分享到:

中子辐照氢气区熔硅单晶退火行为的正电子湮没研究

用正电子湮没寿命和多普勒加宽方法研究了中子辐照氢气区熔硅单晶的等时退火行为.观测到324±12ps的寿命组分是正电子在双空位湮没寿命,是主要的长寿命组分.450±14ps是正电子  (本文共7页) 阅读全文>>

《物理学报》1985年07期
物理学报

中子辐照氢气氛生长硅的红外吸收

用傅里叶变换红外吸收光谱技术测量了中子辐照氢气氛生长区熔硅在1800—2300cm~(-1)和400—1200...  (本文共11页) 阅读全文>>

《原子能科学技术》2021年01期
原子能科学技术

核材料中子辐照损伤的团簇动力学模拟综述

核材料中子辐照损伤是影响核能装置安全性和稳定性的关键问题之一。由于难以开展大量的中子辐照实验来评估核材料的损伤机理,因此相关理论模拟至关重要。介观尺度...  (本文共11页) 阅读全文>>

《材料导报》2011年S2期
材料导报

几种典型材料中子辐照损伤模拟计算

基于Lindhard-Robinson模型,利用NPRIM和NJOY程序,模拟计算了4种典型辐照场景下,T...  (本文共4页) 阅读全文>>

《中国原子能科学研究院年报》1997年00期
中国原子能科学研究院年报

GaAs中子辐照效应研究

用正电子湮没寿命测量方法研究了1011~1013cm-2注量的5和10MeV快中子辐照和1015~1016cm-2注量的氟离子辐...  (本文共1页) 阅读全文>>

《低温物理学报》1940年50期
低温物理学报

高温超导体的中子辐照效应

本文从核物理的角度分别探索了快中子和热中子对高Tc超导体(HTSC)...  (本文共7页) 阅读全文>>