVD生长InP成核条件的研究,发现成核温度和PH_3流量对InP外延过程有着重要的影响,继而影响到所制备样品的光学特性。结果表明低温有利于InP成核,而InP在空隙内的填充率随成核阶段PH_3流量的增加而增加。提出了InP低温下在S  (本文共94页) 本文目录 | 阅读全文>>

《硅酸盐学报》2005年02期
硅酸盐学报

InP-SiO_2三维光子晶体的制备

用溶剂蒸发法将单分散SiO2微球组装成三维有序结构的胶体晶体,用金属有机化学气相沉积技术向SiO2胶体晶体中填充高折射率材料InP,获得了InP SiO2两种介质复合的三维光子晶体。通过扫描电...  (本文共4页) 阅读全文>>