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快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响

研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片  (本文共5页) 阅读全文>>

湖南大学
湖南大学

商业化Cz-Si太阳能电池扩散工艺的研究

目前,能源和环保是世界两大热点。随着经济的发展、社会的进步,人们对能源提出越来越高的要求,寻找、开发新能源成为当前人类面临的迫切课题。太阳能是一种清洁的可再生能源,以光伏效应为基础的太阳能电池有着美好的应用前景。商业化Cz-Si太阳能电池的转换效率最高,技术也最成熟,但生产成本较高。降低Cz-Si太阳能电池的生产成本和提高Cz-Si太阳能电池的光电转换效率始终是研究者和生产商的主要挑战,除了产业化运用新技术外,商业化Cz-Si太阳能电池制作中的工艺优化也是非常重要的,其中扩散工艺在高效、低成本商业化Cz-Si太阳能电池的研究和生产中占据着重要的地位。本论文首先介绍了太阳能电池的基本原理和商业化Cz-Si太阳能电池的生产工艺;然后从五方面来优化商业化Cz-Si太阳能电池的扩散工艺,主要包括扩散均匀性的研究;单面扩散和双面扩散的对比研究;正电极副栅与方块电阻关系的研究;30-60/□的烧结工艺与良品率关系的研究以及商业化高效浅结Cz...  (本文共87页) 本文目录 | 阅读全文>>

河北工业大学
河北工业大学

大直径CZ-Si中流动图形缺陷微观形貌及其高温快速退火行为的研究

本文研究了大直径直拉硅单晶中的原生微缺陷—流动图形缺陷(flow pattern defects,FPDs)。分析了FPDs的微观形貌,及其在Secco腐蚀液中的演变过程;对轻掺B、重掺Sb硅片在Ar,H_2,N_2,N_2/O_2(3%)不同气氛下进行高温快速退火(RTA),研究了FPDs的高温退火行为及减少FPDs的快速退火工艺。实验结果表明:FPDs外部轮廓为抛物线型,内部存在台阶结构。利用原子力显微镜观察发现位于FPDs端部的空洞结构有单型和双型两种类型,并首次发现空洞两侧有对称凸起结构。提出了一个抛物线模型,首次对FPDs在Secco腐蚀液中的演变过程进行了合理的解释。硅片经1100℃以上高温RTA处理后,FPDs明显减少,其密度随着退火时间的延长而不断降低。高温RTA处理过程中FPDs端部空洞微结构发生变化,本文对其湮灭机理进行了详细探讨。氢气高温RTA处理,是减少FPDs的最有效退火工艺,氨气次之。首次对大直径重掺...  (本文共68页) 本文目录 | 阅读全文>>

《太阳能学报》2012年09期
太阳能学报

商业化高效浅结Cz-Si太阳电池

采用轻掺杂、浅结工艺,将发射极方块电阻控制在60Ω/□,基于国产生产线的常规工艺,获得了平...  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体技术》2006年04期
半导体技术

CZ-Si单晶中流动图形缺陷的本性探究

CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPDs)是否属于空洞型缺陷,目前尚有争议。通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究。实验发现,FPDs外形如抛...  (本文共3页) 阅读全文>>

《河北工业大学学报》2005年06期
河北工业大学学报

大直径CZ-Si单晶中空洞型缺陷的研究进展

概要介绍了近年来国内外对大直径CZ-Si单晶中空洞型缺陷的研究进展,详细阐述了COPs、LSTDs和F...  (本文共4页) 阅读全文>>