分享到:

ZnO薄膜的MOCVD生长及GaN/Si绿光LED特性研究

本论文分为两大部分。第一部分为氧化锌薄膜的MOCVD生长及性能研究;第二部分为硅衬底氮化镓基绿光LED材料生长及器件性能研究。第一部分:氧化锌作为一种多功能材料,已经有着几十年的应用历史。然而,在近年短波长发光器件越来越受重视的背景下,氧化锌作为一种具有巨太潜力的发光材料正在被人们重新“发现”。与氧化锌的传统应用不同,要制作高效率的发光器件,必须首先获得高质量的氧化锌单晶薄膜。近几年来,尽管国际上氧化锌单晶薄膜的制备取得了重要进展,但是可实用的氧化锌发光器件仍没有制备成功。在这种背景下,本文开展了使用金属有机化学气相沉积技术制备氧化锌薄膜的研究。本文使用一台自制的常压金属有机化学气相沉积系统进行氧化锌薄膜生长。通过大量的生长实验,对各种生长条件对氧化锌薄膜质量的影响进行了系统的研究。经过工艺优化,本文在蓝宝石衬底和硅(111)衬底上都成功制备出高质量的氧化锌单晶薄膜。本文对蓝宝石衬底上制备的氧化锌薄膜的结构和光学特性进行了深入的  (本文共159页) 本文目录 | 阅读全文>>

长春理工大学
长春理工大学

GaN/Si材料的外延生长研究

本文主要研究采用高温AlN缓冲层外延生长GaN/Si(111)材料的工艺技术。利用高分辨X射线双晶衍射(HRXRD)分析研究了GaN/Si(111)样品外延层的应变状态和晶体质量,通过原子力显微镜(AFM)分析研究了不同厚度的高温AlN缓冲层对GaN外延层的表面形貌的影响。实验结果表明,AlN缓冲层生长前预通TMAl的时间、AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的应变状态、外延层的晶体质量以及表面形貌都有显著影响。得到最优的预铺Al时间为10s,AlN缓冲层的厚度为40nm。在此条件下外延生长的GaN样品(厚度约为1μ m)表面形貌较好,XRD双晶摇摆曲线半高宽(FWHM)(0002)和(10-12)面分别为452arcsec和722arcsec。在预铺Al层和AlN缓冲层最优的条件下,通过对材料外延过程中位错形成机理的分析,分别对GaN的成核层和合并层的生长速率进行了优化研究,使GaN外延层的晶体质量有了大幅度的提高,为后期外延器件...  (本文共51页) 本文目录 | 阅读全文>>

《物理实验》2011年08期
物理实验

用同步辐射X射线衍射技术分析GaN/Si外延膜的结构与应变

选用有AlN和AlGaN缓冲层的GaN/Si作为测试样品,采用同步辐射X射线衍射(SRXRD)技...  (本文共4页) 阅读全文>>

《半导体信息》2018年03期
半导体信息

比利时EpiGaN公司参与欧盟新启动的“硅基高效毫米波欧洲系统集成平台”项目,提供的核心GaN/Si射频材料技术

比利时EpiGaN公司主要生产功率开关、射频和传感器用的硅基氮化镓(GaN-on-Si)和碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延晶圆,该...  (本文共2页) 阅读全文>>

《中国激光》2013年01期
中国激光

预辅Al及AlN缓冲层厚度对GaN/Si(111)材料特性的影响

主要研究了采用高温AlN缓冲层外延生长GaN/Si(111)材料的工艺技术。利用高分辨X射线双晶衍射(HRXRD)分析研究了GaN/Si(111)样品外延层的应变状态和晶体质量,通过原子力显微镜(AFM)分析研究了不同厚度的高温AlN缓冲层对GaN外延层的表面形...  (本文共5页) 阅读全文>>