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Pt/InP界面反应形成磷化铂的证据

用XPS测量了Pt/InP肖特基接触界面的芯态谱和价带谱,结合AES  (本文共6页) 阅读全文>>

《南京航空航天大学学报》2002年03期
南京航空航天大学学报

预处理SiC颗粒在ZA-27合金中的分散润湿过程和界面反应模型

用扫描电镜 ( SEM)和透射电镜 ( TEM)并应用搅熔铸造工艺研究了预处理过的 Si C颗粒在加镁 ZA-2 7合金中的卷入、分散和润湿过程。在低温搅拌 ( 4 70℃ )时 ,预处理过的 Si C颗粒首先呈较大尺寸团聚体被卷入 ZA-2 7合金半固态浆料中 ,随后在搅拌剪切力的作用下 Si C团聚体逐渐变小 ,且由于发生了存在于 Si C表面的 Si O2与由...  (本文共5页) 阅读全文>>

哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学

基于零膨胀ZrW_2O_8/Al复合材料设计与表征

本文研究一种新型零膨胀材料——负膨胀颗粒增强Al基复合材料。本文利用挤压铸造方法设计并成功制备了颗粒分散均匀,高致密度的50~73vol.%ZrW_2O_8/Al-Si复合材料。利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、热膨胀分析仪、原位拉曼(In-situ Raman)、第一性原理模拟和三点弯曲试验等多种手段,对复合材料的微观组织及形成机理进行了系统的研究,测试了复合材料的热膨胀性能、力学性能及热循环性能,分析了相关的影响因素。并基于界面反应公式,建立了一种ZrW_2O_8/Al-Si复合材料热膨胀系数预测的方法。本文以超低膨胀(零膨胀)为目标,进行材料设计。根据Kerner模型,Turner模型和混合定律、界面反应程度、超低膨胀用ZrW_2O_8/Al-Si复合材料的增强体体积分数应在73vol.%;基于Grüneisen参数,以拉曼峰偏移为变量,得到了变温条件下复合材料内部残余应力计算方程。残余应力的计算表明,铸造态复合...  (本文共153页) 本文目录 | 阅读全文>>

上海交通大学
上海交通大学

铝电渣精炼除硅及界面反应机制的研究

控制Si元素含量是铝熔体净化中关注的焦点之一,很多铝合金对Si含量提出的严格的要求,但现有铝合金除硅工艺的研究较少。电渣精炼工艺不仅可有效调控钢铁的纯净度,也被认为有望用于控制铝合金的品质。目前,铝电渣精炼工艺的研究较少,可用熔渣种类少,也缺乏对界面反应机理的研究。为此,本文重点研究了电渣精炼工艺对铝合金中Si元素含量的影响,深入分析了铝电渣精炼除硅界面反应机理。首先,筛选了铝电渣精炼的多种熔渣组分,通过电渣精炼实验研究熔渣组分对铝合金净化效果、凝固组织的影响。然后,通过热力学计算研究铝电渣精炼除硅界面反应热力学行为,用正交实验和单因素实验研究多种因素对界面反应的影响,通过分析界面处Si含量随反应时间的变化研究界面反应动力学机制。最后,用分子动力学和第一性原理研究了熔渣的微观结构和性质及熔渣/金属界面行为。得到的主要研究结果如下:(1)铝电渣精炼使用15.41%NaCl-49.15%KCl-35.44%LiCl渣剂时,具有较好的...  (本文共155页) 本文目录 | 阅读全文>>

湘潭大学
湘潭大学

热浸镀锌池合金体系相关相平衡及界面反应研究

热浸镀是一种经济而有效的钢铁防腐技术,由于其工艺简单、防腐蚀性能优良而得到广泛应用,但仍受困于两大问题:1)热浸镀锌工艺中含硅钢的硅反应性问题,导致镀层变厚、脆性增大、粘附性变差。需要在锌浴中加适量的合金元素(Al、Co、Zr、Cu、Ni、Ti等)来控制钢中的Si、P对镀层的不良影响,但其作用机理尚不明朗;2)Zn-Al熔体对材料的腐蚀问题。Co基超合金具有优良的耐Zn-Al熔体腐蚀性能而备受关注,但其Zn-Al/Co界面反应有待研究。本文围绕锌池合金体系中与Fe-Zn反应、Co-Zn反应密切相关的Zn-Fe-Al-Zr、Zn-Fe-Al-Sn、Zn-Fe-Co-Cu 和 Zn-Co-Al-Fe 四元系相关的界面反应及其相关系展开研究。综合运用平衡合金法、扩散偶法及相图计算法研究了Al-Zn-Zr三元系;利用平衡合金法实验测定了 Zn-Co-Cu三元系600和450℃等温截面、Al-Fe-Sn 三元系 320、700 和 100...  (本文共136页) 本文目录 | 阅读全文>>

大连理工大学
大连理工大学

Sn基焊点多次回流界面反应机理及动力学研究

电子产品微型化推动封装技术由二维(2D)向三维(3D)发展,而多次回流工艺是3D封装普遍应用的技术。现有研究大都将多次回流简单归结为一次回流焊处理,所获得的多次回流界面反应机制与实际偏差较大。本文应用同步辐射实时成像及高压吹扫技术,分离多次回流钎焊过程各个阶段,并结合相应模拟手段,深入研究钎料合金成分、回流工艺参数、气泡缺陷、焊点尺寸下钎焊液固反应过程界面金属间化合物(IMC)生长机理及动力学,清晰地揭示出各Sn/Cu体系钎焊界面反应过程,并建立多次回流界面IMC生长模型。论文获得主要结论如下:1.Sn/Cu焊点多次回流保温阶段,界面IMC生长控制机制逐渐从Cu晶界扩散转变为体扩散,动力学时间指数由1/3趋近1/2;冷却阶段,界面IMC受Cu沉积作用快速生长,动力学时间指数为1;再加热阶段,Cu溶解度改变使界面IMC发生部分溶解,动力学时间指数为1,与冷却阶段互逆;基于此,建立Sn/Cu体系多次回流界面IMC生长物理模型。Sn-...  (本文共152页) 本文目录 | 阅读全文>>