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GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为

在SIMOXSOI超薄硅衬底上外延生长了高质量SiGe合金薄膜来制备SGOI(SiGeoninsulator)样品,并研究了其在1050℃氧化气氛中的高温退火行为.用Raman,DCXRD,RBS和光学显  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体学报》1986年06期
半导体学报

SiCl_4-SiH_4-H_2混合源的硅外延生长

本文探讨了SiCl_4/SiH_4/H_2混合源常压和低压硅外延生长技术.实验结果表明,混合源兼有SiCl_4...  (本文共6页) 阅读全文>>

《稀有金属》1988年01期
稀有金属

硅外延生长设备的最新进展

在 MOS 电路(特别是 CMOS 电路)迫切地要求采用外延材料的促进下,硅...  (本文共5页) 阅读全文>>

西北工业大学
西北工业大学

镍基单晶高温合金激光外延生长修复机理研究

镍基单晶高温合金叶片的表面缺陷维修是其制造再延寿的关键,与此相关的修复机理也是材料物理与化学学科的热点研究问题。目前,最为有效的修复方法就是利用激光熔覆技术进行修复。良好的修复要求激光熔覆部位的晶向与基体保持一致,即具有良好的单晶性。已有研究表明,激光参数、晶界角及基体取向都有可能对单晶性产生作用,但是它们之间的相互影响以及对单晶性的作用方面的研究还很有限,特别对于我国自主研发的镍基单晶高温合金材料的研究更是鲜有报道。本文主要针对以上问题,采用激光熔凝方法以及激光熔覆修复方法,结合理论模型计算,以我国自主研发的DD系列镍基高温合金为研究对象,探索各项修复参数对激光外延生长修复组织的影响机制,研究不同晶界角数值大小对凝固裂纹的影响作用,寻找国产镍基单晶高温合金的临界晶界角数值范围。取得的研究成果如下:1、研究了DD6镍基单晶高温合金的晶界角数值对凝固裂纹的影响机制。发现当晶界角数值较小时,凝固裂纹不易出现;随着晶界角数值的增大超过...  (本文共103页) 本文目录 | 阅读全文>>

武汉理工大学
武汉理工大学

激光CVD外延生长SmBCO超导薄膜的研究

第二代高温超导REBa_2Cu_3O_(7-δ)(REBCO)薄膜具有强载流能力、高不可逆场及良好的机械性能等特点。SmBCO作为REBCO体系中的一种,与传统的超导材料YBCO相比其临界转变温度及临界电流较高,在电力传输、电能存储、强磁场等领域有着非常广阔的应用前景。目前,在第二代超导薄膜制备过程中仍然存在大量的瓶颈问题需要解决,如薄膜中组分不易控制、沉积速率低、薄膜中非c轴取向晶粒及其他杂相颗粒的形成、带材缓冲层结晶性差等,这些问题严重影响了超导薄膜的性能及制备成本,因此,研究如何提高SmBCO超导薄膜的性能及降低其制备成本具有十分重要的意义。激光化学气相沉积法(Laser chemical vapor deposition,Laser CVD)作为一种薄膜制备的新型方法,其能够快速沉积高质量氧化物薄膜,因而其在第二代高温超导带材开发方面具有巨大实用前景。本研究所采用自主研发的激光CVD是在传统有机金属化学气相沉积系统(MO...  (本文共143页) 本文目录 | 阅读全文>>

中国科学技术大学
中国科学技术大学

硅基AlInGaN/AIN/GaN HEMT外延生长与器件工艺研究

氮化镓(GaN)半导体材料具有禁带宽度大、击穿场强高等诸多优点,因此,GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在功率转换和微波射频领域具有重要应用前景。其中,基于四元合金AlInGaN势垒层的HEMT兼具低导通电阻、弱短沟道效应等特色,故在高压、高频领域均有应用价值。本论文围绕AlInGaN/GaN HEMT的材料外延生长、器件工艺制备、栅极漏电物理机制等关键问题开展了较为深入的研究。主要工作内容包括:1.系统研究了 AlInGaN/AlN/GaN异质结的MOCVD外延生长,包括Si基GaN高质量外延生长以及基于四元合金势垒层的异质结生长。通过XRD、TEM、Hall等测试表征手段,分别研究了 AlInGaN势垒层的生长温度、速率、压力以及Ga组分对势垒层表面形貌、二维电子气(2-Dimensional electron gas,2DEG)特性等的影响。研究发现:随着势垒层生长温度的升高,In组分随之减低,AlInGaN/GaN异...  (本文共135页) 本文目录 | 阅读全文>>