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Bean模型与不同几何形状样品中的临界电流密度

我们依据 Bean 临界态模型通过计算给出了不同几何形状超导样品的临界电流密度在各向同性情形下与  (本文共6页) 阅读全文>>

《稀有金属》1990年02期
稀有金属

临界电流密度最高的铋系超导线

日本住友电气工业公司制成目前世界上最高临界电流密度的铋系超导线。其临界电流密...  (本文共2页) 阅读全文>>

《稀有金属材料与工程》2003年03期
稀有金属材料与工程

高传输临界电流密度MgB_2超导带制备方法

有关薄膜的研究报道指出,MgB2薄膜在磁场下具有较高的Hc2和Jc值。过去有关薄膜的研究虽然不少,但都是使用...  (本文共1页) 阅读全文>>

《稀有金属快报》1999年05期
稀有金属快报

轧制张力对覆银(Bi,Pb)2223超导带临界电流密度的影响

用粉末装管法(OPIT)制备的覆银(Bi,Pb)2223超导带具有较高的临界电流密度,正步入实际应用阶段....  (本文共3;页) 阅读全文>>

《南开大学学报(自然科学版)》1940年10期
南开大学学报(自然科学版)

高临界电流密度外延T1_2Ba_2CaCu_2O_8超导薄膜

本文用直流磁控离子溅射及后热处理工艺在(001)LaA103单晶衬底上制备的T12Ba2CaCu2O8高温超导薄膜,经X-光衍射θ-2θ和Φ扫描测试证明...  (本文共6页) 阅读全文>>

上海大学
上海大学

二维磁通钉扎中心的构筑及其提高MgB_2临界电流密度机理的研究

MgB_2的超导转变温度为39 K,可以摆脱昂贵的液氦制冷技术而使用,因此相比于传统低温超导体其应用成本较低。但MgB_2的本征磁通钉扎中心不足,使其临界电流密度在磁场中迅速降低,限制了其推广应用。晶界为MgB_2的本征钉扎中心,化学掺杂可在材料中诱导非本征钉扎中心的产生。MgB_2钉扎中心的类型可分为点钉扎中心、面钉扎中心(二维钉扎中心)和体钉扎中心。钉扎中心的类型、尺寸、分布等影响样品的磁通钉扎力、连接性以及磁场载流能力(J_c(H))。点钉扎中心钉扎作用小,且只能与单根磁通线相互作用;体钉扎中心较严重地破坏样品的连接性,实用性差;二维钉扎中心钉扎作用强,可同时与多根磁通线相互作用,且对样品的连接性影响较小,故可高效地提高样品的磁通钉扎能力。钉扎中心在样品中的聚集也会破坏材料的连接性,不利于提高J_c(H)。为提高MgB_2的磁场载流能力,需要在材料中构筑均匀分布的二维钉扎中心,提高样品的磁通钉扎力,同时保持样品较好的连接性...  (本文共90页) 本文目录 | 阅读全文>>