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利用水平热壁CVD法生长的3C-SiC/Si的均匀性(英文)

利用新改进的水平低压热壁CVD设备,改变生长时的压力和H2流速,在50mm的Si(100)和(111)衬底上获得了3C-SiC外延膜,并对外延膜的结构均匀性、电学均匀  (本文共4页) 阅读全文>>

《科学技术与工程》2007年06期
科学技术与工程

CVD金刚石薄膜的织构与显微组织研究

对直流电弧等离子喷射化学气相沉积法(CVD)制备的自支撑金刚石薄膜,用X射线衍射测量了薄膜织构,并用扫描电镜观察了薄膜显微组织。发现金刚石薄膜的织构为{1...  (本文共4页) 阅读全文>>

《化工新型材料》2007年S1期
化工新型材料

CVD法工业化生产纳米碳管的研究

以乙炔为原料气,用工业化生产炉代替小型实验研究炉批量制备出了纳米碳管,产量为150g/h。TEM图和Rama...  (本文共3页) 阅读全文>>

《功能材料与器件学报》2007年04期
功能材料与器件学报

共掺杂n型CVD金刚石薄膜的结构和性能

利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术制备硫掺杂及硼/硫共掺杂n型金刚石薄膜,探讨n型CVD金刚石薄膜的特性和共掺杂机理。研究结果显示:随着单一硫(S)掺杂含量的增加,金刚石薄膜导电激活能降低,薄膜生长速率减小,薄膜中非金刚石结构相增多;硼/硫(B-S)共掺杂有利于增加硫在金刚石中...  (本文共9页) 阅读全文>>

《广东工业大学学报》2007年04期
广东工业大学学报

多壁碳纳米管的CVD法制备

系统地介绍CVD法制备多壁碳纳米管的各类装置,并对影响碳纳米管生长的各种因素进行评述.CVD法制...  (本文共5页) 阅读全文>>

《物理学报》2007年06期
物理学报

掺杂CVD金刚石薄膜的应力分析

在不同实验条件下,用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在Si基体上制备了S掺杂和B-S共掺杂CVD金刚石薄膜,利用X射线衍射仪和拉曼光谱仪研究掺杂对CVD金刚石薄膜的应力影响.研究结果发现,随着S掺杂浓度的增加,薄膜中s...  (本文共7页) 阅读全文>>