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钼离子注入对纯锆耐蚀性的影响

使用MEVVA源对纯锆表面注入1×1016 ions/cm2至5×1017 ions/cm2剂量的钼离子,研究离子注入后其在水溶液中耐蚀性;注入时的最高温度为160℃,加速电压为40 kV。用X光电子谱(XPS)分析表面元素价态  (本文共5页) 阅读全文>>

清华大学
清华大学

锆合金的辐照改性及机理研究

锆合金是水冷核动力电站、核潜艇中反应堆用包壳材料及堆内结构材料,由于锆合金所处的高温、高压、高辐照通量、高纯水环境,因而锆合金的腐蚀与氧化性能研究为核材料科学领域研究的热点之一。当前核领域提出的深燃耗、长寿期、零破损目标使提高锆合金的耐腐蚀与抗高温氧化性能有更加重要的学科、经济和安全意义。本文系统研究了稀土元素:钇、镧、铈,锆自身离子及Zr-4合金化元素:铬、镍、锡,以及难熔金属钼离子和惰性气体氪离子等的注入对锆合金的耐蚀性和抗高温氧化性能的影响。出主要创新性成果如下:①低注量钇注入纯Zr是增加腐蚀的,高注量钇注入纯Zr是减少腐蚀的。这是离子注入表面损伤和三氧化二钇氧化保护综合作用的结果。②镧注入纯Zr是减少腐蚀的,注量越大效果越好。主要原因是氧化物阻挡层三氧化二镧的浓度随注量增加。镧离子注入提高了锆合金的抗高温氧化性能,这是由于镧离子注入后,锆合金表面氧化物由疏松的单斜相氧化锆转变为致密的四方相氧化锆。③铈注入锆合金后以CeO...  (本文共198页) 本文目录 | 阅读全文>>

《腐蚀与防护》1985年03期
腐蚀与防护

离子注入文献简介

离子注入一材料加工新技术(Ion Implantion for Materials Processing) F.A.Smidt Noyes Data Corporation 1983年出版。离子注入新技术...  (本文共1页) 阅读全文>>

《电子科技文摘》1999年11期
电子科技文摘

掺杂、扩散、离子注入工艺

...  (本文共3;页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》1989年04期
固体电子学研究与进展

GaAs中S_2+分子离子注入(英文)

Molecular ion S2+ implantation into GaAs has been investigated to form very thin active layers. After implantation, the transient annealing(TA) and furnace annealing (FA) were used. The measurements of activation efficiency, mobility, carrier concentration profiles were carr...  (本文共1页) 阅读全文>>

南京航空航天大学
南京航空航天大学

TC18钛合金表面离子注入Zr、Cr元素工艺及改性层力学性能研究

TC18钛合金由于优良的综合性能被应用于制造飞机起落架。然而,疲劳性能差的缺点限制了其应用。TC18钛合金的表面状态是影响其疲劳性能的重要因素,表面划伤、高粗糙度及其他表面缺陷均会降低其疲劳寿命,而残余压应力会提高疲劳寿命。本课题提出利用离子注入技术强化TC18钛合金表面,并研究了离子注入后表面状态对TC18钛合金的疲劳性能的影响。利用离子注入技术在TC18钛合金表面注入不同剂量(1.2~19.0×10~(16) ions/cm~2)的Cr、Zr离子,利用SEM、AFM、XRD和残余应力分析仪研究离子注入前后TC18钛合金表面形貌、成分、相结构和残余应力状态。利用纳米压痕仪研究不同载荷下(5 mN、10 mN和15 mN)离子注入前后TC18钛合金表面的纳米力学性能。利用疲劳试验机并结合离子注入前后TC18钛合金表面状态的变化情况分析Cr、Zr离子对其疲劳性能的影响。基于蒙特卡罗模拟方法研究了Cr、Zr离子在TC18钛合金内部的...  (本文共84页) 本文目录 | 阅读全文>>

云南大学
云南大学

不同注入及退火条件下硅自离子注入SOI材料的发光特性与机理

光电子-微电子集成是目前半导体行业研究的一个重点方向,然而Si的间接带隙性质使得其辐射复合效率低下,极大地限制了 Si在光电产业方面的应用。离子注入由其工艺成熟,产生的缺陷种类繁多,缺陷发光稳定等原因逐渐成为改善Si发光性能的主要研究方法。Si自离子注入硅基材料不会引入异种离子,只产生缺陷发光中心(填隙或空位团簇),易于调控。绝缘层上氧化硅(Silicon on Insulator,SOI)材料由于其独特的结构以及优异的电学特性,在半导体行业备受青睐。因此,向SOI材料引入缺陷发光中心,实现芯片内光互连,并匹配现有CMOS生产工艺,对于未来半导体行业发展将带来巨大的促进。本论文通过不同离子注入方案设计,控制后退火工艺参数,对自离子注入SOI发光材料的发光特性及机理进行了讨论和研究,确认了从可见波段至红外波段一些发光峰的起源,并比较确认了不同温度下发光行为变化的原因,阐明了不同剂量注入SOI材料填隙缺陷的演变机理。论文主要内容如下...  (本文共74页) 本文目录 | 阅读全文>>