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碳模板转化法制备管状SiC/Si复合陶瓷

利用纸作为原材料,通过卷曲、树脂浸渍、碳化预制备出具有层状结构的管状碳模板,之后在1550℃通过原位反应液相渗Si0.5-1h,在常压烧结条件下制备  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体学报》2000年11期
半导体学报

C~+注入Si形成SiC/Si异质结构的椭偏光谱

用椭偏光谱法测量了 ( 35ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 )和 ( 65ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 ) C+ 注入 Si形成的 Si C/Si异质结构 .应用多层介质膜模型和有效介质近似 ,分析了这些样品的 Si C/Si异质结构的各层厚度及主要成份 .研究结果表明 :注 35ke V C+ 的样品在经 1 2 0 0℃、2 h退火后...  (本文共6页) 阅读全文>>

西安电子科技大学
西安电子科技大学

3C-SiC/Si异质外延生长与肖特基二极管伏安特性的研究

SiC具有独特的物理性质和电学性能,击穿电压高、电子饱和漂移速率高、电子迁移率高、热导率高、和化学稳定性好,可用于高温、高速、高频等极端条件。相对于同质外延来说,3C-SiC具有相对高的电子迁移率、高的饱和电子漂移速度和在Si上生长制作大面积器件的优势,而且SiC还具有与Si集成电路兼容的特点,所以,Si衬底上3C-SiC的异质外延引起了人们的广泛关注。生长高质量的3C-SiC外延层面临的主要问题是热膨胀系数和晶格适配导致的应力。同时,由于碳化法制备3C-SiC异质外延过程的复杂性,也阻碍了异质外延的机理研究的发展。在此背景下,本文研究的内容主要包括了异质外延碳化条件与生长条件的优化,外延层应力的消除机理,对生长所得高质量外延层材料的表征,异质外延机理,3C-SiC/Si器件的制备与性能分析等几个方面。主要研究成果如下:1研究了高质量3C-SiC/Si异质外延生长条件。通过改变碳化和生长条件对异质外延的工艺进行了优化,并用表面轮...  (本文共110页) 本文目录 | 阅读全文>>

《硅酸盐通报》2010年04期
硅酸盐通报

SiC/Si上六方YMnO_3薄膜的制备和铁电性能

采用化学溶液法在SiC/Si上制备了YMnO3薄膜。XRD结果显示所制备的薄膜为六方YMnO3,且具有部...  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体学报》2007年01期
半导体学报

利用水平热壁CVD法生长的3C-SiC/Si的均匀性(英文)

利用新改进的水平低压热壁CVD设备,改变生长时的压力和H2流速,在50mm的Si(100)和(111)衬底上获得了3C-SiC外延膜,并对外延膜的结构均匀性、电学均匀...  (本文共4页) 阅读全文>>

《陶瓷学报》2006年01期
陶瓷学报

纸制备SiC/Si层状陶瓷复合材料的微观结构和性能

本文以纸为原料,通过叠层设计、低温碳化和高温渗硅制备了具有层状结构特征的SiC/Si陶瓷复合材料。并采用XRD、SEM和三点弯曲等分析测试手段对其相组成、微观结构和力学性能进行了分析。结果表明:纸碳化后为非晶形的碳;...  (本文共5页) 阅读全文>>