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新结构SOI材料与器件物理研究

集成电路正在从微电子时代发展到微纳电子时代,现有的体硅材料和工艺正接近它们的物理极限,遇到了严峻的挑战,必须在材料和技术上有重大突破。SOI(Silicon on Insulator)技术能突破体硅材料与集成电路的限制,将成为微纳电子时代取代现有体硅材料的核心支撑技术之一。SOI技术和体硅技术相比拥有许多不可比拟的优势,然而,传统SOI材料中低热传导率的SiO_2埋层所引起的自加热效应,阻碍了SOI技术在高温、高压领域的进一步发展。因此,寻找具有高热传导率的SiO_2埋层的替代者就变得非常重要。本论文正是在上述背景下,结合我们承担的973、国家自科学基金等项目开展了一系列研究工作,主要包括以下几个方面:第一,制备以AlN、DLC(Diamond Like Carbon)、SiO_xN_y为绝缘埋层的新结构SOI材料;第二,通过数值模拟的方法,研究SOI器件中的自加热效应和浮体效应;第三,研制具有抗辐照特性的SOI CMOS电脉冲  (本文共133页) 本文目录 | 阅读全文>>

《环境技术》2020年01期
环境技术

一种国产器件替代验证项目的确定方法

随着自主可控需求逐渐迫切,国产器件替代验证工作的重要性逐渐凸显。本文提出了一种国产器件替代验证项目的确定方法。该方法针对元...  (本文共5页) 阅读全文>>

《红外与激光工程》2020年09期
红外与激光工程

基于超表面的超薄隐身器件

隐身是人类自古以来的美妙幻想和愿望。近年来,随着人工微结构超构材料领域的不断发展,隐身具备了坚实的科学理论基础和实现条件。早期的隐身设计大多数是基于变换光学原理,科学家们利用超构材料实现了渐变的折射率并在多个频段实现了隐身现象。然而,变换光学隐身器件通常具有较大的尺寸且不易制备,这极大...  (本文共8页) 阅读全文>>

《程序员》2010年04期
程序员

虚拟器件——虚拟化技术的新利刃

近几年,虚拟化技术飞速发展,越来越多的企业开始使用虚拟化技术提...  (本文共4页) 阅读全文>>

《微纳电子技术》2010年04期
微纳电子技术

“MEMS器件与技术”专辑出版预告暨征稿启事

鉴于MEMS器件与技术日趋成熟和在实用化方面不断取得新的进展,继2009年12期出版了“MEMS器件与技术”专辑后,...  (本文共1页) 阅读全文>>

《微纳电子技术》2010年07期
微纳电子技术

“MEMS器件与技术”专辑出版预告

为适应MEMS技术不断深入发展的新形势,本刊计划于2010年12期出版“MEMS器...  (本文共1页) 阅读全文>>