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Altera和TSMC合作开发基于Nexsys的PLD90纳米工艺技术

Altera和TSMC今天宣布他们在TSMC的NexsysTM技术之上开展技术合作,该技术用于芯片系统(SOC)的  (本文共1页) 阅读全文>>

《电子测试》2005年02期
电子测试

纳米工艺竞赛起跑

为了达到低成本与高集成的终极目标,工艺微缩化成为芯片厂商晋级的必要手段。本期的封面故事、焦点探索分别聚焦于"闪存"与"FPGA",这两大产品恰好是纳米工艺的率先实现者,本次专题不仅讨论整体市场...  (本文共1页) 阅读全文>>

《集成电路应用》2004年07期
集成电路应用

联电宣称其90纳米工艺超过台积电

日前,台联电(UMC)宣称其在90纳米制造工艺方面已经超过了竞争对手——台积电(TSMC)。台联电于2003年3月宣布采用90纳米工...  (本文共1页) 阅读全文>>

《中国集成电路》2004年12期
中国集成电路

分析师预计90和65纳米工艺的需求低迷

分析师表示,虽然大型硅晶圆代工厂商继续开发90和65纳米制造工艺,但市场对于这些工艺的需求似乎很小。例如,全球最...  (本文共1页) 阅读全文>>

《真空科学与技术》1994年03期
真空科学与技术

纳米工艺和真空技术

科学(science)和工业(industry)之间存在着如图1所示的桥梁。现在,即使是最精细的半导体元件也还没有进...  (本文共2页) 阅读全文>>

华东师范大学
华东师范大学

纳米工艺代MOS器件的NBTI效应及其可靠性模型研究

负偏压温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)主要由界面缺陷和发生在栅电介质缺陷中的空穴俘获导致,会引起PMOS晶体管的阈值电压、线性和饱和漏极电流、跨导以及亚阈值斜率等关键的电性能参数随时间产生渐变的偏移,从而降低模拟、数字和存储器电路的性能,器件和电路的寿命也随之缩短。NBTI是影响纳米工艺代MOS器件可靠性的关键物理效应,其研究对于集成电路设计具有重要的学术意义和应用价值。本论文基于解释NBTI效应的反应扩散理论及其经典模型,针对DC应力和低频AC应力下纳米工艺代MOS器件的NBTI退化行为,研究并提出用于描述器件阈值电压退化量随时间变化关系的新型解析模型,并通过实测数据验证了上述模型的有效性。总结本文取得主要成果如下:一、提出并实现了可精准描述DC应力下NBTI长时恢复的解析模型。该模型突破了传统解析模型的不足,增加了影响NBTI效应长时恢复趋势的界面陷阱快速恢...  (本文共76页) 本文目录 | 阅读全文>>