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InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作

利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得InS  (本文共4页) 阅读全文>>

《红外技术》2016年11期
红外技术

InSb焦平面探测器的发展现状与趋势

本文通过对红外技术发展历程的回顾,简要介绍了锑化铟材料的一些基本特性,通过对国外主要锑化铟...  (本文共9页) 阅读全文>>

《红外技术》2011年02期
红外技术

InSb焦平面器件表面末处理技术研究

InSb焦平面器件经过减薄后,表面有细微的划痕,且存在一定厚度的损伤层,影响芯片性能。通过对InSb焦平...  (本文共4页) 阅读全文>>

《计量学报》2005年04期
计量学报

提高InSb磁敏电阻检测灵敏度的方法研究

分析了锑化铟(InSb)磁敏电阻的工作原理,讨论了影响其检测灵敏度的主要因素。由于半导体材料对温度十...  (本文共3页) 阅读全文>>

大连理工大学
大连理工大学

InSb相变薄膜的热导率及传热机理研究

相变材料是当今工程中的热门材料,广泛应用于信息存储、储热散热、光热印刷等技术中。在信息存储中,其产品相变存储器甚至有望成为下一代的存储设备。材料的热导率对器件的功耗有着十分显著的影响,以相变存储器为例,相变材料的热导率既不能过大也不可过小,过大会导致功耗增加,过小则会导致器件发热严重。因此热导率的选取需要权衡各个方面的因素,才能做出最佳的选择。薄膜材料是微电子器件中常用的材料,由于微观特性及边界效应等,它们的热导率与块体材料相比有很大的不同。InSb薄膜材料广泛应用于高精度的光电存储、红外探测和红外热成像技术以及超分辨掩膜层技术中。InSb拥有较高的热导率,并且在相变过程中体现出了特殊的热特性规律。目前对InSb材料热导率的研究多为其体材料,而对其薄膜热导率,尤其是其温度特性的研究却鲜有报道。因此,对InSb薄膜材料的研究有着重要意义。本文采用瞬态热反射法对厚度为70-200nm的InSb薄膜在非晶态和晶态下的热导率及其随温度的...  (本文共65页) 本文目录 | 阅读全文>>

西安电子科技大学
西安电子科技大学

光伏型InSb红外焦平面探测器的性能研究

近几十年来,红外焦平面探测器在航空航天、红外遥感、国防、气象、环境、医学和科学仪器等领域得到广泛的应用。InSb红外焦平面探测器作为最重要的中波段探测器之一,成为国内外的研究热点,它的发展在很大程度上提高了整个红外系统的性能。光伏型InSb红外焦平面探测器由于暗电流较小,能源消耗低等优势,被广泛应用。国内外对于光伏型InSb红外焦平面探测器研究已经很多,但是对于光伏型InSb红外焦平面探测器内部机理的研究十分少,因此掌握光伏型InSb红外焦平面探测器的内部机理具有十分重要的意义,同时探索性能更高的光伏型InSb红外焦平面探测器新结构具有十分重要的价值。本论文主要从光伏型InSb红外焦平面探测器内部机理的研究着手,对传统结构器件性能进行了系统的研究,并在对传统结构机理分析的基础上,对新型探测器结构进行了初步研究,论文主要做了如下工作:首先通过半导体器件仿真平台,对传统探测器进行建模,并对其基础性能进行了仿真分析,主要研究了探测器的...  (本文共87页) 本文目录 | 阅读全文>>