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NMOSFET低温阈值特性的研究

本文对N沟多晶硅栅MOSFET的低温(77 K)阈值特性进行了理论和实验研究.结果表明,理论分析和测试结果一  (本文共6页) 阅读全文>>

《半导体技术》1990年02期
半导体技术

硅双栅场效应晶体管

本文综合各种资料,结合生产实践,以国内已大批量使用的几种不同结构的硅双栅场效应...  (本文共9页) 阅读全文>>

《压电与声光》2019年06期
压电与声光

铁电负电容场效应晶体管器件的研究

铁电负电容场效应晶体管作为一种新型半导体器件,利用铁电材料的负电容效应可使晶体管的亚阈值摆幅突破理论极限值60 mV/dec,是未来低功耗晶体管领域最具有前途的器件之一。该文研究并...  (本文共4页) 阅读全文>>

《传感器世界》2019年11期
传感器世界

我国研发新型柔性铁电场效应晶体管

Advanced Functional Materials在2019年11月刊发了中科院深圳先进技术研究院一个研究小组在柔性铁电场效应晶体管领域取得的新进展——一种低功耗、耐高...  (本文共2页) 阅读全文>>

《科技导报》2016年23期
科技导报

碳纳米管用于场效应晶体管的应用研究

传统硅晶体管在微小化方面遇到瓶颈,碳纳米管作为一维量子材料,成为未来晶体管最具潜力的候选者。介绍了几种典型的碳纳米管场效应晶...  (本文共9页) 阅读全文>>

《通讯世界》2017年03期
通讯世界

隧穿场效应晶体管的特性分析

随着器件尺寸不断缩小,半导体器件面临诸多问题,如短沟道效应严重、泄露电流大、高功耗等,针对这些问题,领域内提出了各种解决...  (本文共1页) 阅读全文>>