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La_(1.85-x)Sr_(0.1 5+x)Cu_(1-x)FexO_4体系的自旋动力学和输运性质研究(英文)

我们采用固相合成法成功地制备出单相双掺杂系列样品La1 .85-xSr0 .1 5+xCu1 -xFexO4(0≤x≤ 1 ) ,并用X光衍射 ,电阻率 ,热电势 ,  (本文共5页) 阅读全文>>

中国科学院大学(中国科学院物理研究所)
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半金属MoTe_2薄膜的低温输运性质研究

过渡金属硫族化合物是一类具有特殊量子性质的材料,在近年来逐渐引起了大量的关注和广泛的研究。由VIA族与VIB族元素所构成的这一类材料通常具有分别为半导体型和半金属型的两种常温稳定的同素异构体。另一方面,这类材料的晶体是以较弱的范德华力相结合的层状结构所构成的,这使它们可以通过机械剥离方法解理为仅有几纳米厚的样品;随着材料的减薄,其能带结构和电输运性质等都可能产生很大的变化,从而展现出的广阔应用前景。二碲化钼(MoTe_2)是过渡金属硫族化合物中的一种。对半金属型二碲化钼(MoTe_2)的能带分析指出,它具有非直接交叠的导带和价带,是一种潜在的第二类外尔半金属。在迄今的实验观察中,半金属型二碲化钼已展示出多种奇异性质,如超导性、巨磁阻性等。本文通过改进的机械剥离方法得到了最薄可以到大约5nm的半金属性二碲化钼样品,并通过电子束曝光等微纳加工工艺制备器件,对薄膜半金属性MoTe_2的低温输运性质进行了实验研究。对于体材料的样品,与以...  (本文共106页) 本文目录 | 阅读全文>>

中国科学院大学(中国科学院物理研究所)
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磁近邻耦合的拓扑绝缘体薄膜生长及其输运性质研究

自从拓扑绝缘体被发现以来,对其中各种新奇物理现象的研究就从未停止。向拓扑绝缘体中引入磁性,可以打破拓扑绝缘体表面态的时间反演对称性,在狄拉克点附近诱导出一个能隙,从而实现理论上预言的拓扑磁电效应等许多新奇现象。通过磁近邻效应与铁磁性绝缘体进行交换耦合,是使拓扑绝缘体获得磁有序的一种有效方法。与掺杂磁性杂质原子的方法相比,通过磁近邻效应方法引入磁性可以避免带来随机的杂质和缺陷,保持拓扑绝缘体本征的晶体结构和输运性质,同时有可能获得更高的磁有序温度。然而,由于自然界中铁磁性绝缘体材料的种类非常稀少,目前拓扑绝缘体中磁近邻效应的研究仅限于少数几种材料体系。因此,寻找合适的铁磁性绝缘体材料,并与拓扑绝缘体结合形成高质量的异质结构,是进行二者近邻耦合研究的关键和难点。本论文中,我们首次研究了拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜在铁磁性绝缘体LaCoO_3/SrTiO_3衬底上的生长与磁电输运性质。外延生长在SrTiO_3衬底上的LaCoO_3薄...  (本文共148页) 本文目录 | 阅读全文>>

南京大学
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地幔条件下铁硅酸盐熔体输运性质和热力学性质计算

地球化学证据显示早期地球可能经历过几次全球性的熔融事件,导致早期陆壳的形成,并促进了铁质地核与硅酸盐地幔间的化学分异。硅酸盐熔体作为地球内部物质和能量迁移的重要载体,在地球演化过程中扮演了重要角色,其输运性质和热力学性质决定了岩浆洋的化学演化和热演化过程。地震学研究指出,地球内部可能存在许多部分熔融区域,如板块俯冲带、软流圈低速区(LVZ)、低剪切波速省(LLSVPs)以及核幔边界(CMB)。要深入了解地球内部熔融区域的地质过程,也需要正确认识硅酸盐熔体的输运性质和热力学性质。铁作为最重要的一种金属元素,对硅酸盐熔体性质的影响不可忽略。铁在岩浆洋早期时的浓度可能比现在地幔中的铁浓度要高,并且目前地幔中部分熔融区域可能与铁的存在有关。目前对不含铁的硅酸盐熔体已经有了广泛的研究,但对铁硅酸盐熔体的研究还非常少。本文采用经典分子动力学方法和第一性原理方法,对橄榄石的铁端元熔体和布里奇曼石的铁端元熔体分别进行研究,获得了以下成果。Fe2...  (本文共136页) 本文目录 | 阅读全文>>

哈尔滨理工大学
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叠茂/MoS_2异质结的输运性质研究

单层二硫化钼(Monolayer Molybdenum Disulfide,ML-MoS_2)是一种具有直接带隙的半导体材料,通过功能化修饰ML-MoS_2,能够实现带隙在较宽范围内的可控调节,为其在光电磁器件方面提供了广阔的应用前景,已成为当前国内外研究的热点。叠茂纳米线如一维(VBz)_n纳米线由于具有半金属性、磁性等优异的特性,在电子器件和磁性材料中有广泛的应用,因而叠茂纳米线也是最为重要的功能材料之一。将叠茂纳米线共价接枝到ML-MoS_2上形成异质结可以增强材料的输运性质,拓展材料的应用范围,但有关叠茂与ML-MoS_2共价功能化得到复合材料的研究尚少见报道。本文采用密度泛函理论(Density Function Theory,DFT)并结合非平衡格林函数(Non-Equilibrium Green’s Function,NEGF)的方法,通过两种不同的叠茂纳米线(VBz)_n和(VC_(24))_n共价接枝到ML-M...  (本文共122页) 本文目录 | 阅读全文>>

南京大学
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低维拓扑系统中相变和输运性质研究

拓扑绝缘体及由其衍生出的对称保护拓扑态是当前凝聚态物理的前沿领域,除了基础研究意义,它们在自旋电子学器件中可能有重要的应用前景。非平庸的体拓扑性质导致边界态等奇特性质,这些性质对材料参数的平缓变化不敏感,不易受到杂质和无序的影响。本论文主要研究若干低维拓扑体系的相变以及相关的输运性质。具体研究内容包括非绝热的拓扑自旋泵浦输运,二维Class-DⅢ超导体中由Zeeman场诱导的拓扑相变,由螺旋性边缘态导致的7rBerry相位干涉,以及由交流电场引起的交流量子自旋霍尔(QSH)效应。在第二章,基于Floquet散射理论,我们在一个严格可解模型上解析地研究了拓扑自旋泵浦输运。可定义Floquet自旋陈数来描述系统的非平庸体能带拓扑性质。它是绝热近似下自旋陈数的推广,可应用于任何周期性驱动的一维费米子系统。当泵浦频率所对应的能量小于能隙时,在泵浦区域只有Floquet衰减模式参与电子输运,自旋泵浦是拓扑的。在这个条件下,拓扑的自旋泵浦即...  (本文共103页) 本文目录 | 阅读全文>>