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新型氧化物半导体气敏传感器的研究进展

空气质量日益恶化问题引起了人们的重视。为了监控空气质量,研究者开发了很多种类的气敏传感器,其中氧化物半导体气敏传感器  (本文共5页) 阅读全文>>

《化工生产与技术》1997年02期
化工生产与技术

金属氧化物半导体气敏传感器的研究和开发进展

综述了近期国内外金属氧化物半导体气教传感器的研究和开发进...  (本文共6页) 阅读全文>>

《功能材料》2014年17期
功能材料

氧化物半导体气敏传感器的改性研究进展

氧化物半导体气敏传感器具有灵敏度高、制造成本低、信号测量手段简单、使用方便等...  (本文共5页) 阅读全文>>

武汉理工大学
武汉理工大学

掺杂及表面修饰对半导体气敏传感器性能的影响

金属氧化物(MOS)半导体气敏传感器具有价格低廉、响应较快以及体积小等优点,广泛地应用于气体检测中。然而,由于存在选择性较差和工作温度较高等缺点,不利于金属氧化物半导体气敏传感器在实践中的应用。为了克服这些缺点,本文利用掺杂和表面修饰的方法提高金属氧化物半导体气敏传感器的气敏性能,改善其使用性能。本文采用机械球磨法制备了22种不同掺杂的纳米ZnO气敏材料并配制成浆料,再用丝网印刷技术将浆料印在8阵列基片上,经干燥、烧结,制得8阵列ZnO气敏传感器。通过浓度分别为0.02%、0.12%、0.04%的乙醇、丙酮、苯的测试,对比不同掺杂元素的化学性质对ZnO气敏传感器性能的影响,研究表明:掺杂元素的离子半径对ZnO气敏传感器的气敏性能影响较大,当掺杂元素的离子半径为0.072-0.088nm时,接近Zn离子半径,表现出的灵敏性最佳。掺杂元素的周期对ZnO气敏传感器的气敏性能有一定的影响,而化合价对ZnO气敏传感器的气敏性能几乎没有影响...  (本文共74页) 本文目录 | 阅读全文>>

《电子元件与材料》2003年06期
电子元件与材料

多晶氧化物半导体中晶界对电导的影响

主要讨论NTC多晶氧化物半导体中晶界对电导的影响。研究表明,NTC多晶氧化物半导体的电导是由晶粒中载流子的热激发...  (本文共3页) 阅读全文>>

吉林大学
吉林大学

二元氧化物半导体的表界面结构设计及多相催化应用研究

光催化、电催化、热催化、有机物转化等多相催化是在液-固、气-固、气-液等界面上发生的催化反应。在清洁能源的开发利用及工业生产中,多相催化过程都扮演着十分重要的角色。多相催化剂的开发极大程度地促进了各类催化反应的进行,其中二元氧化物半导体因合成方法简单、低毒、活性高、稳定性高等优点更是引起了人们广泛的关注。由于多相催化反应主要发生在表界面处,所以低的比表面积和弱的界面相互作用往往不利于获得高的反应活性和优异的催化效率。大量研究表明,特殊晶面的暴露及低维或多孔结构的构筑可以有效地增加反应活性位点,并且强相互作用界面的存在可以大大提高电子利用率。因此,设计合成具有高比表面、特殊暴露晶面或强界面相互作用的二元氧化物半导体催化剂,实现其优异的催化性能,对推动多相催化技术在清洁能源及工业生产等领域的应用具有重要意义。本论文以二元氧化物半导体为主要研究对象,首先设计合成了低维的暴露不同晶面的氧化物和多孔氧化物半导体,进而利用溶液化学和表面化学...  (本文共137页) 本文目录 | 阅读全文>>

《真空与低温》2009年03期
真空与低温

掺杂氧化物半导体在复合隐身方面的研究进展

从掺杂氧化物半导体材料的隐身理论、复合隐身研究...  (本文共7页) 阅读全文>>