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界面掺杂对磁电阻的影响及Co/NiO/Cu/Co结构中的异常磁光克尔效应研究

巨磁电阻于1988年一经发现,就由于其巨大的应用价值,立刻掀起了全球性的研究热潮。目前巨磁电阻效应已经被广泛应用于各种工业传感器、计算机读出磁头、电路隔离器和磁电阻型随机存储器中,虽然巨磁电阻器件在这些应用领域取得了巨大成功,但仍有一些研究空白亟待完善和加强。现有研究表明:巨磁电阻主要是由传导电子的自旋相关散射引起的,和材料的界面状况密切有关。改变材料的界面状况来影响其磁电阻特性是一种重要的研究手段,这种方法目前已经在界面掺杂纯金属和纳米氧化物层方面取得重要进展,本文作为这方面的一个补充,首次尝试在Cu/Co/Cu/Co/Cu和NiO/Co/Cu/Co/Cu结构中,用纳米氮化物层剪裁材料的界面状况,获得了一些新的实验结果。(a)纳米氮化物界面掺杂对赝自旋阀Cu/Co/Cu/Co/Cu磁电阻的影响:1)当在三明治Co/Cu/Co一个内界面掺杂时,由于纳米氮化层界面掺杂改变了界面散射的自旋相关性质,使其与Co层体散射的自旋相关性相反  (本文共139页) 本文目录 | 阅读全文>>

中国科学院上海冶金研究所
中国科学院上海冶金研究所

掺杂稀土锰基氧化物的磁电阻特性

掺杂稀上锰基氧化物 Re_(1-x)A_xMnO_3(Re=La,Pr等稀土元素,A=Ca,Sr,Ba等两价金属元素)由子具有庞磁电阻(CMR)效应,并在信息技术领域有着广阔的应用前景,从而成为新兴交叉学科-磁电子学研究的重要对象。本论文从掺杂稀土锰基氧化物材料室温磁电阻特性的改善和制备工艺的简化出发,开展了La_(1-x)A_xMnO_3(A=Ca,Ba,Pb)体材料CMR效应的研究,还采用金属有机物分解法(MOD)制备了CMRLa_(1-x)A_xMnO_3(A=Ca,Ba,Sr)薄膜,主要研究结果如下:利用固相反应法首次制备得到了具有较大室温CMR效应的二元掺杂的镧锰氧化物La_(0.67)(Ca_(0.6)Ba_(0.4))_(0.33)MnO_z体材料,其居里温度T_c为312K;外加磁场为6 kOe时,在306K温度下其CMR峰值达到24.7%;在室温300K处,MR值仍达 20%,远大于La_(0.67)C_(0....  (本文共118页) 本文目录 | 阅读全文>>

清华大学
清华大学

过渡金属-碳复合材料和复合纳米薄膜的磁电阻和电输运特性

论文第一部分工作研究了过渡金属—石墨复合材料的巨磁电阻效应。主要成果是:⑴首次观测到了石墨颗粒固体中磁电阻的尺寸效应和温度效应。石墨颗粒固体的磁电阻数值随着平均颗粒尺寸的减小而减小。在温度约为50 K 时,在平均粒径为25.65 μm 的石墨颗粒固体中,观察到了正的线性磁电阻效应;而在温度约为25 K 时,在平均粒径为30.2 nm 的石墨颗粒固体中,观察到了负的线性磁电阻效应。利用正常磁电阻理论、晶粒边界的漫散射理论和电子的弱局域化理论解释了在石墨颗粒固体中发现的有趣的磁电阻规律。这些结果对理解半导体和半金属材料中的正磁电阻具有重要意义。⑵制备了微米过渡金属—石墨复合材料,并研究了其巨磁电阻效应。实验结果表明:过渡金属—石墨复合材料的巨磁电阻随外加磁场的变化规律可以近似用MR ∝B~n来描述,在铁—石墨复合材料中指数n 的数值随着温度的增加和铁含量的减小而增加。Fe_(0.2)-C_(0.8)复合材料的巨磁电阻,在外加磁场为5...  (本文共138页) 本文目录 | 阅读全文>>

《电子元件与材料》2014年12期
电子元件与材料

拓扑绝缘体材料中不饱和线性磁电阻研究获进展

一直以来,大磁电阻的材料由于其在基础研究和器件应用中所起的重要作用而备受关注。半个世纪来,研究发现材料的经典磁电阻随外磁场具有二次方关系,在大磁场下,磁电阻趋于饱和。特殊的是,非饱和线性磁电阻可能存在于...  (本文共1页) 阅读全文>>

《功能材料信息》2011年04期
功能材料信息

硅基磁电阻研究取得新进展

清华大学材料科学与工程系章晓中教授近日在《自然》上发表了有关硅基磁电阻研究的论文《硅的低场磁电阻的几何增强》,这也是...  (本文共1页) 阅读全文>>

《家庭电子》2005年03期
家庭电子

消磁电阻的测试和维修

彩电中消磁电阻的作用是与消磁线圈配合给彩电显像管消磁。消磁电阻属于正温度系数热敏电阻,简称PTC元件,在工作温度范围内随着自身温度的升高,其电阻在很短的时间内将迅速增大,阻值由常温下的十几至...  (本文共2页) 阅读全文>>