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蓝宝石衬底上侧向外延GaN中的位错降低(英文)

采用侧向外延(ELOG)方法,在制作了条形掩膜图形的GaN衬底上用MOCVD生长高质量GaN.AFM,化学湿法腐蚀及TEM分析表明:采用两步法ELOG生长的GaN  (本文共6页) 阅读全文>>

《物理实验》2006年03期
物理实验

GaN氢化物气相外延生长系统的设计与制作

根据GaN氢化物气相外延生长(HVPE)的原理,设计制作了双温区...  (本文共3页) 阅读全文>>

《航空兵器》2006年05期
航空兵器

p型GaN材料上的欧姆接触

实现欧姆接触是获得高性能GaN探测器的基本要求之一。p型GaN上优良的欧姆接触比n型GaN上的难于实现。本文介绍了利用金属Au、Cr/...  (本文共3页) 阅读全文>>

《红外与激光工程》2006年03期
红外与激光工程

GaN基紫外探测器及其研究进展

宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用。GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探...  (本文共5页) 阅读全文>>

《微处理机》2019年06期
微处理机

X射线和重离子辐射对GaN基发光二极管的影响

针对航天军事核物理等应用环境,研究了白光光谱高能X射线和30MeV Si重离子辐射效应对蓝光InGaN/GaN多量子阱发光二极管的阈值电压、发光功率、发光波长及色坐标的影...  (本文共5页) 阅读全文>>

《电子技术与软件工程》2020年01期
电子技术与软件工程

基于GAN网络的面部表情识别

本文为了解决姿态不变的面部表情识别即在任意姿态下的面部表情识别问题,提出了一种端到端的深度学习模型,该模型利用不同...  (本文共2页) 阅读全文>>