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吸收层与倍增层分离的4H-SiC雪崩光电探测器

设计和制备了吸收层和倍增层分开的4H-SiC穿通型雪崩紫外光电探测器.设计器件的倍增层和吸收层厚度分别为0.25和1μm.采用multiplejunctionter mination extension(MJTE)方法减少器件的电流集边效应和器  (本文共5页) 阅读全文>>

厦门大学
厦门大学

分离吸收层与倍增层结构的低压4H-SiC雪崩光电探测器及其p型欧姆接触的研究

紫外微弱光信号和单光子信号的探测主要应用于激光诱导荧光性生物报警系统、非线性光线隐蔽通讯、非破坏性物质分析、高能物理、光时域反射和空气污染超高灵敏度探测等领域,它要求探测器具有高量子效率、低暗电流、低的过剩噪声和可见盲等特性,4H-SiC雪崩光电探测器(APD)是惟一能够满足这些要求的器件。近年来,国际上已有研究小组对4H-SiC APDs进行制备和研究,但所设计的APD结构较为简单,一般由PN结或者PIN结构成,不能有效地解决吸收层厚度对高量子效率、快响应速率和低击穿电压之间相互限制的矛盾;而已报道的分离吸收层与倍增层(SAM)结构4H-SiC APDs的击穿电压过大;另外,对于金属与p型4H-SiC接触,其一般形成大的势垒高度,因此制备具有低欧姆接触电阻率的4H-SiC p型欧姆接触比较困难。据了解,目前国内还未发现4H-SiC APDs的相关报道。针对以上问题,本文主要开展了以下几方面的工作,并取得了较好的结果。1.根据A...  (本文共131页) 本文目录 | 阅读全文>>

《光电子.激光》2007年01期
光电子.激光

高性能硅光电探测器设计及温度特性研究

采用适当的器件工艺和特制2mm厚无附加镀层光学玻璃滤光片,使所研制的绿光Si光电探测器的最大量...  (本文共3页) 阅读全文>>

《武汉大学学报(理学版)》2007年01期
武汉大学学报(理学版)

内调制光电探测器光生电压的模型分析

针对栅压对内调制光电探测器耦合区的影响,以及横向发生的抽取效应对受光结的影响,从描述探测器的泊松方程、电流方程和连续性方程出发,通过计算输出电流Id...  (本文共4页) 阅读全文>>

《红外》2007年08期
红外

偏振和波长可选择的接线耦合红外光电探测器

本发明提供一种用于探测入射红外辐射的偏振或波长的光电探测器。这种对偏振灵敏的光电探测器是用两组接线及相应的腔体进行工作的,其中,第一组接线及腔体由具有...  (本文共1页) 阅读全文>>

权威出处: 《红外》2007年08期
《红外与激光工程》2020年01期
红外与激光工程

锗近红外光电探测器制备工艺研究进展

Ge材料由于在近红外波段具有较大的吸收系数、高的载流子迁移率、以及与Si工艺相兼容等优势而被视为制备近红外光电探测器最理想的材料之一。针对Ge光电探测器制备过程中面临的挑战,文中综述了近年来笔者所在的课题组在Ge探测器材料、器件及工艺方面的研究进展。首先介...  (本文共8页) 阅读全文>>

《半导体技术》2020年02期
半导体技术

二维材料光电探测器的研究进展(续)

4基于二维材料异质结构的光电探测器石墨烯、过渡金属硫化物、黑磷、二维钙钛矿等二维材料已经展现出了一系列独特的光电性质,因此在异质结构中通过将不同的二维材料进行组装,...  (本文共8页) 阅读全文>>